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[전자공학실험2] 연산 증폭기2025.04.271. 연산 증폭기의 사용법 및 특성 측정 이 실험에서는 연산 증폭기의 사용법을 익히고, 연산 증폭기의 특성 측정과 응용 회로 실험을 통해 연산 증폭기의 성능 및 동작 원리를 이해하였습니다. 실험을 통해 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류, 반전 증폭기와 비반전 증폭기의 특성, 슬루율 측정, 최대 증폭도 측정, 적분기 회로 등을 확인하였습니다. 2. 연산 증폭기의 DC 오프셋 특성 실험 1에서는 연산 증폭기의 DC 오프셋 전압과 오프셋 전류를 측정하였습니다. 연산 증폭기 내부의 소자 불일치로 인해 발생하는 DC 오프셋 특성...2025.04.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Thevenin 등가회로 구현 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 PSPICE로 그려서 제출하였습니다. Thevenin 등가회로를 구현하기 위해 무부하 상태에서 단자 사이의 전압을 측정하여 Vth를 구하고, 10kΩ 저항을 연결했을 때 전압이 줄어든 것을 이용하여 Rth를 계산하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 주파수가 2kHz인 센서의 출력을 증폭하여 1Vpp의 출력을 내는 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 회로, PSPICE 출력파형...2025.01.27
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Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.11.181. Inverting Amplifier 설계 출력저항이 큰 센서의 출력신호를 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계한다. LM741 Op Amp를 사용하여 2 KHz 주파수의 센서 출력을 1 Vpp로 증폭한다. 설계 과정에서 Gain=5, R1=10kΩ, R2=50kΩ으로 설정하며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 Transient Analysis와 AC Sweep Analysis를 수행한다. 주파수 특성 분석 결과 799.440 kHz에서 출력전압이 입력전압과 같아지며, 이를 통해 Op Amp의 주파수 특성을 파...2025.11.18
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응용물리회로실험 - OP amp circuit2025.05.071. 비반전 증폭기 회로 첫번째 실험은 그림 5의 a)와 같은 비반전 증폭기 회로를 구성하고 Vin에서 전압과 Vout에서 전압을 관찰하는 실험이다. Vin과 Vout의 측정값은 +Vs의 값과 거의 동일하게 나온 것을 확인할 수 있다. 2. 반전 증폭기 회로 두번째 실험은 그림 5의 b)와 같은 반전 증폭기 회로를 구성하고 Vin에서 전압과 Vout에서 전압을 관찰하는 실험이다. Vin의 측정값은 거의 0에 가까운 전압이 측정되었고, Vout는 약 -6.8V가 측정된 것을 확인할 수 있다. 3. 가변 저항을 이용한 반전 증폭기 회로...2025.05.07
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소오스 팔로워 전자회로 실험 예비보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 MOSFET을 이용한 전압 증폭 회로로, 입력 전압과 출력 전압이 거의 같은 특성을 가집니다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워 회로의 동작 원리와 특성을 확인하기 위해 다양한 실험을 진행했습니다. 실험 결과를 통해 MOSFET의 동작 영역, 전압 이득, 입력 및 출력 임피던스 등을 확인하고 이론적인 계산 결과와 비교했습니다. 또한 Pspice 시뮬레이션을 통해 실험 결과를 검증하고 입력-출력 전달 특성 곡선을 도출했습니다. 1. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 전자 회로 설계에서...2025.01.02
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교류및전자회로실험 실험10-2 트랜지스터 증폭회로2 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 이 실험에서는 common-collector 형태의 emitter follower 회로와 Darlington amplifier를 구현하고 그 동작을 확인하여 트랜지스터 증폭회로에 대한 이해를 높였습니다. 이를 통해 입력 임피던스, 출력 임피던스, buffer의 개념을 심화하였습니다. 2. emitter follower 회로 emitter follower 회로는 신호의 크기를 증폭하지는 않지만, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가져 신호원의 교류신호가 부하에 그대로 전달되도록 하는 역할을 합니다. ...2025.01.17
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전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같으므로 위상 반전이 일어나지 않는다. 3. 공통 베이스...2025.04.30
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MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_예비레포트2025.01.121. Common Drain 회로 Common Drain 회로는 입력 신호가 Gate에 인가되고 Source에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Drain이 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 Common Drain 증폭기라 한다. DC Analysis를 통해 Gain을 얻을 수 있고 이를 T-Model 해석에 이용하면 Gain은 약 1이 된다. 따라서 Common Drian 회로는 Gain이 1인 비반전 회로가 되며 Source follower라 부르기로 한다. Common Drain 회로는 Gain이 1이므로 입력...2025.01.12
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OP-AMP 반전/비반전 증폭기 실험 보고서2025.04.271. 반전 증폭기 실험 반전 증폭기에서 회로 전압 이득은 Av = -Rf/Ri 이다. 실험 결과에서 위상 차이와 진폭 크기 값을 고려하여 Av를 구해보면, 회로 전압 이득 값과 거의 일치함을 확인할 수 있다. 2. 비반전 증폭기 실험 비반전 증폭기에서 회로 전압 이득은 Av = 1 + Rf/Ri 이다. 실험 결과에서 위상 차이와 진폭 크기 값을 고려하여 Av를 구해보면, 회로 전압 이득 값과 거의 일치함을 확인할 수 있다. 3. 오차 원인 분석 1) DC power supply의 전압 표시 정확도 한계, 2) Breadboard 내...2025.04.27
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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