전자전용 광대역 위상배열 고출력 송신장치 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Wideband Phased Array High Power Transmitter for the Electronic Warfare)

서지정보

· 발행기관 : 한국산학기술학회
· 수록지 정보 : 한국산학기술학회논문지 / 23권 / 8호 / 489 ~ 495페이지
· 저자명 : 서원구, 박슬기, 박주래, 이철수

초록

본 논문에서는 높은 밀집도를 갖는 위협환경에서 다중 위협에 동시에 대응하기 위하여 반도체 고출력 전력증폭기를 이용한 전자전용 광대역 위상배열 고출력 송신장치를 설계 및 제작하였다. 상용 GaN 증폭소자를 평형증폭기로 구성하여 50 W의 고출력 및 안정적인 동작을 위한 수냉식 냉각구조를 설계하였다. 4 × 4 배열로 구성한 광대역 고출력 송신장치 및 이를 냉각하기 위한 냉각조립체를 제작하였고, 3:1 광대역 주파수 대역에서 평균 59.7 dB 이득, 52.4 W의 출력을 얻었으며, 고출력증폭모듈간 진폭차는 ± 1.7 dB, 위상차는 ± 9° 이하의 특성과 함께 냉각구조에 의하여 일정한 온도 특성을 나타내었고, 광대역에서 동시에 이중신호에 대한 빔조향 성능을 나타내었다. 본 논문의 결과를 바탕으로 고밀도 전장환경에서 다중위협에 대한 동시 대응이 요구되는 전자전장비에 활용할 수 있을 것으로 기대한다.

영어초록

In this study, we designed and fabricated a wide-band high power phased array transmitter using GaN amplifiers for an electronic warfare system. A balanced amplifier structure was adopted to achieve high power output and reduce inter-modulation levels for two simultaneous input signals. A cooling manifold was optimized to enable stable operation of a high-power transmitter, and a 4 × 4 array transmitter with a cooling assembly was manufactured with an average gain of 59.7 dB and an output power level of 52.4 W at each amplifier module. The amplitude and phase differences between amplifier modules were within ± 1.7 dB and ± 9°, respectively. The temperature of each amplifier module was stabilized using a cooling assembly. Furthermore, the radiation emission patterns of the wide-band, high power, phased array transmitter met performance requirements when two simultaneous input signals were applied.

참고자료

· 없음