용량성과 유도성 섭동구조를 함께 갖는 초고주파 전송선로의 설계 (Design of a Microwave Transmission Line Having Both Capacitive and Inductive Perturbation Structures)

서지정보

· 발행기관 : 한국정보기술학회
· 수록지 정보 : 한국정보기술학회논문지 / 17권 / 6호 / 55 ~ 62페이지
· 저자명 : 임종식, 윤원상, 한상민, 안달

초록

본 논문에서는 용량성과 유도성 섭동구조를 함께 갖는 초고주파 전송선로 구조를 제시하였다. 용량성과 유도성 섭동구조를 얻기 위하여 각각 가유전체 기판구조와 결함 마이크로스트립 구조를 사용하였다. 표준형 전송선로에 비해, 가유전체 기판구조는 다수의 비어홀에 의하여 단위길이당 추가적인 커패시턴스를, 결함 마이크로스트립 구조는 패턴상에 삽입된 결함에 의하여 단위길이당 추가적인 인덕턴스를 제공하므로, 각각 등가적으로 유효유전율과 유효투자율을 증가시켜 전송선로의 길이 축소를 가져온다. 본 연구에서는 비유전율 2.2, 두께 31mils와 5mils인 기판으로 36mils 두께의 전송선로를 구성하여, 표준형 전송선로에 비하여 동일한 전기적 길이일 때 물리적 길이가 크게 줄어든 전송선로를 설계하고, 시뮬레이션과 측정을 통하여 비교 및 검증하였다.

영어초록

The structure of a microwave transmission line having both capacitive and inductive perturbation structures is proposed in this work. The substrate integrated artificial dielectric (SIAD) and defected microstrip structure (DMS) are adopted for the capacitive and inductive perturbation structures, respectively. Compared to the standard transmission line, the SIAD produces the additional capacitance due to the lots of metalized via-holes, and the DMS increased inductance caused by the inserted defective pattern. These structures provide the increased effective permittivity(εr) and permeability(μr), and result in the size-reduced transmission line. In this work, the dielectric substrates with the εr of 2.2 and thickness of 5 mils and 31 mils are adopted for 36-mil-thick SIAD and DMS structures. The length-reduction of the proposed transmission line is verified and compared from the simulation and measurement.

참고자료

· 없음