질화갈륨계 고전자이동도 트랜지스터에 대한 불소계 고분자 보호막의 영향 (Influence of Perfluorinated Polymer Passivation on AlGaN/GaN High-electron-mobility Transistors)

서지정보

· 발행기관 : 한국화학공학회
· 수록지 정보 : Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) / 48권 / 4호 / 511 ~ 514페이지
· 저자명 : 장수환

초록

불소계 고분자 물질인 CytopTM 박막을 간단하고 경제적인 스핀코팅 방법을 이용하여 반도체 표면에 선택적으로 형성시킨 후, AlGaN/GaN HEMT 소자의 반도체 보호막(passivation layer)으로써 활용가능성을 고찰하기 위하여 전기적특성이 분석되었다. CytopTM 보호막이 적용된 AlGaN/GaN HEMT 소자와 적용되지 않은 소자의 게이트 래그 특성이비교되었다. 보호막이 적용된 소자는 dc 대비 65%의 향상된 펄스 드레인 전류를 보였다. HEMT 소자의 rf 특성이 측정되었으며, CytopTM 박막이 적용된 소자는 PECVE Si3N4 보호막이 적용된 소자와 유사한 소자 특성을 나타냈다. 이는 게이트와 드레인 사이에 존재하는 표면상태 트랩의 보호막에 의한 감소에 의한 것으로 판단된다.

영어초록

Perfluorinated polymer(CytopTM) was deposited on selective area of AlGaN/GaN HEMT structure using low cost and simple spin-coating method, and the electrical characteristics of the device was analyzed for application of passivation layer on semiconductors. Gate lag measurement results of CytopTM passivated and unpassivated HEMT were compared. Passivated device shows improved 65 % pulsed drain current of dc mode value. Rf measurements were also performed. CytopTM passivated HEMT have similar rf performance to PECVD grown Si3N4 passivated device. CytopTM passivation layer may play an important role in mitigating surface state trapping in the region between gate and drain.

참고자료

· 없음