기판온도가 GZO 투명전도막의 재료평가지수에 미치는 영향 (Effects of Substrate Temperature on Figure of Merit of Transparent Conducting GZO Thin Films)

서지정보

· 발행기관 : 한국전자통신학회
· 수록지 정보 : 한국전자통신학회 논문지 / 18권 / 5호 / 797 ~ 802페이지
· 저자명 : 신현호, 정양희, 강성준

초록

본 연구에서는 펄스 레이저 증착법으로 기판온도에 따른 GZO (Ga2O3:5wt%, ZnO:95wt%) 박막을 유리 기판에 증착하여 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 기판온도에 무관하게 모든 GZO 박막이 c 축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었고, 300℃ 에서 증착한 GZO 박막이 반가폭 0.38° 로 가장 우수한 결정성을 나타내었다. 기판온도가 150에서 300℃ 로 증가함에 따라 GZO 박막의 비저항은 감소하는 경향을 보인 반면에 가시광 영역에서의 평균 투과도는 크게 영향을 받지 않는 것으로 조사되었다. 300℃ 에서 증착한 GZO 박막의 재료평가지수가 2.05×104Ω-1·cm-1 로 가장 우수한 값을 나타내었고, 이때 비저항과 가시광 영역에서의 평균 투과도는 각각 3.72×10-4Ω·cm 과 87.71% 이었다. 본 연구를 통해 GZO 박막이 매우 유망한 투명전도막 재료라는 것을 알 수 있었다.

영어초록

We prepared GZO (Ga2O3:5wt%, ZnO:95wt%) thin film on glass substrate according to the substrate temperature using the pulsed laser deposition method and investigated electrical and optical properties of the thin film. Through the XRD measurements, their were confirmed that all GZO thin films grew preferentially in c-axis and the GZO thin film deposited at 300℃ showed the best crystallinity with a FWHM of 0.38°. As the substrate temperature increased from 150 to 300℃, the resistivity of GZO thin film tend to decrease, while the average transmittance in the visible light region was not significantly affected. The figure of merit of the GZO thin film deposited at 300℃ was 2.05×104Ω-1·cm-1, which was the best value, the resistivity and the average transmittance in the visible light region were 3.72×10-4Ω·cm and 87.71%, respectively. In this study, it was found that GZO thin film is very promising material for transparent conducting thin film.

참고자료

· 없음