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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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AM Radio Receiver 실험설계 결과보고서2025.01.041. AM 복조 회로 AM 복조는 Envelope Detector, Buffer Amp, Attenuator, Push-Pull Amp로 구성됩니다. Envelope Detector는 수신 신호의 포락선을 검출하는 복조 방식으로, 수신 신호를 정류하고 저역 필터를 통해 포락선을 재생합니다. Buffer Amp는 각 회로 간 신호 레벨을 맞추기 위한 증폭기이며, Attenuator는 입력 신호를 원하는 레벨로 낮추는 역할을 합니다. Push-Pull Amp는 상보형 구조로 구성되어 전체 주기의 신호를 얻을 수 있습니다. 2. 증폭기 ...2025.01.04
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Differential Amp 입력단을 포함한 다단 증폭기 설계 프로젝트2025.01.281. Differential Amp 입력단 Differential Amp 입력단은 두 개의 입력 신호를 받아 그 차이를 증폭하는 회로입니다. 이 회로는 공통 모드 잡음을 제거하고 높은 입력 임피던스를 제공하는 장점이 있습니다. 이 프로젝트에서는 Differential Amp 입력단을 포함한 2단 이상의 증폭기를 설계하는 것이 목표입니다. 2. 다단 증폭기 설계 다단 증폭기는 여러 개의 증폭 단계를 가진 회로입니다. 이 프로젝트에서는 Differential Amp 입력단을 포함한 2단 이상의 증폭기를 설계하는 것이 목표입니다. 증폭기...2025.01.28
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소신호 전압 증폭 회로 실험 결과보고서2025.01.041. 소신호 공통이미터 증폭기 이 실험의 목적은 소신호 공통이미터 증폭기의 특성과 동작을 살펴보고, 이득에 영향을 주는 요인을 알아보는 것입니다. 또한 입력 및 출력 신호 간의 위상차가 180°임을 확인하는 것입니다. 실험 결과, 이론값과 실험값 사이에 약간의 차이가 있었지만, 대체로 유사한 결과를 얻을 수 있었습니다. 실험 과정에서 트랜지스터의 방향, 커패시터 연결 방식 등 유의해야 할 점들을 확인할 수 있었습니다. 또한 오실로스코프로는 전류 측정이 어려워 멀티미터로 측정했지만, 예상치 못한 결과가 나와 원인을 분석해볼 필요가 있...2025.01.04
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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험 결과레포트_ 4 옴의법칙2025.05.131. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전류의 세기가 두 점 사이의 전위차에 비례하고 전기저항에 반비례한다는 법칙입니다. 이 실험에서는 저항의 전압과 전류를 측정하고 이들 사이의 관계를 그래프로 그려 옴의 법칙을 확인하였습니다. 또한 전압과 전류를 이용하여 저항의 값을 구할 수 있었습니다. 2. 전류-전압 그래프 실험에서 측정한 전압과 전류 데이터를 이용하여 전류-전압 그래프를 그렸습니다. 그래프 결과 일차함수와 유사한 형태의 그래프가 나타났는데, 이는 옴의 법칙에 따라 전압과 전류가 비례관계를 가지기 때문입니다. 3. 저항 측정 실험에서는 ...2025.05.13
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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에너지변환실험 A+레포트_차등증폭기2025.01.131. 단일입력 차동 증폭기 단일입력 차동 증폭기의 출력파형을 입력파형과 비교하고, 위상관계를 살펴본다. 서로 반대의 위상을 갖거나, 차동모드인 두 입력에 대한 차동 증폭기의 출력파형을 관찰하고, 입력파형과의 위상관계를 살펴본다. 2. 차동 증폭기의 출력파형 두 입력신호에 대한 차동 증폭기의 출력파형을 관찰한다. 3. 차동 증폭기의 전압이득 차동 증폭기의 전압이득을 확인한다. 4. 차동 증폭기의 구조 차동 증폭기는 두 개의 입력과 하나의 출력을 갖는 두 개의 트랜지스터로 구성되어 있다. 트랜지스터와 컬렉터의 부하저항으로 브리지를 구성...2025.01.13
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