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RLC 실험 보고서 (A+)2025.01.241. RLC 회로 RLC 회로는 저항(R), 인덕터(L), 커패시터(C)로 이루어진 회로를 말한다. 인덕터는 전류의 변화량에 비례하여 전압을 유도하는 고리 모양의 얇은 금속 선으로 이루어진 코일이며, 전류가 흐르지 않을 때 자기장을 0으로 유지하다가 전류가 흐르게 되면 자기장이 발생하게 된다. 커패시터는 금속판 사이에 유전체가 끼어있는 형태를 가지고 있으며, 전원이 켜지고 전류가 흐를 때 양쪽 금속판에 (+)전하와 (-)전하가 생기면서 전기에너지가 생기게 된다. 2. 임피던스 임피던스는 교류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내며, 직류...2025.01.24
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실험 07_이미터 팔로워 결과보고서2025.04.281. 이미터 팔로워 증폭기 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로 분석 실험을 통해 이미터 팔로워 회로의 DC 조건, 입력-출력 전달 특성, ...2025.04.28
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 8 공통 베이스 증폭기)2025.01.291. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 베이스를 공통 단자로 사용하는 트랜지스터 증폭기 회로로, 주로 고주파 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 입력 신호는 이미터에 인가되며, 출력 신호는 컬렉터에서 얻어진다. 베이스는 고정된 전압을 유지하며 입력과 출력 사이에서 공통 노드로 동작한다. 공통 베이스 회로는 전압 증폭에는 유리하며, 입력 신호에 비해 출력 신호가 크게 증폭된다. 또한 입력 임피던스가 매우 낮고 출력 임피던스가 비교적 높다. 2. 공통 베이스 증폭기의 특성 공통 베이스 증폭기의 특성은 다음과 같다: 1) 전류 이득은...2025.01.29
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물리분석실험 cyclic voltammetry 결과 레포트2025.04.291. 전기화학 실험 이 실험에서는 전기화학 실험을 위한 전극의 물리적, 화학적 클리닝과정을 이해하고 전기화학 실험에서 각 전극의 역할과 전해질의 역할에 대해 이해한다. 여러가지 전기화학 분석법 CV, CC, CA, SWV를 이용하여 Ruthenium hexammine을 정성, 정량분석을 진행하며 전기화학 분석법을 익힌다. 마지막으로 Methyl Viologen을 전기화학 분석법을 통해 정량 분석한다. 2. 전기화학 분석법 전기화학 분석법에서는 potentiostat이라는 장비와 working, counter, reference el...2025.04.29
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직류 발전기의 구성 4요소와 각각의 역할2025.01.231. 계자 계자는 직류 발전기의 외곽에 위치하며, 발전기 내부에서 자속을 생성하는 역할을 담당합니다. 자속은 발전기 내부에서 발생하는 전기 에너지를 형성하는 데 필수적인 요소로, 계자 권선에 흐르는 전류에 의해 만들어집니다. 계자는 주자속을 형성하며, 이 자속은 전기자에서 회전 운동을 통해 유도 전류를 발생시키는 원동력이 됩니다. 2. 전기자 전기자는 발전기의 핵심 회전 부품으로, 기계적인 에너지를 전기 에너지로 변환하는 중요한 역할을 합니다. 전기자는 계자에서 생성된 자속을 끊어 기전력을 유도하며, 이는 발전기의 전기 출력으로 이...2025.01.23
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옴의법칙측정 예비보고서2025.01.121. 옴의 법칙 옴의 법칙은 금속 도체 양단에 전압 V가 가해질 때 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로, V=IR (V=전압, I=전류, R=저항)의 관계를 갖는다. 옴의 법칙을 따르는 저항의 경우, 저항은 기울기의 역수로 주어져 전압과 전류의 관계가 직선으로 나타난다. 반대로 공급전압에 따라 저항 값이 변하는 물질들은 '비옴물질'이라고 하며, 이때 저항이 전압에 따라 일정하지 않은 값을 가져 곡선으로 나타나게 된다. 2. 전압 전압은 전하가 전위가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동할 때 전위의 차이를 의미한다. 전압이...2025.01.12
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 16 전류원 및 전류 거울)2025.01.291. 전류원 (Current Source) 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 (Current Mirror) 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫...2025.01.29
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