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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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아날로그 및 디지털회로설계실습 7장 결과보고서2025.01.041. 논리 게이트 구현 및 동작 실험을 통해 AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR 게이트의 진리표와 등가회로를 작성하고 입출력 전압을 측정하였다. NAND 게이트만을 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성하였으며, 3입력 NAND 게이트의 등가회로도 구현하였다. 2. 게이트 소자의 시간 지연 특성 AND 게이트와 OR 게이트를 여러 개 직렬로 연결하고 오실로스코프로 입출력 신호를 측정하여 시간 지연을 확인하였다. AND 게이트의 경우 한 stage당 rise time delay 5.5...2025.01.04
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R, L, C 소자의 특성_결과레포트2024.12.311. R, L, C 소자의 특성 이번 실험에서는 입력 전압과 콘덴서 전압, 인덕터 전압의 위상차를 비교하여 실험을 진행하였습니다. 위상차가 약 90도로 나타났습니다. 교류 전원에서의 콘덴서와 축전기는 전류의 흐름을 방해하며, 콘덴서는 전하를 저장했다가 방출하는 역할을 합니다. 인덕터는 코일을 감은 형태로, 원리는 유도기전력에 의한 것입니다. 이에 의한 특성으로 콘덴서와 인덕터는 sin, cos의 사인함수 성분을 가져 위 실험에서 입력전압과 콘덴서 전압, 인덕터 전압의 위상차가 약 90도로 나타난 것으로 볼 수 있습니다. 1. R, ...2024.12.31
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일반물리학실험2 RLC회로/실험 목적, 실험 이론, 실험 결과 및 분석, 고찰, 오차 분석, 결론2025.01.241. RLC 회로 RLC 회로에서 교류전압을 걸어주었을 때 회로의 전류 및 각 단자에 걸리는 전압을 측정하여 임피던스를 구하고 이를 이론값과 비교하는 실험을 수행했습니다. 실험 결과, 임피던스의 상대오차가 300% 이상으로 계산되어 이론값과 큰 차이가 있었습니다. 오차의 주요 원인은 인덕터 코일의 저항을 고려하지 않았기 때문인 것으로 분석되었습니다. 2. 임피던스 계산 RLC 회로의 임피던스 Z는 Z = √(R^2 + (ωL - 1/ωC)^2)로 계산할 수 있습니다. 이 공식을 이용하여 각 소자의 전압과 전류의 관계를 분석하고 임피...2025.01.24
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울산대학교 전기실험예비레포트 5장 망로 전류 및 마디 전압을 이용한 회로해석2025.05.151. 선형 회로 소자 선형 회로 소자인 저항기는 전압이 2배 증가하면 전류도 2배 증가하고, 전압이 2배 감소하면 전류도 2배 감소하는 특성을 가지고 있다. 이러한 선형 특성을 이용하여 회로 해석을 할 수 있다. 2. 망로 전류 방법 망로 전류 방법은 폐회로에 대해 Kirchhoff의 전압 법칙(KVL)을 이용하여 연립 방정식을 세우고 해를 구함으로써 회로의 전류를 구하는 방법이다. 이 방법은 회로가 복잡할 경우 계산 과정을 간소화할 수 있다. 3. 마디 전압 방법 마디 전압 방법은 Kirchhoff의 전류 법칙(KCL)을 이용하여...2025.05.15
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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LED의 소신호 모델 분석 및 특성2025.05.111. LED 소신호 모델 LED 소자의 전기적 등가회로에서 Rs, Cp, Rj 등의 요소가 갖는 물리적 의미를 설명하였습니다. Rs는 소자 내부의 전력 손실을 의미하며, Cp는 고주파 신호의 커플링 차단 효과를 조절하는 역할을 합니다. Rj는 출력 임피던스의 실수부와 허수부를 조절하는 중요한 저항 매개변수입니다. 2. 임피던스 측정 및 캘리브레이션 임피던스 측정을 위한 Spectroscopy 실험에서 파장이나 진폭이 다른 물질이나 요소에 민감하게 반응하기 때문에, 작은 변화에도 큰 오차가 발생할 수 있습니다. 따라서 이러한 오차를 ...2025.05.11
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET의 스위치 기능을 이용하여 LED를 on/off시키는 회로를 설계하고 구현하였다. BJT의 경우 emitter에 LED를 연결하거나 inverter 회로를 구성하여 입력 전압에 따라 LED가 켜지고 꺼지는 것을 확인하였다. MOSFET의 경우 triode 영역에서 동작하도록 설계하여 LED를 구동하였고, MOSFET의 커패시터 특성을 이용한 실험도 진행하였다. 실험 결과 이론값과 실측값 사이에 최대 36%의 오차가 발생하였는데, 이는 소자의 특...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
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