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6주차 예비 보고서 4장 테브냉 및 노튼의 정리 (2)2025.05.011. 테브냉의 정리 테브냉의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에서 회로 내의 임의의 두 단자 A, B를 선택하고 이 단자에 대하여 외부에서 보았을 때 등가적으로 하나의 전압원 V_TH와 직렬로 연결된 하나의 저항 R_TH로 대치할 수 있다는 것이다. 여기서 등가전압 V_TH는 주어진 회로망의 단자 A, B를 개방했을 때의 단자 A, B에 나타나는 전압과 같고, 등가저항 R_TH는 주어진 회로망의 모든 전원을 제거하고 단자 A, B에서 회로망 쪽으로 본 저항과 같다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리는 임의의 구조를 갖는 능동회로망에...2025.05.01
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홍익대학교 디지털논리실험및설계 7주차 예비보고서 A+2025.05.041. S-R Latch와 S'-R' Latch S'-R' Latch는 일종의 메모리 역할을 할 수 있는 device라고 볼 수 있습니다. 즉, 두 가지 상태 (Set, Reset)를 Q에 쓰기도 하고 그 상태를 저장할 수도 있습니다. S-R Latch의 경우 Active HIGH 입력을 가지기 때문에 S'-R' Latch와 반대의 논리 레벨을 사용한다는 점을 제외하고는 유사한 동작을 하게 됩니다. 2. Pulse detector와 CLK Pulse detector 회로의 경우 이론적으로는 CLK에 1이 입력으로 들어오든 0이 입력으...2025.05.04
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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[A+] RC, RL 미분회로 레포트2025.05.131. RC 미분 회로 및 적분 회로 RC 회로에서 커패시터 C 에 충전 시간에 관계되는 시정수 tau는 tau =RC[s] 이다. RC 회로의 커패시터 C에 충전되는 전압을 v_c(t)라 하면 시간 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 회로 방정식은 Ri(t)+ {1} over {C} int_{} ^{} {i(t)dt=E}이므로, 충전 전압 v_c(t)는 v_c(t)=E(1-e^{- {1} over {RC} t})이며, 회로에 흐르는 전류 i(t)는 i(t)= {E} over {R} e^{- {1} over {RC} t}이다. 2. RL...2025.05.13
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_9 병렬회로(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 병렬회로 병렬회로란 전류가 흐르는 통로가 둘 이상인 회로이다. 즉, 평행한 두 선 사이에 하나의 전압 원과 여러 개의 회로 소자들이 연결된 회로이다. 병렬회로에서 전압은 각 회로 소자에 같게 인가된다. 이때 전류가 흐르는 길은 가지(branch)라고 부르는데, 이 가지에 흐르는 전류는 그 가지의 저항과 전압 원에 의해서만 결정된다. 병렬회로에서는 많은 가지들이 병렬회로에 연결되면 합성 저항값은 작아진다. 병렬 가지가 늘어가면서 전류가 흐르도록 새로운 통로가 생긴다. 따라서 컨덕턴스는 증가하게 되고, 회로에 흐르는 총 전류가 더...2025.05.13
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압 분배 바이어스 회로 전압 분배 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작 점을 안정적으로 설정하며, 안정적인 증폭기 성능을 제공하는 역할을 한다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전류와 컬렉터 전류를 제어하여 증폭기가 안정적으로 작동하도록 한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 전압 분배기와 에미터 저항을 사용하여 트랜지스터의 바이어스를 안정적으로 설정하고, 이를 통해 증폭기의 동작을 안정화한다. 베이스 전압, 컬렉터 ...2025.01.29
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기초 회로 실험 제 12장 병렬회로의 저항(예비레포트)2025.01.211. 병렬회로의 저항 이번 실험에서는 I(T) = I1 + I2 + I3 라는 사실을 근거로 옴의 법칙을 활용하여 가지 저항들과 총 저항 사이에는 어떤 관계가 있는지를 살펴볼 것이다. 병렬회로에서 전압 V에 연결된 저항 R(T)는 I(T)로 제한되며, 옴의 법칙에 의해 등가 저항을 구할 수 있다. 또한 병렬회로에서 V에 연결된 직렬 회로를 끊고 전류계를 연결하면 총 전류를 측정할 수 있으므로 옴의 법칙에 의해 R(T) = V/I(T)를 통해 등가저항을 구할 수 있다. 병렬로 연결된 저항 사이에는 1/R(T) = 1/R1 + 1/R2...2025.01.21
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RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RLC 직렬 회로의 과도 응답 및 정상 상태 응답 이 보고서는 RLC 직렬 회로의 과도 응답과 정상 상태 응답에 대해 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. RLC 직렬 회로에서 R=500Ω, L=10mH, C=0.01μF인 경우 ωo와 ωd를 계산합니다. 2. 위 회로에 입력이 사각파(0~1V, 1kHz, 듀티 사이클 50%)인 경우 R, L, C에 걸리는 전압 파형을 시뮬레이션하여 제출합니다. 3. R=4kΩ인 RLC 직렬 회로에 입력이 사각파(0~1V, 1kHz, 듀티 사이클 50%)인 경우 R, L, C에 걸리...2025.04.25
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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홍익대_대학물리실험2_휘트스톤브릿지_보고서A+2025.01.151. 옴의 법칙 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고, 저항(R)에 반비례한다. 이를 수식으로 표현하면 I = V/R이고 이를 변형하면 V = IR, R = V/I이다. 저항이 일정하면 이와 같은 관계 그래프가 성립한다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 회로에 흐르는 전류와 고리에 걸리는 전압에 대해 서술한 법칙이다. 제 1법칙(분기점 법칙)은 어느 회로에 있어서 분기점에 들어오는 전류는 나가는 전류와 같다. 제 2법칙(고리 법칙)은 닫힌 회로에서 각 소자를 지나갈 때 전위차의 합은 0이 된다. 3. 휘트스톤 브리지 ...2025.01.15
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