
총 132개
-
직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서2025.01.061. 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합하여 만든 2극 반도체 소자인 다이오드에 대해 설명합니다. 다이오드의 구조와 작동 원리를 설명하고 있습니다. 순방향 전압을 인가하면 N형 반도체의 전자가 P형 반도체로 이동하고, 정공이 N형 반도체로 이동하여 전류가 흐르게 됩니다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 회로 직렬 또는 병렬로 연결된 다이오드 회로를 해석하고, 회로 전압을 계산하고 측정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 다양한 다이오드 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 다이오드 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반...2025.01.06
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
-
[화공생물공학실험] 광촉매 이용 반응속도 상수 측정 실험 예비레포트2025.01.191. TiO2 광촉매를 이용한 유기물 분해 반응 이 실험의 목표는 TiO2 광촉매를 이용해 유기물 분해 반응의 메커니즘을 이해하고, 반응의 특성을 분석하는 것입니다. 이를 위해 methylene blue 용액에 TiO2를 첨가하고 자외선을 조사하면서 반응 시간에 따른 methylene blue 농도 변화를 측정하여 반응속도 상수와 반응 차수를 계산하는 방법을 학습합니다. 2. 반응속도 상수 및 반응 차수 계산 이 실험에서는 흡광도 측정을 통해 미지시료의 methylene blue 농도를 구하고, 이를 바탕으로 반응속도 상수와 반응 ...2025.01.19
-
홀 효과(Hall effect) 측정 실험 레포트2025.05.081. 홀 효과 홀 효과 측정 실험을 통해 금속이나 반도체와 같이 전도성이 있는 소재의 전기적 물성을 측정할 수 있다. 홀 효과의 원리는 자기장과 전류의 상호작용으로, 자기장 내에서 전류가 흐르면 로런츠 힘에 의해 전하 운반자가 특정 방향으로 쏠려 전위차가 발생하게 된다. 이를 통해 전하 운반자의 종류, 전하 밀도, 이동도 등을 구할 수 있다. 2. p-type 반도체 실험 결과 해당 시편은 정공이 주요 운반자인 p-type 반도체로 확인되었다. p-type 반도체는 n-type 반도체와 PN 접합을 형성하며, 태양 전지 등 광 전극...2025.05.08
-
A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
-
다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
-
전기전자공학실험-발광 및 제너 다이오드2025.04.301. 발광 다이오드 발광 다이오드는 이름이 함축하는 바와 같이 충분한 에너지를 받았을 때 가시광선을 내는 다이오드이다. 순방향으로 바이어스된 p-n 접합에 있어서, 접합부에서는 정공과 전자의 재결합이 일어난다. 재결합은 구속되지 않은 자유전자가 가지고 있는 에너지가 다른 상태로 전달되는 것을 필요로 한다. GaAsP나 GaP와 같은 LED 재료에서 빛 에너지의 광자가 눈에 보이는 가시광원을 생성하기에 충분한 수로 방출된다. 이것이 소위 전계발광(electroluminescence)과정이다. 모든 LED에 대하여 밝고, 선명하고, 또...2025.04.30
-
트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
-
전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
-
나노결정 태양전지의 제작 예비2025.05.091. 반도체 태양전지 반도체 태양전지는 태양열(가시광선)의 흡수, 즉 에너지에 의해 p형 반도체에서는 정공이 발생하고, n형 반도체에서는 전자가 발생하는 반응을 이용한다. p-n 접합에 의해 발생한 정공과 전자는 반도체를 통해서 서로 이동하며 전류를 운반할 수 있게 된다. 반도체 태양전지의 경우 사용되는 재료에 따라 반도체 단결정(single crystalline) 태양전지와 반도체 다결정(polycrystalline) 태양전지로 구분할 수 있다. 단결정 태양전지는 고체의 실리콘이 모두 균일한 방향으로 배열되어 있어 20% 이상의 ...2025.05.09