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[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 1. 초전형(Pyroelectric) 적외선 센서2025.04.291. 초전형 적외선 센서 이 실습에서는 초전형 적외선 센서, LED, Op-Amp의 원리를 이해하고, 센서가 인체의 움직임을 감지하였을 때 발생하는 전압의 변화를 검출할 수 있는 초전형 센서 회로를 설계하는 것이 목적입니다. 실습에 필요한 부품으로는 초전형 적외선 센서 RE200B, Op-Amp UA741CN, LED, 커패시터, 저항, 가변저항 등이 사용됩니다. 회로 설계 과정에서는 High-Pass Filter, 2-stage 반전증폭기, LED 점등 회로 등을 구현하게 됩니다. 1. 초전형 적외선 센서 초전형 적외선 센서는 적...2025.04.29
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MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_예비레포트2025.01.121. Common Drain 회로 Common Drain 회로는 입력 신호가 Gate에 인가되고 Source에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Drain이 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 Common Drain 증폭기라 한다. DC Analysis를 통해 Gain을 얻을 수 있고 이를 T-Model 해석에 이용하면 Gain은 약 1이 된다. 따라서 Common Drian 회로는 Gain이 1인 비반전 회로가 되며 Source follower라 부르기로 한다. Common Drain 회로는 Gain이 1이므로 입력...2025.01.12
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(A+자료) 아날로그회로실험 텀프로젝트 OP-AMP를 이용한 차량 주차 안전 시스템2025.04.271. 단위 이득 플로어 단위 이득 플로어의 회로는 비반전 입력단에 5V를 인가해주어 항상 VCC가 출력되도록 만들었음. 단위 이득 플로어의 특징은 Av=1, Rif=(1+A0)Ri, Rof=R0/1+A0로, 이득이 1이기 때문에 입력값이 출력값과 같음. 단위 이득 플로어는 버퍼로 작동하며, 이를 통해 출력단에 있는 다른 비교기와 소자에 영향을 받지 않고, 일정한 출력을 내보낼 수 있으며, 출력 임피던스가 낮아짐. 2. 비교기 OP Amp의 매우 큰 증폭률이 매우 큰 점을 이용하는 회로임. Vi가 양의 값이면 Vo에는 양의 전원전압이...2025.04.27
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아주대학교 A+전자회로실험 실험4 예비보고서2025.05.091. 정궤환 회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용하여 정궤환 회로를 구성하고, 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로, 사각파 발생 회로의 구성과 역할에 대해 알아보는 것입니다. 회로를 구성하여 각 경우에 대한 V_TL, V_TH, +V_sat, -V_sat을 측정하여 이들이 의미하는 바를 알아보고, 이론에서 배운 내용을 실험을 통해 증명하는 것이 목표입니다. 2. 슈미트 트리거 회로 슈미트 트리거 회로는 일반적인 소자(V_ILmax, V_IHmin)와 다르게 V_TL, V_TH라는 threshold가 있습니다. 출력이 ...2025.05.09
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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report2025.01.121. MOSFET MOSFET은 전압 제어용 소자로 Gate, Source, Drain의 3 단자로 구성되어 있습니다. Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain의 전류 흐름을 제어할 수 있으며, 제작 방식에 따라 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET으로 구분할 수 있습니다. 본 실험에서는 Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 I-V 특성을 분석하였고, On-off ratio, Threshold Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상 등을 확인하였습니다....2025.01.12
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OP-amp를 이용한 voltage follower' 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. Inverting Amplifier 실험 1에서는 입력전압을 교류로 사용했을 때 반전 회로에서 증폭과 파형의 변환이 동시에 일어났습니다. 함수 발생기의 출력주파수가 1kHz일 때는 op-amp의 최대 출력보다 높은 값을 출력할 때 최댓값 부근의 파형이 잘리는 clipping현상이 일어났고, 10kHz일 때는 고주파가 slew rate의 제한을 받아 파형이 오른쪽 부근이 찌그러졌습니다. 2. Non-inverting Amplifier 실험 2에서는 비반전 회로에서 증폭됐지만 파형이 바뀌지 않았습니다. 함수 발생기의 출력주파수가 ...2025.01.03
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전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역방향 바이어스 상태에 있어야 한다. 게이트에 양의 전압이 인가되면 n형 채널이 형...2025.01.13
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