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전기회로실험및설계 5주차 결과보고서 - 함수발생기와 오실로스코프의 사용법2025.01.151. 함수발생기 사용법 함수발생기를 사용하여 다양한 파형을 생성할 수 있습니다. 주파수, 진폭, 오프셋 등을 조절하여 원하는 파형을 만들 수 있습니다. 함수발생기는 전기회로 실험에서 중요한 도구로 사용됩니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프를 사용하여 전기 신호의 파형을 관찰할 수 있습니다. 시간 축과 전압 축을 조절하여 신호의 특성을 분석할 수 있습니다. 오실로스코프는 전기회로 실험에서 필수적인 측정 장비입니다. 3. RMS 전압 계산 RMS(Root Mean Square) 전압은 교류 전압의 실효값을 나타냅니다. 정현파의 ...2025.01.15
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 13. 발전기 원리 실험2025.04.291. 코일의 인덕턴스 측정 RL 직렬 회로의 time constant를 이용하여 코일의 인덕턴스를 측정하였다. 최대 전압이 6.6 [㎲]에서 704 [mV]로 측정되었고, 최댓값의 0.368배가 걸리는 지점은 18 [㎲]에서 256[mV]로 측정되었다. 이를 이용해 인덕턴스를 계산하면 L = R * τ = 10.1 [㏀] * 11.4 [㎲] = 0.115 [mH]이다. 2. 자석 움직임에 따른 전압 파형 관측 자석을 코일에 넣을 때와 뺄 때 자속의 변화율이 반대가 되어 전압 파형이 반대로 나타나는 것을 확인하였다. 코일과 자석을 뒤...2025.04.29
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회로이론및실험1 4장 키르히호프의 전압/전류법칙 A+ 예비보고서2025.01.131. 키르히호프의 전압 법칙 실험 2-1에서는 키르히호프의 전압 법칙을 적용하여 회로의 전압을 계산하였습니다. 전압 법칙에 따르면 폐회로의 전압 합은 0이 되어야 합니다. 따라서 각 저항에 흐르는 전류와 저항값을 이용하여 전압을 계산할 수 있습니다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 실험 1-2에서는 키르히호프의 전류 법칙을 적용하여 노드 전압을 계산하였습니다. 전류 법칙에 따르면 노드에 유입되는 전류와 유출되는 전류의 합은 0이 되어야 합니다. 따라서 각 저항에 흐르는 전류를 구하고 이를 이용하여 노드 전압을 계산할 수 있습니다. 3....2025.01.13
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험 결과레포트_ 10 직병렬 조합 회로2025.05.131. 직렬회로 직렬회로에서는 모든 소자에 동일한 전류가 흐르고, 직렬저항들의 합성저항값은 각각의 저항값들을 더한 것과 같다. 2. 병렬회로 병렬회로에서는 모든 가지에 동일한 전압이 인가되고, 병렬저항들의 합성저항값은 각 저항값의 역수를 더한 것의 역수와 같다. 3. 등가회로 직렬, 병렬회로의 특성을 이용해 해석하기 편리한 등가회로를 만들 수 있다. 복잡한 직병렬 조합회로에서 합성저항값, 전압분배법칙, 전류분배법칙을 이용해 간단한 등가회로로 대체해도 원래 회로와 같은 전류와 전압 값을 측정할 수 있다. 4. 옴의 법칙 옴의 법칙을 사...2025.05.13
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알기쉬운 회로이론(2장)2025.01.121. 병렬저항 병렬저항의 총저항 수식과 전류 분배법칙을 설명하고 있습니다. 병렬저항의 총저항은 각 저항의 역수를 더한 값의 역수로 계산할 수 있으며, 전류 분배법칙을 사용하면 각 병렬저항에 흐르는 전류를 구할 수 있습니다. 2. 직렬저항 직렬저항의 총저항 수식과 전압 강하 계산 방법을 설명하고 있습니다. 직렬저항의 총저항은 각 저항의 합으로 계산할 수 있으며, 전압 강하는 각 저항에 흐르는 전류와 저항값의 곱으로 구할 수 있습니다. 3. 전류 분배 병렬 회로에서 전류 분배 법칙을 사용하여 각 병렬 저항에 흐르는 전류를 계산하는 방법...2025.01.12
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음극선의 편향2025.04.301. 음극선의 편향 실험을 통해 전기장에 의한 전자의 편향 현상을 확인하였습니다. 가속전압을 고정시키고 편향판 전압을 변화시킬 때와 편향판 전압을 고정시키고 가속전압을 변화시킬 때 모두 이론값과 유사한 결과를 얻었습니다. 다만 약간의 오차가 발생했는데, 이는 전자빔의 도착지점 측정, 초기 편향, 진공상태 등의 요인으로 인한 것으로 분석되었습니다. 2. 전자의 속력 계산 가속전압이 200V, 250V, 275V일 때 전자의 속력을 각각 계산해 보았습니다. 가속전압이 증가할수록 전자의 속력이 증가하는 것을 확인할 수 있었습니다. 3. ...2025.04.30
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중앙대학교 전기회로설계실습10. RLC 회로의 과도응답 및 정상상태 응답(예비) A+2025.01.271. RLC 직렬회로의 과도응답 및 정상상태 응답 RLC 직렬회로에서 R= 500 Ω, L= 10 mH, C= 0.01 ㎌인 경우 ωo, ωd를 계산하였습니다. 부족감쇠 상태의 경우 전류가 +, -로 진동하며 이 진동 주파수는 ωd로 계산되었습니다. 입력이 사각파인 경우 부족감쇠 응답을 시뮬레이션하였고, R = 4 ㏀인 경우 과감쇠 응답을 시뮬레이션하였습니다. 임계감쇠가 되는 저항값을 계산하였고, 가변저항을 사용하여 임계감쇠 상태를 측정하는 방법을 설명하였습니다. 또한 입력이 사인파인 경우 각 소자에 걸리는 전압의 크기와 위상차를 ...2025.01.27
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아주대학교 물리학실험2 축전기의 충방전(A+)2025.01.231. 축전기의 충전 현상 축전기의 충전 현상은 지수함수로 표현할 수 있으며, 전압이 시간에 따라 초기에는 빠르게 증가하다가 점점 증가 속도가 느려져 전원 전압에 근접하게 된다. 실험 결과 전압의 최댓값은 3.964V였으며, 반감기 때의 전압은 1.979V였다. 이를 통해 반감기와 시간상수의 관계식 T= ln2이 성립함을 확인할 수 있었다. 2. 축전기의 방전 현상 축전기의 방전 현상 또한 지수함수로 표현할 수 있으며, 전압이 시간에 따라 초기에는 빠르게 감소하다가 점점 감소 속도가 느려져 0에 근접하게 된다. 실험 결과 방전 시 초...2025.01.23
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
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