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재료공학기초실험(1)_면저항실험_반데르발스_4point probe2025.05.101. 면저항의 정의 얇은 박막의 저항을 측정하는 것이다. (박막: 두께가 1마이크로 내외) R = (ρ/τ)(L/W) = Rs(L/W) (R=V/I) Rs = (ρ/τ) * 비저항(ρ) : 단위면적당 단위길이당 저항이다. 즉, 가로, 세로, 높이의 길이를 모두 1cm로 통일한 후 resistivity를 구하는 것이다. 비저항의 의의는 똑같은 크기로 만들어서 서로 다른 재료간의 저항을 비교할 수 있다는 것이다. 2. Van der pauw's method 대표적인 면저항 측정 방법 중 하나로, A와 B에 전류를 흘리고, C와 D에 전...2025.05.10
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전자회로설계실습 5번 예비보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 이용한 LED 구동회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(2V, 20mA) LED를 구동하는 회로를 설계하고, 이를 위해 필요한 저항 값들을 계산하고 있습니다. 또한 MOSFET 2N7000을 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET의 특성을 이용...2025.01.20
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직류회로에서의 계산2024.12.311. 브릿지 회로 브릿지 회로는 주로 휘이트스톤 브릿지 회로를 통해 미지의 저항값을 측정하는 데 사용됩니다. 4개의 저항값이 적절한 균형을 이루면 a-b 단자 사이의 전압과 단락전류가 0이 되며, R1*Rx=R2*R3 관계식을 이용하여 미지의 저항을 구할 수 있습니다. 2. Y-Δ 상호 변환 Y(와이)회로와 Δ(델타)회로는 서로 등가회로 관계에 있습니다. 이를 통해 회로 분석을 보다 쉽게 할 수 있으며, 합성저항과 각 부분의 전위 및 전류를 손쉽게 구할 수 있습니다. 3. 중첩의 정리 회로에 여러 개의 전원이 있는 경우, 중첩의 정...2024.12.31
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재료역학 ) 축하중 부재는 b점에서 의 집중하중2025.01.201. 축하중 부재 그림의 축하중 부재는 b점에서 10kN의 집중하중을 받고 있다. 부재의 단면적은 1,000 TIMES 10 ^{-6}m ^{2}이고, 재료의 탄성계수는 E=200GPa이다. 2. 내력 계산 ab 구간에서의 내력은 b 점에서의 하중과 a 점에서의 내력으로 구성된다. a 점에서의 내력은 0이므로, b 점에서의 내력만 고려하여 계산한다. b 점에서의 내력은 외력과 반작용하는 내력으로 나눌 수 있다. 외력은 10kN이고, 반작용하는 내력은 -10kN이 된다. bc 구간에서의 내력도 마찬가지로 계산할 수 있다. bc 구간에...2025.01.20
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[기초전자실험 with pspice] 09 노턴의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 노턴의 정리 노턴의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전류원 및 병렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의됩니다. 이렇게 만들어진 회로를 노턴 등가회로라 합니다. 노턴 등가회로는 전류원과 저항을 병렬로 연결되게 만드는데, 이는 전류분배법칙은 병렬연결에서 사용되기 때문에 병렬로 등가회로를 만들면 전류분배공식으로 외부에 연결되는 저항에 흐르는 전류의 크기를 구할 수 있기 때문입니다. 2. 노턴 등가회로 구하는 과정 노턴 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같습니다: (1) 부하저항을 제거하고, 단락된 단자 a와 b를 ...2025.04.28
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인하대 VLSI 설계 4주차 XOR2025.05.031. XOR Gate XOR Gate는 두 입력 값이 서로 다른 경우 1을, 서로 같은 경우 0을 출력하는 gate로 배타적 논리합이라고도 한다. 이를 나타내는 진리표를 보면 입력 신호가 서로 같을 경우 0, 서로 다를 경우(배타적인 경우) 1이 출력됨을 알 수 있다. 이 진리표를 토대로 카르노맵을 그려서 입력식을 구하면 X = AB' + A'B가 나온다. 2. Transistor level layout transistor level layout을 그리는 과정을 살펴보면 NMOS network에 A와 B를 직렬 연결해 AB, A'과...2025.05.03
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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기초 회로 실험 제 6장 직류의 측정(예비레포트)2025.01.171. 저항 저항은 전기회로에서 전류가 흐르는 것을 방해하는 전기적 요소입니다. 자유전자가 잘 이동하지 못하게 하는 역할을 하며, 단위는 Ω입니다. 저항 값은 저항기의 허용 범위 내에서 조정할 수 있습니다. 2. 전압 전압은 보통 단위 전하 당 일의 변화율을 말하며 단위는 [V]입니다. 회로 이론에서는 한 소자와 연결되어 있는 노드들의 전위차라고 설명할 수 있습니다. 배터리나 전원공급기 역할을 수행하는 전압원의 전압은 독립적으로 회로에서 발생시킬 수 있습니다. 3. 전류 전류는 단위가 [A]이며, 전압의 값과 저항에 의해 결정됩니다....2025.01.17
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.01.041. 센서 구현 실험을 통해 센서의 구현 과정을 확인하였다. Function generator를 이용하여 정현파 신호를 생성하고, 이를 증폭기 회로에 입력하여 출력 신호를 측정하였다. 입력 신호의 크기와 주파수를 조절하여 예상한 결과와 일치하는지 확인하였다. 또한 입력 신호가 증폭기 회로를 통과하면서 발생하는 전압 강하와 위상 차이를 분석하였다. 2. Inverting Amplifier 동작 Inverting Amplifier 회로를 구현하고 실험을 진행하였다. 입력 신호와 출력 신호를 동시에 관찰하여 이득을 확인하였고, DC 및 ...2025.01.04
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