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[ 기초전자공학 ][ 한국공학대 ] 트랜지스터 실습12025.01.041. 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰 이번 실습에서는 바이폴라 트랜지스터의 특성을 관찰하였습니다. 회로를 브레드보드에 구성하고 오실로스코프를 사용하여 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 간 전압, 콜렉터 전류, 특성곡선을 관찰하였습니다. 바이폴라 트랜지스터의 특성곡선은 Si 다이오드의 전압-전류 특성곡선과 유사하지만, 포화영역이 존재한다는 차이점이 있습니다. 2. 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성 관찰 실습 6.2에서는 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성을 관찰하였습니다. 오실로스코프를 사용하여 베이스 전류와 콜렉터 전류를 관...2025.01.04
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET은 전자전기공학에서 중요한 소자로, 증폭 기능과 스위치 기능을 가지고 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 전기적 특성을 실험적으로 이해하고자 하였다. 실험 결과, source는 ground, Vds=5V로 고정하고 Vgs를 증가시키면서 drain current Id를 측정하였다. Vgs가 2.2V일 때 약 1mA의 전류가 측정되어 이를 threshold voltage Vth로 확인하였다. 측정값들을 Id-Vgs 특성곡선으로 나타내었고, Vgs가 증가함에 따라 Id도 증가하는 것을 확인하여...2025.04.30
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기초회로실험 KCL 실험 결과보고서2025.04.291. 직렬 회로 실험 직렬 회로 실험은 온라인으로 진행되었기 때문에 실제 실험실에서 전기 기기를 이용해 진행하지 않고 웹 시뮬레이션(falstad web simulation)을 이용하여 진행되었다. 전압과 전류 분배에 대해 알아보기 위해 서로 다른 저항 값을 가진 저항을 직렬로 연결하여 전압 값과 전류 값을 측정하고 이를 통해 저항 값을 계산해보았다. 여기서 우리는 측정기기의 한계로 인해, 즉 웹 시뮬레이션의 특성 상 소수점 3자리까지 측정값을 나타낼 수 있었고 이로 인해 계산 값 역시 소수점 3자리까지만 나타냈다. 약 0.1~0....2025.04.29
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태양광 결과보고서2025.01.051. 태양전지의 동작원리 이번 실험을 통해 태양전지의 동작원리를 이해할 수 있었습니다. 태양전지는 광전효과를 이용한 차세대 에너지원으로, 출력전압이 증가하더라도 순방향 전압 이전에서는 전류원으로 동작하다가 순방향 전압을 넘을 경우 전압원으로 동작하는 것을 확인했습니다. 태양전지의 최대 전력은 전류원으로 동작하는 영역과 전압원으로 동작하는 영역 사이에 위치하는 것을 실험 결과를 통해 확인할 수 있었습니다. 2. 태양전지의 특성곡선 및 전력 측정 이번 실험을 통해 태양전지의 E-I 특성곡선과 전력 특성을 측정할 수 있었습니다. 태양전지...2025.01.05
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 게이트 단자를 공통으로 하고, 입력 신호가 소스에, 출력 신호가 드레인에 걸리는 회로입니다. 이 회로는 주로 넓은 대역폭에서 동작하며, 전류 이득이 큰 것이 특징입니다. 입력 신호는 소스 단자에 인가되며, 드레인에서 출력 신호가 나타납니다. 게이트는 고정되어 있어, 입력 신호는 소스에서 드레인으로 흐르는 전류를 제어하게 됩니다. 입력 임피던스는 매우 낮고, 출력 임피던스는 상대적으로 높습니다. 전압 이득은 대략적으로 g_m * R_D로 나타낼 수 있으며, 공통 게이트 증폭기는 전류 이득...2025.01.29
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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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<일반물리학 실험2> 옴의법칙 결과보고서2025.01.221. 옴의 법칙 실험 결과에 따르면 V=I x R 의 관계가 성립하여 전압, 전류, 저항 간의 비례 관계가 확인되었습니다. 51Ω과 100Ω 저항을 사용한 실험에서 선형 분석을 통해 구한 저항값과 디지털 멀티미터로 측정한 저항값을 비교했을 때, 디지털 멀티미터로 측정한 값이 더 정확한 것으로 나타났습니다. 이는 직류 전원 공급장치의 출력 변동이 저항 측정에 영향을 미쳤기 때문으로 보입니다. 또한 디지털 멀티미터가 작은 변화를 더 정확하게 감지할 수 있다는 점도 확인되었습니다. 2. 회로 구성 이번 실험에서는 회로도를 보고 직접 회로...2025.01.22
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A* 알고리즘을 설명하고 생활 속의 알고리즘 예를 3가지 작성하세요2025.01.131. A* 알고리즘의 원리와 작동 방식 A* 알고리즘은 경로 탐색 문제에서 사용되는 효율적인 검색 알고리즘으로, 출발 지점에서 목적지까지의 최적 경로를 찾는 데 사용된다. 이 알고리즘은 다익스트라 알고리즘과 휴리스틱 함수를 결합하여 동작한다. 다익스트라 알고리즘은 출발 지점에서부터 모든 노드까지의 최단 경로를 계산하는데 사용되지만 적지에 도달할 때까지 모든 노드를 탐색하는 데 시간이 오래 걸릴 수 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해 A* 알고리즘은 휴리스틱 함수를 사용하여 목적지에 가까운 노드를 먼저 탐색한다. 휴리스틱 함수는 각 ...2025.01.13
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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전기회로설계실습 실습9 결과보고서2025.01.201. LPF(Low-Pass Filter) 설계 및 특성 RC 직렬 LPF를 구성하고 10kHz 1Vpp 사인파를 입력하여 LPF 입력 전압과 출력 전압(C 전압)을 측정하였다. 이론값과 실험값을 비교하여 크기와 위상 오차율을 계산하였고, 오차 발생 원인을 분석하였다. 또한 입력 주파수를 변화시키며 LPF 출력 전압의 최댓값을 측정하여 주파수 특성 그래프를 그렸다. 이를 통해 LPF의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. HPF(High-Pass Filter) 설계 및 특성 LR 직렬 HPF를 구성하고 10kHz 1Vpp 사...2025.01.20
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