A+ 받은 JFET와 증폭기 예비레포트

소개

"A+ 받은 JFET와 증폭기 예비레포트"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험 이론
3. 실험 방법
4. 참고문헌

본문내용

1. 실험목적
(1) JFET의 드레인 전류 에 대한 Drain-Source 전압  , Gate-Source 전압  의 효과를 결정 한다.
(2) JFET의 드레인 특성을 실험으로 측정한다.
(3) JFET의 특성상의 차이점을 알아본다.
(4) Common Source JFET 증폭기의 이득을 측정한다.

2. 실험 이론
양방향 트랜지스터는 두가지 형태의 Carrier(Hole, electron)의 운동에 의해 동작한다. 이와 반대로 한 가지 형태의 Carrier에 의해 동작하는 트랜지스터로는 Field Effect Transistor(FET)가 있다. FET은 높은 입력 임피던스의 전압제어 소자이며, 접합형(JFET, Junction)과 금속산화반도체형(MOSFET, Metal oxide semiconductor)의 두가지 종류가 있다. 두 트랜지스터는 모두 Drain Current 가 Gate Volatge  에 의해 제어되는 전계효과 트랜지스터이다. 아래의 그림 1은 N채널과 P채널 JFET이다.

참고자료

· 대학전자회로실험 p.237~257 / 교문사 / 신인철