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회로이론및실험1 3장 직렬회로 및 병렬회로A+ 예비보고서2025.01.131. 옴의 법칙 옴의 법칙 i`=` {V} over {R}로 흐르는 전류의 값을 구할 수 있다. 회로(c)에서 전압분배 법칙에 의해 V _{1``} `=` {R _{1}} over {R _{eq}} V _{s} ,V _{2} `=` {R _{2}} over {R _{eq}} V _{s}로 각 저항에 걸리는 전압을 구할 수 있다, 옴의 법칙을 적용하여 I _{3`} `=` {V _{1}} over {R _{1}} `=` {V _{2}} over {R _{2}} 회로에 흐르는 전류의 값을 구할 수 있다. 2. 전압분배 법칙 회로(c)에...2025.01.13
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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아주대학교 A+전자회로실험 실험4 예비보고서2025.05.091. 정궤환 회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용하여 정궤환 회로를 구성하고, 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로, 사각파 발생 회로의 구성과 역할에 대해 알아보는 것입니다. 회로를 구성하여 각 경우에 대한 V_TL, V_TH, +V_sat, -V_sat을 측정하여 이들이 의미하는 바를 알아보고, 이론에서 배운 내용을 실험을 통해 증명하는 것이 목표입니다. 2. 슈미트 트리거 회로 슈미트 트리거 회로는 일반적인 소자(V_ILmax, V_IHmin)와 다르게 V_TL, V_TH라는 threshold가 있습니다. 출력이 ...2025.05.09
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실험 02_정류회로 결과보고서2025.04.281. 반파 정류회로 반파 정류회로는 다이오드의 한 방향으로만 전류가 흐르는 특성을 이용한 회로이다. 실험에서는 입력 전압 v_s에 피크값이 5V이고 주파수가 100Hz인 정현파를 인가하고, 부하 저항 R에 10kΩ을 연결하여 입력 v_s와 출력 V_o의 파형을 측정하였다. 출력 V_o의 평균값을 구하였고, 실험 결과가 잘 진행되었음을 확인하였다. 2. 피크 정류회로 피크 정류회로는 반파 정류회로에 커패시터를 병렬로 연결한 회로이다. 실험에서는 입력 전압 v_s에 피크값이 5V이고 주파수가 100Hz인 정현파를 인가하고, 부하 저항값...2025.04.28
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전자회로설계 및 실습9_설계 실습9. 피드백 증폭기_결과보고서2025.01.221. Series-Shunt 피드백 증폭기 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성하고 입력전압을 0V에서 6V까지 0.1V씩 증가시키며 출력전압의 변화를 확인하였다. 입력저항 1kΩ, 부하저항 RL에 대해 평균 4.52%의 오차로 출력전압을 측정하였다. 입력저항 10kΩ, 부하저항 RL에 대해서는 평균 3.13%의 오차로 출력전압을 측정하였다. 전원전압을 12V에서 8V로 변경하고 입력전압을 0V에서 4V까지 증가시키며 평균 5%의 오차로 출력전압을 측정하였다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 Series-S...2025.01.22
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[A+] RC, RL 미분회로 레포트2025.05.131. RC 미분 회로 및 적분 회로 RC 회로에서 커패시터 C 에 충전 시간에 관계되는 시정수 tau는 tau =RC[s] 이다. RC 회로의 커패시터 C에 충전되는 전압을 v_c(t)라 하면 시간 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 회로 방정식은 Ri(t)+ {1} over {C} int_{} ^{} {i(t)dt=E}이므로, 충전 전압 v_c(t)는 v_c(t)=E(1-e^{- {1} over {RC} t})이며, 회로에 흐르는 전류 i(t)는 i(t)= {E} over {R} e^{- {1} over {RC} t}이다. 2. RL...2025.05.13
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사과가 싸고 맛있어요2025.01.031. A/V-고 문법 A/V-고 문법은 용언이나 '이다'의 어간 뒤에 쓰이는 연결어미입니다. A/V-고를 사용하면 시간의 순서와 상관없이 두 가지 이상의 행위나 상태, 사실을 나열할 수 있습니다. 이 문법을 사용하면 시간과 요일, 음식 주문, 날씨 등을 연결하여 이야기할 수 있습니다. 1. A/V-고 문법 A/V-고 문법은 한국어 문법에서 매우 중요한 부분을 차지합니다. 이 문법은 두 개의 동작이나 상태를 연결하여 표현하는 데 사용됩니다. 예를 들어 '먹고 간다'라는 문장에서 '먹다'와 '가다'가 연결되어 있습니다. 이를 통해 동작...2025.01.03
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유닉스의 발전 과정2025.05.061. UNIX System V 1983년 AT&T는 UNIX System V 릴리스 1을 도입했습니다. AT&T는 릴리스 1에서 처음으로 미래의 UNIX 시스템에서도 앞으로의 호환성을 유지하겠다고 약속했습니다. 1985년 AT&T는 UNIX System V 릴리스 2를 출시했고, 1987년에는 UNIX System V 릴리스 3.0을 출시했습니다. UNIX System V 릴리스 4는 다양한 표준 기관 및 제조 조직의 요구 사항을 충족하기 위해 많은 개발자를 한데 모으는 강력하고 유연한 단일 운영 체제입니다. 2. BSD(Berke...2025.05.06
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