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[기초전자실험 with pspice] 14 인덕터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 인덕터 인덕터의 종류와 특성을 배우고, 인덕터의 직렬 및 병렬연결 특성을 실험할 수 있다. 또한, 주파수 및 인덕터 용량에 따른 유도성 리액턴스의 변화를 실험할 수 있다. 인덕터는 코일이라고도 하며, 구리선과 같은 도선을 나선 모양으로 감아서 만든다. 코일에 교류전류가 흐르면 자계가 생기며 자계는 전류의 변화에 비례한다. 자계에 의해 전류 흐름을 방해하는 유도전압이 생기며, 이 유도전압은 전류 흐름을 방해하므로 '역기전력'이라고도 한다. 즉, 인덕터는 자계 및 유도전압의 형태로 에너지를 저장하는 소자로 볼 수 있다. 인덕터가 ...2025.04.28
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[경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트2025.05.101. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드의 특성) 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로 V=IR로 표현된다. 일반적인 저항체의 경우 양단에 걸리는 전압 V와 저항에 흐르는 전류 I가 비례한다. 반면에 반도체를 이용한 트랜지스터나 다이오드의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 크기나 방향에 따라 달라진다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류를 직류로 변환하는데 쓰인다. 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류-전압 특성으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다. 2. 키르히호프(K...2025.05.10
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반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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Semiconductor Op Amp 실험 보고서 (A+)2025.01.241. OP AMP(Operational Amplifier 연산 증폭기) OP AMP는 가장 큰 전압 이득을 가지며 +입력단자와 입력단자 간의 전압 차를 이용한 증폭기이다. OP AMP는 입력단자, +입력단자, 정측 전원단자, 부측 전원단자, 출력 단자 총 5개의 단자로 구성되어 있다. 2개의 입력단자 중에 입력단자에 입력 신호를 가하면 입력과는 반대되는 상태의 신호가 출력되고, +입력단자에 입력 신호를 가하면 같은 상태의 신호가 출력된다. 따라서 입력단자를 반전 입력, +입력단자를 비반전 입력이라 칭한다. 2. 반전 증폭기 반전 증...2025.01.24
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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BJT 기본 특성 실험 결과 보고서2025.01.291. NPN형 BJT의 전류-전압 특성 NPN형 BJT는 베이스-에미터 전압 VBE가 약 0.7V 이상일 때 동작을 시작한다. 이때 베이스 전류 IB가 흐르며, 이 작은 전류로 큰 콜렉터 전류 IC를 제어할 수 있다. 콜렉터 전류는 베이스 전류의 증폭된 값으로, IC = βIB의 관계를 따른다. 출력 전압 VO는 공급 전압 VCC에서 콜렉터 저항 RC에 의해 결정되며, VO = VCC - ICRC로 계산된다. 콜렉터 전류가 커지면 출력 전압이 줄어들어 트랜지스터는 출력 전압을 제어할 수 있다. 2. PNP형 BJT의 전류-전압 특성...2025.01.29
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옴의 법칙 측정값 및 계산2025.04.261. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항과 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 탄소저항은 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 다이오드는 옴의 법칙을 만족하지 않는다는 것을 확인하였다. 특히 발광 다이오드에서는 빛이 나오는 현상을 관측할 수 있었고, 빛이 나오는 시간과 발광 조건에 대해서도 추정할 수 있었다. 2. 탄소저항 실험 1에서 33Ω와 100Ω의 탄소저항을 사용하여 옴의 법칙 만족 여부를 확인하였다. 실험 결과 33Ω의 경우 3.03%의 오차율을 보여 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 100Ω의 경우 5.5%의 오차율을 보여 ...2025.04.26
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적외선 정수기 텀프로젝트 아날로그 실험 및 설계2025.04.251. 적외선 센서 (TCRT-5000) 적외선 센서 TCRT-5000을 사용하여 물체 감지 기능을 구현하였습니다. 센서 민감도 향상을 위해 4.7K옴 저항을 연결하였고, 정수기 거리 조절을 위해 가변저항을 사용하였습니다. 2. 비교기 (LM324) 비교기 LM324를 사용하여 타이머 기능을 구현하였습니다. 물체가 감지되면 릴레이 코일에 전류가 흘러 접점이 변하고, 이때 비반전 단자에 전압이 흐르게 됩니다. 연산증폭기에 병렬로 연결된 커패시터가 타이머로 작용하여 전하가 충전되고, 충전이 완료되면 비교기에 의해 모터가 멈추게 됩니다. ...2025.04.25
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