플라즈마 표면 처리에 따른 AZO 박막의 특성 변화 (Characterization of AZO Thin Film by Plasma Surface Treatment)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 32권 / 2호 / 147 ~ 150페이지
· 저자명 : 우종창, 김관하

초록

투명 전도성 산화물 전극은 디스플레이, 태양전지, 광전자 소자 등 다양한 분야에서 폭넓게 사용되고 있으나, ITO의 원료 물질의 희소성, 독성, 저온 증착 어려움 등으로 인하여 친환경적이고 경제적이며 비저항이 작고 가시광선 영역에서 높은 투과율을 갖는 도전성 재료를 개발할 필요가 있다.
본 연구에서는 스퍼터링 시스템의 Z-motion을 변화시킴으로써 AZO 박막의 증착율과 균일성을 개선시킬 수 있었으며 O2 플라즈마 표면 처리를 통하여 경시 변화 특성을 억제 시킬 수 있었다. Z-motin 10mm 조건에서 증착 속도는 3.44nm/min이고 균일도는 1.23 %임을 확인하였다. O2 플라즈마 처리에서 박막의 침입 형 금속 원소가 감소되어 산소 결손 감소 및 박막의 구조적 안정화에 기여하기 때문으로 사료된다.

영어초록

There is a need for the development of transparent conductive materials that are economical and environmentallyfriendly with exhibit low resistivity and high transmittance in the visible spectrum. In this study, the deposition rate anduniformity of Al-doped ZnO-thin films were improved by changing the Z-motion of the sputtering system. The depositionrate and the uniformity were determined to be 3.44 nm/min and 1.23%, respectively, under the 10 mm Z-motion condition.
During O2 plasma treatment, the intrusion-type metal elements in the thin film were reduced, which contributed to anoxygen vacancy reduction in addition to structural stabilization. Moreover, the sheet resistance was more easily saturated.

참고자료

· 없음