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[일반화학실험] PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄 예비 레포트2025.05.021. 미세접촉 인쇄 미세접촉 인쇄는 릴리프 무늬를 가진 탄성 중합체의 도장에서 도장이 접촉된 부분의 기질로 물질이 이동하는 과정을 나타낸다. 이 과정에서 알케인싸이올이 찍힌 부위에 피브로넥틴이 선택적으로 흡착되고, 이는 도장이 찍힌 부위에 세포들이 선택적으로 부착할 수 있게끔 한다. 2. 자기조립 자기조립은 무질서하게 존재하는 물질들이 일정한 규칙으로 인해 제어된 구조체를 형성하거나 물질들이 일정한 양식으로 배치되는 현상을 나타낸다. 자기조립에는 반데르발스 힘과 수소 결합 등 느슨한 상호작용이 주로 개입하며, 이를 통해 형성된 유기...2025.05.02
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삼성전자의 과거와 미래2025.05.011. 삼성전자의 역사 삼성전자의 역사는 1938년 이병철이 대구에서 작은 무역회사를 시작한 것으로 거슬러 올라간다. 처음에는 건어물, 과일, 채소를 중국에 수출하는 데 주력했으나, 1953년에 제당소와 섬유공장을 설립하고 1969년에는 삼성전자 주식회사를 설립하면서 전자산업에 진출했다. 초기 전자 사업에는 흑백 텔레비전 생산이 포함되었고, 1980년대에는 개인용 컴퓨터와 메모리 칩을 제조하고 수출하기 시작했다. 1990년대와 2000년대에 걸쳐 삼성은 신기술 개발과 혁신적인 제품 생산에 주력하면서 세계 전자 시장에서 입지를 계속 넓...2025.05.01
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반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함2025.01.181. 반도체 기본 특성 반도체의 기본적인 특성에 대해 설명하고 있습니다. 마이크로 패브리케이션 공정을 활용한 집적회로, MEMS 센서, 태양광 패널 등의 예시를 제시하고 있습니다. in-plane과 out-of-plane의 차이, 트랜지스터의 발전, 무어의 법칙, 반도체 8대 공정 등을 다루고 있습니다. 또한 클린룸 시설의 중요성과 기준, 실리콘 웨이퍼 직경 증가 추세와 그에 따른 이슈 등을 설명하고 있습니다. 2. 3D 반도체 트렌드 집적도를 높이기 위해 웨이퍼 표면에 수직방향으로 소재를 쌓아올리는 3D 반도체 기술에 대해 설명하...2025.01.18
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경제학개론 ) (자신이 분석하고자 하는 제조업 중 어느) 00산업의 최근 동향과 경쟁력 강화방안에 대해 논하시오.2025.04.261. 반도체 산업 최근 동향 반도체는 메모리반도체와 시스템반도체로 크게 두 가지로 나누어서 설명할 수 있다. 먼저 메모리반도체의 최근 동향은 다음과 같다. 2022년 메모리반도체 시장을 수요의 관점에서 보면 메모리 반도체는 시장 수요가 매우 높은 상태로 고정된지가 오래되다보니 가격변동이 거의 없는 편이라고 할 수 있다. 메모리반도체의 2022년 상반기를 보면 수요기업에서 메모리반도체 재고소진 등이 있어서 수요가 둔화됐었다. 하지만 메모리반도체는 5G, AI 등에 필수적으로 활용되기 때문에 수요문제에서는 견인하다고 할 수 있다. 즉,...2025.04.26
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다이오드 정류기 실험 보고서2025.04.271. 다이오드 정류기 이 보고서는 다이오드 정류기 실험에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험 결과 데이터를 정리하고, 오차 원인을 분석하며, 가산기와 감산기 실험 결과를 확인하였습니다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 가산기와 감산기의 작동을 확인할 수 있었습니다. 1. 다이오드 정류기 다이오드 정류기는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 중요한 전자 회로 구성 요소입니다. 이 장치는 전력 공급 장치, 전자 기기, 통신 시스템 등 다양한 분야에서 널리 사용됩니다. 다이오드 정류기는 단순한 구조와 작동 원리를 가지고 있지만, 효율적이고...2025.04.27
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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사이리스터 예비보고서2025.01.121. 사이리스터의 구조 사이리스터는 p-n-p-n 접합의 4 층으로 이루어진 반도체 소자이다. 반도체 소자의 일종으로 반도체 스위치로 취급한다. 다이오드와 형태가 비슷하지만 다이오드보다 핀 하나가 더 있으며, 그 핀으로 인해 정방향 뿐만 아니라 역방향으로도 전류가 흐르게 만들면서 교류를 생산할 수 있다. 2. 사이리스터의 동작원리 사이리스터는 제어단자(G, Gate)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A,Anode)과 음극(K,Cathode) 사이를 도통시킬 수 있는 3 단자의 단방향 반도체 소자이다. 게이트에 일정한 ...2025.01.12
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D램과 낸드플래시 반도체의 공통점과 차이점2025.04.301. D램과 낸드플래시 반도체의 차이 D램은 전원이 꺼지면 저장했던 정보가 사라지는 휘발성 메모리이지만, 낸드는 전원이 꺼져도 정보가 남아있는 비휘발성 메모리이다. 또한 데이터 처리 속도도 D램이 더 빠르다. 두 제품이 상호 보완적인 역할을 한다. 2. 새로운 메모리 개발 시도 D램과 낸드플래시의 장점만 뽑아 새로운 메모리를 선보이려는 시도들이 과거부터 있었다. 이는 두 제품의 단점을 보완하고자 하는 노력으로 볼 수 있다. 1. D램과 낸드플래시 반도체의 차이 D램(Dynamic Random Access Memory)과 낸드플래시(...2025.04.30
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