저온 스퍼터링법으로 증착된 ITO박막의 온도 변화에 따른 구조, 표면 및 전기적 특성 (The Electrical, Optical and Structural Characteristics of ITO Films Formed by RF Reactive Magnetron Sputtering)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 20권 / 1호 / 30 ~ 34페이지
· 저자명 : 이석열, 최재하, 김지수, 정재학, 이임수, 김재열

초록

라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장된 ITO박막의 열처리에 따른 표면구조, 결정, 전기 및 광학적 특성을 조사하였다. 저온에서 증착한 시료를 챔버에서 50℃, 100℃, 150℃, 200℃, 250℃로 2시간 동안 열처리하였다. 열처리에 따른 박막의 결정구조, 전기 및 광학적 특성은 X-선회절 장치, 전자주사현미경, 원자현미경, 저항 측정기를 사용하여 조사하였다. 열처리 온도 150℃에서 450∼900 nm 파장의 평균 투과율이 87% 이상 되었으며, 동일 온도 이상에서 ITO박막의 결정이 형성되었고, 저항이 18 Ωcm로 감소함을 알 수 있었다. 실험결과로 부터 저온 증착된 ITO박막의 전기 및 광학적 특성 향상을 위해서는 적정온도 이상에서의 열처리가 필요하다는 결론을 얻었다.

영어초록

We investigated the structural, electrical and optical characteristics of thin films with ITO deposited by a low temperature RF reactive magnetron sputtering. The deposited thin films were annealed for 2 hours at various temperatures of 50℃, 100℃, 150℃, 200℃ and 250℃ and were analyzed by using X-ray diffractometer, scanning electron microscopy and 4 point probe. The films annealed at temperatures higher than 150℃ were found to be crystallized and their electrical resistance were decreased from 40 Ωcm to 18 Ωcm. The optical transmittance of the film annealed at 150℃ was increased by over 87% in the 450 nm ∼900 nm wavelength range. Our results indicate that the films with ITO deposited at even a low temperature can show better optical and electrical properties through a proper heat treatment.

참고자료

· 없음