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기초전자실험 - 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스는 R_B * (beta_D * R_E)로 주어진다. 달링턴 이미터 폴로어의 출력 임피던스는 r_e이며, 전압 이득은 (R_E) / (R_E + r_e)와 같다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q_1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q...2025.04.30
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT 공통이미터 증폭기2025.05.161. NPN형 BJT 공통이미터 증폭기 NPN형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작 특성을 시뮬레이션과 실험을 통해 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교하여 전압이득을 계산하고 그래프로 나타내었습니다. 부하저항 RL이 증가하면 얻을 수 있는 전압이득이 많아지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT 공통이미터 증폭기 PNP형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작 특성을 시뮬레이션과 실험을 통해 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교하여 전압이득을 계산하고 그래프로 나타내었습니다. 부하저항 RL이 증가하면 얻을 ...2025.05.16
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전자공학실험 23장 연산 증폭기 응용 회로 1 A+ 결과보고서2025.01.151. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전원 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 반전 증폭기 실험회로 1에서 R1=10kΩ, R2=20kΩ일 때 입력 파형과 출력 파형을 측정하고, 전압 이득을 계산하였다. 전압 이득은 약 2[V/V]로 이상적인 반전 증폭기의 전압 이득과 동일함을 확인하였다. 또한 R1=10kΩ, R2=...2025.01.15
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아날로그회로실험및설계 Op-amp 반전, 비반전 증폭기 실험 보고서2025.01.241. 연산 증폭기(Op-amp) 연산 증폭기는 두 개의 입력 단자에서 전류가 나오면서 이를 증폭하는 소자입니다. 이미터 부분에서 들어오는 전류를 전체적으로 통제하고 효율적으로 증폭을 구현하며, 컬렉터 부분에서 이 전류를 모아 회로적으로 구현할 수 있게 합니다. 따라서 이미터 부분과 컬렉터 부분의 두 지점에서 증폭이 구현되어 연산 증폭기라고 정의됩니다. 2. 반전 증폭기(Inverting AMP) 반전 증폭기는 출력 전압이 입력 전압에 비례하지만 부호가 반전되어 나타나는 회로 구조입니다. 이상적인 Op-amp를 가정하면, 비반전 입력...2025.01.24
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전자공학실험 24장 연산 증폭기 응용 회로 2 A+ 예비보고서2025.01.131. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전압 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 적분기 회로 실험회로 1([그림 24-6])과 같이 적분기 회로를 구성한다. 입력의 크기는 1V로 고정하고, 주파수를 1kHz~1MHz까지 [표 24-1]과 같이 변화시키면서 출력의 크기를 측정하여 [표 24-1]에 기록한다. 또한, [그림 ...2025.01.13
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 회로는 전압 증폭에는 유리하며, 입력 신호에 비해 출력 신호가 크게 증폭된다. 또한 입력 임피던스가 매우 낮고 출력 임피던스가 비교적 높다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은...2025.01.29
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A+ 정보통신실험 3주차 결과보고서 - 푸시풀 전력 증폭 회로2025.01.041. 푸시풀 전력 증폭 회로 이번 실험은 푸시풀 전력 증폭회로를 구성하여 푸시풀 증폭기의 동작원리를 알아보고 트랜지스터의 동작점(바이어스점)과 AC신호의 크기 및 위상을 측정하여 비교하는데 목적이 있습니다. 실험 결과 V_BE는 이론치와 별 차이 없이 제대로 결과값이 나왔지만, I_C를 측정하는 과정에서 예비실험으로 PSpice에 나온 결과와 많은 차이가 있었습니다. 측정된 전류는 이론값들보다 낮게 측정되었습니다. 이는 브레드보드 내부의 내부저항과 멀티미터를 통해 전류값이 측정되면서 낮아질 수 있다는 것으로 생각됩니다. 또한 전류는...2025.01.04
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 게이트 단자를 공통으로 하고, 입력 신호가 소스에, 출력 신호가 드레인에 걸리는 회로입니다. 이 회로는 주로 넓은 대역폭에서 동작하며, 전류 이득이 큰 것이 특징입니다. 입력 신호는 소스 단자에 인가되며, 드레인에서 출력 신호가 나타납니다. 게이트는 고정되어 있어, 입력 신호는 소스에서 드레인으로 흐르는 전류를 제어하게 됩니다. 입력 임피던스는 매우 낮고, 출력 임피던스는 상대적으로 높습니다. 전압 이득은 대략적으로 g_m * R_D로 나타낼 수 있으며, 공통 게이트 증폭기는 전류 이득...2025.01.29
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