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CE 증폭기 설계 예비결과보고서2025.01.021. CE 증폭기 설계 이 실험의 목적은 CE 증폭기를 설계, 구성하고 시험하며, DC bias와 AC 증폭값을 계산하고 측정하는 것입니다. 실험 이론에서는 트랜지스터 선정, 사용 전압 및 전류 범위 설정, 증폭률 설정 등 CE 증폭기 설계를 위한 주요 고려사항들을 다루고 있습니다. 트랜지스터의 정격 전압, 전류, 증폭률 등을 고려하여 적절한 트랜지스터를 선정하고, 사용 전압 및 전류가 트랜지스터의 정격을 초과하지 않도록 설계해야 합니다. 또한 직류 전류 증폭률의 편차를 고려하여 최솟값을 기준으로 증폭률을 설정해야 합니다. 1. C...2025.01.02
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성합니다. RE와 커패시터 변경에 따른 주파수 특성 변화도 확인합니다. 2. RE 변화에 따른 주파수 특성 RE를 ±10% 변경했을 때 overall voltage gain의 최대값, 3dB bandwidth, unity...2025.01.22
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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울산대학교 전기전자실험 6. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성2025.01.121. BJT 단자 검사 BJT의 단자를 구별하기 위해 다이오드의 저항과 임계전압을 이용한 검사를 수행했다. 양(+)단자와 음(-)단자를 연결하여 측정한 결과, 낮은 전압값을 가지는 단자가 컬렉터(C), 높은 전압값을 표시하는 단자가 이미터(E)임을 확인했다. 2. BJT 공통 Emitter(CE) 특성 공통 Emitter 회로에서 베이스 전류를 증가시키면 컬렉터 전류가 증가하는 것을 관찰했다. 이를 통해 베이스 전류를 통해 이미터에 흐르는 전류를 제어할 수 있음을 확인했다. 3. β 변화에 따른 BJT 특성 베이스 전류를 일정하게 ...2025.01.12
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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