Ka 대역 위성통신 하향 링크를 위한 GaN 전력증폭기 집적회로 (GaN HPA Monolithic Microwave Integrated Circuit for Ka band Satellite Down link Payload)

서지정보

· 발행기관 : 한국산학기술학회
· 수록지 정보 : 한국산학기술학회논문지 / 16권 / 12호 / 8643 ~ 8648페이지
· 저자명 : 지홍구

초록

본 논문은 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크대역인 주파수 19.5GHz∼22GHz대역에서 사용가능한 8W급 전력증폭기를 3단으로 설계 및 제작하여 특성 평가한 과정을 기술하였다. 제작된 전력증폭기 GaN MMIC는 3단으로 구성된 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들로 이루어 졌으며 증폭기의 첫 번째단 게이트 폭은 8×50×2um, 두 번째단 게이트 폭은 8×50×4um, 마지막단인 출력단의 게이트 폭은 8×50×8um의 구조로 이루어 졌다. 0.15um GaN 공정으로 제작된 전력증폭기 MMIC의 사이즈는 3,400×3,200um2 이고 주파수 19.5GHz∼22GHz대역에서 입력 전압 20V 일 때, 소신호 및 대신호 측정 결과 소신호 이득 29.6dB 이상, 입력정합 최소 -8.2dB, 출력정합 -9.7dB, 최소 39.1dBm의 출력전력, 최소 25.3%의 전력 부가 효율을 나타내었다. 따라서 설계 및 제작된 전력증폭기 MMIC는 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크에 사용이 가능할 것으로 판단된다.

영어초록

In this paper presents the design and demonstrate 8W 3-stage HPA(High Power Amplifier) MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) for Ka-band down link satellite communications payload system at 19.5GHz~22GHz frequency band. The HPA MMIC consist of 3-stage GaN HEMT(Hight Electron Mobility Transistors). The gate periphery of 1st stage, 2nd stage and output stage is determined 8×50×2um, 8×50×4um and 8×50×8um, respectively. The fabricated HPA MMIC shows size 3,400×3,200 um2, small signal gain over 29.6dB, input matching –8.2dB, output matching –9.7dB, output power 39.1dBm and PAE 25.3% by using 0.15um GaN technology at 20V supply voltage in 19.5~22 GHz frequency band. Therefore, this HPA MMIC is believed to be adaptable Ka-band satellite communication payloads down link system.

참고자료

· 없음