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전도성 고분자 필름제조 및 특성분석2025.05.151. 저항과 전기 전도도의 관계 전류 I가 흐르고 있는 단면적 A, 길이 L인 도선에서 전기장은 전위가 낮아지는 방향으로 향하고 있으므로 점 a에서의 전위는 점 b에서의 전위보다 높다. 전류를 양전하의 흐름으로 생각할 경우 양전하는 전윅 krkath하는 방향으로 이동한다. 이 도선에서 전기장이 일정할 경우 두 점 a와 b사이의 전합강하는 V(전압)이다. 전류의 방향으로 생기는 전압강하의 전류에 대한 비를 도선의 저항이라 부른다. V=IR은 보통 Ohm's law라고 한다. 물질이나 용액이 전하를 운반할 수 있는 정도. 비저항의 역수...2025.05.15
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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AMOLED Tooling Process & 막 두께 측정 report (A+)2025.05.121. AMOLED 소자 및 공정실험 AMOLED 소자 및 공정실험 캡스톤 디자인 실험에 대한 내용입니다. 실험 제목은 'Tooling Process & 막 두께 측정'이며, 실험 목표는 진공의 이해 & Chamber의 사용법, Z factor & Density의 기본 원리 이해 및 Tooling값 계산, Alpha Step을 이용한 막 두께 측정입니다. 실험 이론으로는 Vacuum & Chamber, Z factor, Thermal Evaporation 공정에 대해 설명하고 있습니다. 실험 방법은 기판 cleaning, Ante C...2025.05.12
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전기회로설계실습 12장 예비보고서2025.01.201. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실험의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있으며, 실험 계획서에는 다음과 같은 내용이 포함되어 있습니다: 1. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로 설계 2. R=10 kΩ, C=0.1 μF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답 분석 3. R=10 kΩ, C=0.1 μF 직렬 회로에서 커패시터가 인덕터로 작동하는...2025.01.20
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 결과보고서2025.01.211. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...2025.01.21
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[2024 자료] 시립대 전전설I 2주차(1. 계측기) / 결과 레포트(post-report)2025.01.221. 계측기 사용법 이번 실험에서는 기본 실험 장비인 DC 전원 공급기와 디지털 멀티미터의 사용 방법을 익히고, 수동 소자인 저항, 콘덴서, 코일의 특성을 이해하는 것이 목적이었다. 실험을 통해 옴의 법칙, KVL, KCL 등의 이론이 실제로도 적용된다는 것을 확인할 수 있었고, 회로 구성 및 계측기 사용 시 발생할 수 있는 오차 요인들을 파악하여 향후 실험에서 이를 개선할 수 있는 방안을 모색하였다. 2. 수동 소자 특성 실험에서는 저항, 콘덴서, 코일 등의 수동 소자 특성을 이해하고 이를 측정하는 방법을 익혔다. 저항의 경우 색...2025.01.22
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AMOLED 소자 및 공정 실험 보고서2025.05.121. AMOLED 소자 제작 실험 목표는 spin coater를 이용한 고분자 기반 OLED 제작 및 특성 평가입니다. 실험 장비로는 Thermal evaporation, Spin coater, CS-2000(측정장비)가 사용되었습니다. 실험 과정에서는 ITO 전극 패터닝, 기판 세척, UVO 처리, PEDOT:PSS, PFO, LiF, Al 증착 등의 단계를 거쳤습니다. 실험 결과 분석을 통해 PFO 발광층의 두께 및 구조에 따른 휘도 특성 차이, UVO 처리에 따른 표면 에너지 변화와 균일성 향상 등을 확인할 수 있었습니다. 2...2025.05.12
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전자회로설계실습 5차 예비보고서2025.05.101. BJT와 MOSFET을 이용한 구동(switch) 회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것을 목적으로 합니다. 보고서에서는 BJT와 MOSFET 회로의 설계 과정과 계산, 그리고 회로 측정 방법 등을 자세히 설명하고 있습니다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(VF = 2 V, IF = 20 m...2025.05.10
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[A+ 보장] LED와 LD의 특성 비교 및 분석2025.05.111. LED 소자의 특성 LED 소자의 실험 결과를 통해 LED 소자의 스펙트럼 특성을 확인할 수 있었다. LED 소자는 특정 파장 대역에서 빛을 방출하며, 파장에 따른 광도 차이를 보인다. 특히 녹색 LED 소자의 경우 시감도가 높아 스펙트럼 변화가 크게 나타났다. LED 소자의 중요 특성인 피크 발광 파장(hp)과 반치폭(FWHM)을 확인할 수 있었다. 2. LD 소자의 특성 LD 소자의 실험 결과를 통해 LD 소자의 스펙트럼 특성을 확인할 수 있었다. LD 소자는 LED 소자와 달리 공진기를 가지고 있어, 유도 방출을 통해 빛...2025.05.11
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