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Diode의 회로적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 다이오드는 p-type과 n-type 반도체를 접합시켜 접합부에 diffusion 작용을 통해 Built-in potential이 형성되는 PN 접합 현상을 이용한 소자입니다. 다이오드는 정방향 전압 이상이 인가되면 급격한 전류 증가를 일으키는 특성이 있으며, 이를 통해 정류, 검파, 온도 센서 등 다양한 용도로 사용됩니다. 또한 Zener 다이오드는 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압에서 역방향 전류가 흐르는 특성을 가지고 있습니다. 2. Diode의 회로적 모델링 다이오드는 다...2025.01.12
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PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 실험 결과2025.01.021. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 반도체 소자의 기본 구조로, 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 다른 동작 특성을 보인다. 실험 결과에서는 순방향 바이어스 시 전압이 증가함에 따라 전류가 지수적으로 증가하는 특성을 확인할 수 있었다. 역방향 바이어스 시에는 전압이 증가함에 따라 전류가 미미하게 증가하다가 일정 전압에서 급격히 증가하는 항복 현상이 관찰되었다. 이러한 PN 접합 다이오드의 특성은 정류기, 스위칭 회로 등 다양한 전자 회로에 활용된다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 시 일정 전압...2025.01.02
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[기초전자회로실험]직렬 및 병렬 다이오드 회로2025.04.281. 직렬 다이오드 회로 직렬 다이오드 회로에서는 각각 다이오드의 오프셋 전압 만큼의 전압 강하만 이루어진다. Si 다이오드 2개가 직렬회로에 있다면 1.4V의 전압강하만 이루어진다. 이때 연결된 저항값이 너무 작으면 다이오드가 Short 되어 버린다. 2. 병렬 다이오드 회로 병렬에서는 Si 다이오드가 2개가 병렬 연결 되었다면 그 절반의 전압 강하만 이루어진다. 만약 다이오드의 방향이 서로 반대로 되어있을 경우 순방향 바이어스 전압을 받는 다이오드에 대해서는 오프셋 전압만큼의 전압 강하가 이루어지며, 역방향 바이어스 전압을 받는...2025.04.28
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실험 6 . 다이오드 리미터 회로와 클램퍼 회로의 특성 실험2025.05.111. 다이오드 리미터 회로 다이오드 리미터(limitter)는 다이오드 파형 정형회로로서 클리핑(clipping)회로 또는 슬라이서(slicer)라고 부른다. 입력 신호의 한부분이 잘려나간 것과 같은 출력을 가지게 된다. 클리핑회로는 적어도 다이오드 한 개와 저항 한 개로 구성되고 직류 전원장치가 필요하다. 이때 출력 파형은 직류전원의 크기를 변화시키거나 여러 가지 소자들을 위치를 변화시겼을 때 서로 다른 레벨로 클리핑 시길 수 있다. 따라서 클리핑회로는 직렬 클리핑회로와 병렬 클리핑회로 또 한 바이어스 된 클리핑회로로 구분 할 수...2025.05.11
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험4_결과보고서_클리핑,클램핑회로,제너다이오드,제너정전압조정기2025.05.101. 클리핑 회로 클리핑 회로는 입력 신호의 일부를 제거하여 출력 신호의 진폭을 제한하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 클리핑 회로를 구현하고, 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호가 어떻게 변화하는지 확인하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하여 클리핑 회로의 동작을 이해할 수 있었습니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 신호의 중앙값을 이동시켜 출력 신호의 레벨을 조정하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 정 클램핑 회로와 부 클램핑 회로를 구현하고, 입력 신호와 출력 신호의 평균값을 측정하여 클램...2025.05.10
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전기전자공학실험-클리퍼 & 클램퍼 회로2025.04.301. 클리퍼 회로 클리퍼 회로는 교류 신호의 한 부분을 잘라내고 남은 부분을 왜곡 없이 나타내기 위해 다이오드를 사용한 회로입니다. 직렬 클리퍼와 병렬 클리퍼가 있으며, 각각 (+)전압 또는 (-)전압만 출력하도록 구성할 수 있습니다. 클리퍼 회로는 과도한 전압으로부터 부하를 보호하기 위해 자주 사용됩니다. 2. 클램퍼 회로 클램퍼 회로는 교류 전압에 전압을 더하는 기능을 수행하기 위해 커패시터를 첨가한 다이오드 회로입니다. 커패시터가 충전되어 직류 전압원 역할을 하며, 입력 신호 파형을 일정 레벨로 고정시킬 수 있습니다. 양의 클...2025.04.30
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.04.291. 건전지의 내부 저항 측정 6 [V] 건전지의 전압은 6.37 [V]로 측정되었으며, 이는 건전지 사용에 의해 화학물질이 소비되어 출력 저항이 증가하기 때문에 이를 대비해서 높은 전압으로 설계된 것으로 보인다. 건전지의 내부 저항은 0.848 [Ω]으로 매우 작은 값이 측정되었으며, 실제 회로에서는 이와 유사한 값의 저항을 사용하지 않는 이상 건전지 내부 저항을 고려하지 않아도 된다. 2. Pushbutton switch를 이용한 저항 보호 Pushbutton switch를 통해 짧은 시간만 전력을 공급할 경우 저항이 타는 것을...2025.04.29
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[결과보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. MOSFET Current Mirror 이번 실험에서는 Cascade Current Mirror를 구현 및 측정을 하였다. 크기가 같은 mosfet 이용하여 기존 전 류와 같은 출력전류를 얻을 수 있고, 단일 current mirror보다 출력 저항을 증가시킬 수 있 는 장점을 가지고 있다. Mosfet의 Drain, Source, Gate에 대한 전압, 전류 값을 통해 이들의 차이 값을 이용하여 저 항 값을 확인할 수 있다. 2. 전류 전원회로 설계 특정 전류(Reference current)가 흐를 수 있도록 하는 단일 c...2025.05.10
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BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.01.121. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 저항을 하나 추가한 형태로 만들 수 있으며, 고정 바이어스 회로보다 안정된 동작을 보여준다. 에미터 바이어스 회로에서는 β값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에서 베이스 저항을 콜렉터로 궤환시킨 구조로, 적은 부품을 사용할 수 있으며 안정된 동작을 보여준다. 콜렉터 궤환 바이어스에서는 I_C값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 3. 바이어스 회로 비교 7장과 8장에서 실험...2025.01.12
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전자회로설계실습 5차 예비보고서2025.05.101. BJT와 MOSFET을 이용한 구동(switch) 회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에서는 BJT와 MOSFET 회로의 설계 과정과 계산, 그리고 회로 측정 방법 등을 자세히 설명하고 있습니다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(VF = 2 V, IF = 20 m...2025.05.10
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