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반도체 공정 기술 및 메모리 소자 종합 분석2025.11.181. 반도체 전공정(FEP) 기술 반도체 공정의 전공정은 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리 등 다양한 소자 제조에 필수적이다. 웨이퍼 기판, 표면 준비, 박막 형성, 플라즈마 식각 등의 기술이 포함되며, 무어의 법칙에 따른 소자 축소로 인해 새로운 재료와 공정 기술의 도입이 필요하다. 특히 고-k 유전체와 금속 게이트 도입, SOI 웨이퍼 활용, 응력 제어 등이 주요 기술 과제이다. 2. 플래시 메모리 기술 플래시 메모리는 비휘발성 메모리로 NAND형과 NOR형으로 구분된다. NAND형은 직렬 연결으로 고집적도와 빠른 쓰기/지우...2025.11.18
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH3. 브리지정류와 평활회로 실험보고서2025.05.051. 브리지정류 회로 브리지정류 회로는 전파정류 회로로 가장 많이 사용되고 있는 회로이다. 브리지정류는 교류전압이 (+)인 구간에서 도통되는 다이오드와 (-)인 구간에서 도통되는 다이오드를 함께 연결하여 항상 일정한 방향으로 전압이 걸리고 전류가 흐르게 하는 회로이다. 브리지 다이오드 전파정류 출력전압의 평균값과 주파수는 변압기의 중간탭을 이용한 전파 정류회로의 평균값, 주파수와 같으며, 입력전압으로부터 2VDO만큼 전압 강하가 된 출력이 생성된다. 2. 평활 회로 브리지 전파 정류회로에서 정류된 파형을 푸리에 변환시켜보면 많은 교...2025.05.05
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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RC & Circuit Simulator 실험 보고서2025.01.221. 축전기(Capacitor) 축전기는 특정한 정전 용량(커패시턴스, Capacitance)을 갖는 회로 소자로, 주로 두 개의 도체판으로 구성되어 있고 사이 공간은 얇은 절연체로 채워져 있다. 커패시턴스는 도체판의 면적을 넓히거나 두 판 사이의 간격을 작게 함으로써 증가한다. 도체판 표면에 전하가 저장되는데, 두 표면에 모이는 전하의 양은 같지만 부호는 반대이다. 2. 용량성 리액턴스(Capacitive reactance) 축전기에서의 전류 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 수치로, X_C = -1/wC 로 나타낼 수 있으며 주파...2025.01.22
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PLC 제어 실험 보고서 (A+)2025.01.241. LIDAR 센서 LIDAR는 Light Detection And Ranging의 약자로, 근적외광, 가시광, 자외선을 사용하여 대상물에 빛을 비추고 반사광을 감지하여 거리를 측정하는 리모트 센싱 방식입니다. LIDAR 센서는 공간 분해능이 뛰어나 물체를 3D로 묘사할 수 있지만 기상 조건에 따라 성능이 저하될 수 있습니다. LIDAR 센서는 자율주행 자동차와 로봇 분야에 널리 사용되고 있습니다. 2. 압력 센서 압력 센서는 압력을 감지하여 전기 신호로 변환하는 장치입니다. 압력 센서에는 스트레인게이지식, 정전용량식, 전위차계식...2025.01.24
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축전기의 충·방전 현상과 지수함수 변화2025.11.141. 축전기의 충·방전 현상 축전기의 충전과 방전 현상은 지수함수 형태로 진행된다. 충전 시 전압은 V(t) = V₀(1-e^(-t/τ)) 형태로 증가하고, 방전 시 V(t) = V₀e^(-t/τ) 형태로 감소한다. 실험에서 측정한 충전 데이터(2.51v, 3.418v, 3.755v)와 이론값의 오차율이 0.55%, 0.08%, 0.05%로 거의 일치하여 지수함수식이 성립함을 확인했다. 방전 현상도 유사하게 지수함수를 따르며, 12.82%의 오차율을 보였으나 여러 오차요인을 감안하면 성립한다. 2. 시간상수와 반감기의 관계 시간상수...2025.11.14
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일반물리학실험 시상수 측정 결과레포트2025.05.151. 시상수 시상수는 1차 지연 요소에서 입력 신호가 달라졌을 때 출력 신호가 정상 상태에 도달하기까지의 과도기간에서의 현상의 상태를 아는 가늠이 되는 상수입니다. 예를 들면 전기 회로에서의 일례로서 R과 L의 직렬 회로에 대해서는 직류 전압 V를 가한 직후부터 시간 t의 경과에 의한 전류 i의 변화가 되어 변화하는데, 이 때 전류가 정상값의 63.2%에 이르기까지의 시간 τ＝L/R[s]가 시상수입니다. 일반적으로 시상수가 클수록 정상값에 이르기까지의 시간이 길어지고, 이 값은 제어계 또는 전기 회로의 조건에 따라서 결정됩니다. 2...2025.05.15
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증폭기의 주파수 특성2025.04.261. 이미터 접지 증폭 회로 이미터 접지 증폭 회로 실험을 통해 주파수 특성에 대해 알게 되었다. 실험 결과, 이론과 달리 실제 증폭기의 이득은 회로를 구성하는 결합 커패시터와 부하 커패시터, 그리고 트랜지스터 내부의 기생 정전용량 성분에 영향을 받는다. 또한 이득은 신호의 주파수에 따라 출력이 달라지며, 그 범위는 저주파, 중간주파, 고주파의 세 영역으로 주파수 범위에 따라 구분할 수 있다. 2. 주파수 특성 실험 이미터 접지 증폭기의 주파수 특성 실험을 통해 주파수 응답에 대해 알게 되었다. 주파수 응답은 진폭이 일정한 다양한 ...2025.04.26
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필터회로실험2025.05.161. 커패시터 특성 커패시터가 교류신호에 대하여 나타내는 고유한 저항 특성을 Xc로 표시하며, 단위는 [Ω]입니다. 커패시터에 직류전원이 연결되면 Xc는 매우 큰 저항값을 가져 연결이 끊어진 것과 같은 상태가 되지만, 교류전원이 연결되면 Xc는 주파수에 따라 변화합니다. 2. 인덕터 특성 인덕터가 교류신호에 대하여 나타내는 고유한 저항 특성을 XL로 표시하며, 단위는 [Ω]입니다. 인덕터에 직류전원이 연결되면 f=0이므로 XL=0 [Ω]이 되어 도체(도선)와 같은 상태가 되지만, 교류전원이 연결되면 XL는 주파수에 따라 변화합니다....2025.05.16
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미국을 중심으로 발생하고 있는 전세계적 에너지 위기 및 에너지 빈곤에 대해 논하여라2025.05.081. 너무나도 성급했던 그린 뉴딜 정책 우크라이나 전쟁과 러시아 제재로 인해 전 세계가 에너지 위기로 고통 받고있다. 바이든 대통령은 사우디아라비아에 원유 증산을 간청하는 모습까지 보이는 이례적인 모습을 보여주었다. 이러한 상황 속에서 그리고 아직 준비가 충분하지 않았음에도 바이든 행정부는 녹색 에너지 정책을 강력하게 추진하고 있다. 이 새로운 에너지 위기의 본질은 무엇이고, 향후 전망은 어떻게 될 것인지에 귀추가 주목될 수 밖에 없다. 2. 성급한 친환경 정책의 추진은 에너지 빈곤을 급격히 증가시켜 더욱이 현재의 정책으로는 에너지...2025.05.08
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