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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계2025.04.301. Push-Pull Amplifier 특성 설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계목적: RL=100Ω, Rbias=1kΩ, VCC=12V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험한다. 그림 1(a) 회로를 simulation 하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 simulation하여 입...2025.04.30
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[전자공학응용실험]3주차_1차실험_실험11 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기의 동작 원리와 특성을 설명하고 있습니다. 입력 전압에 따른 MOSFET의 동작 영역(차단, 포화, 트라이오드)과 각 영역에서의 드레인 전류 및 출력 전압 특성을 수식으로 표현하고 있습니다. 또한 MOSFET의 소신호 등가회로를 이용하여 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하는 방법을 설명하고 있습니다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET을 선형적인 증폭기로 동작시키기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호 전압을 동시에 인가하는 방법을 설명하고 있습니다. 이를 통해 MOSFET의 소신호 ...2025.01.29
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아주대 A+기전실 3주차 결과보고서2025.01.121. 직렬-병렬 직류 회로 실험에서는 12V의 전압을 가하여 저항마다 흐르는 전류, 전압값을 측정하며, 키르히호프의 전압법칙과 전류 전압 분배 법칙을 확인하였다. 실험결과, R2에 흐르는 전류인 I2와 R3에 흐르는 전류 I3가 같았다. 이는 KCL을 사용하여 볼 수 있었는데 0.0046%의 작은 오차가 나왔으며 실험이 성공적으로 진행되었음을 알 수 있다. 실험을 통해 통해 IS = I1 + I2 가 성립함을 확인할 수 있었다. 따라서 병렬로 연결된 회로 내에서 직렬로 연결된 두 소자의 전류는 변하지 않기에 전류 분배 법칙이 성립함...2025.01.12
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전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
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Differential Amp 입력단을 포함한 다단 증폭기 설계 프로젝트2025.01.281. Differential Amp 입력단 Differential Amp 입력단은 두 개의 입력 신호를 받아 그 차이를 증폭하는 회로입니다. 이 회로는 공통 모드 잡음을 제거하고 높은 입력 임피던스를 제공하는 장점이 있습니다. 이 프로젝트에서는 Differential Amp 입력단을 포함한 2단 이상의 증폭기를 설계하는 것이 목표입니다. 2. 다단 증폭기 설계 다단 증폭기는 여러 개의 증폭 단계를 가진 회로입니다. 이 프로젝트에서는 Differential Amp 입력단을 포함한 2단 이상의 증폭기를 설계하는 것이 목표입니다. 증폭기...2025.01.28
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응전실1_전기기기제어용발진회로_예비보고서2025.01.131. 555 타이머 555 타이머는 1972년 처음 시판된 시간 조정용 신호 발생기 회로로 가장 널리 사용되는 소자입니다. 555 타이머의 내부 구성은 R-S 플립플롭, 두 개의 비교기, 그리고 저항 및 커패시터로 이루어져 있습니다. 이를 통해 다양한 타이밍 펄스를 발생시킬 수 있으며, 4.5~16V의 넓은 전압 범위에서 동작할 수 있습니다. R-S 플립플롭의 입출력 관계는 표 7-1과 같으며, 두 입력이 모두 제거되어도 출력이 유지되는 특징이 있습니다. 1. 555 타이머 555 타이머는 매우 유용한 전자 회로 구성 요소입니다. ...2025.01.13
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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 3. 스텝 모터 구동기2025.04.291. 단극 스텝 모터 단극 스텝 모터(Uni-polar step motor)의 동작 원리를 이해하고 스텝 모터를 조종하기 위한 범용 이동 레지스터(Universal shift register)의 사용 방법을 배운다. 이를 바탕으로 BJT 트랜지스터와 범용 이동 레지스터를 이용하여 스텝 모터 구동기를 설계한 후 그 동작을 확인한다. 2. 범용 이동 레지스터 74LS194 범용 이동 레지스터 74LS194의 데이터시트를 분석하여 동작을 예상한다. 데이터시트에 따르면 CLR, S0, S1 신호에 따라 출력 QA, QB, QC, QD가 초...2025.04.29
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.131. 저항 저항의 목적은 다양하게 있다. 첫 번째로 전압을 분배하는 것이다. 전력의 일부를 소비하지만 외부 회로 혹은 시스템이 정상적으로 작동할 수 있게 전위차를 발상시킨다. 두 번째로 바이어싱이다. BJT, FET, TR, 전자관에서는 바이어스가 한쪽 극 또는 접지 반대 부분 극에 의도하여 직류 전압을 가한다. 저항기 회로는 바이어스 기능을 수행할 수 있게 한다. 세 번째로 전류의 제한이다. 무선 신호를 수신하게 설계된 민감한 증폭기에 활용되거나 전원 공급기, 배터리 출력과 직렬로 연결이 이루어진 전류의 제한이다. 트랜지스터가 과...2025.05.13
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