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일반물리학 실험 2 - 교류회로2025.01.221. R 회로 R 회로에서 교류전압은 저항과 교류전류의 곱으로 나타내어 짐을 의미한다. R 회로에서 교류 전류는 주파수에 의존하지 않음을 알 수 있다. R회로에 교류전원을 공급할 때 시간에 따른 전압, 전류를 나타낸 그래프에서 위상차가 발생함을 확인하였다. 2. C 회로 C회로에서 저항 역할을 하는 용량 리액턴스와 전류의 곱으로 전압을 나타낼 수 있다. 주파수가 증가함에 따라 교류 전류가 증가하는 선형성을 보인다. 주파수가 증가하면 용량 리액턴스가 감소하고, 단위 리액턴스당 교류전압으로 정의되는 교류전류가 증가함을 알 수 있다. C...2025.01.22
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_4 옴의 법칙2025.05.131. 전류 전류는 회로 안의 전하의 흐름을 의미하며, 전류의 측정 단위는 암페어(ampere)입니다. 암페어는 1초 동안 회로의 한 점을 통해 지나간 전하의 양으로 정의됩니다. 전류는 약자로 I로 쓰며 화살표로 흐르는 방향을 나타냅니다. 전류의 방향은 전기장에 의해 양전하가 움직이는 방향으로 정의되므로 실제 전자(음전하)가 움직이는 방향은 전류가 흐르는 방향과 반대가 됩니다. 2. 전류와 전압 사이의 관계 전기부품의 특성은 전류와 전압 사이의 관계를 통해 알아낼 수 있습니다. 그래프를 그리려면 한 변수(variable)의 값을 바꾸...2025.05.13
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당뇨병 예방 교육 계획서2025.01.141. 당뇨병의 정의와 원인 당뇨병의 정의와 원인을 설명합니다. 당뇨병은 인슐린 결핍과 인슐린 저항성, 흡연, 음주, 비만 등이 원인이 됩니다. 2. 당뇨병의 판정기준과 종류 당뇨병의 판정기준과 종류에 대해 설명합니다. 당뇨병의 종류에는 제1형 당뇨병과 제2형 당뇨병이 있습니다. 3. 당뇨병의 증상과 합병증 당뇨병의 증상으로는 체중 감소, 다뇨, 시야 이상, 피로 등이 있으며, 합병증으로는 케톤산 혈증, 저혈당, 심혈관계질환 등이 있습니다. 4. 당뇨병의 예방 및 관리방법 당뇨병을 예방하고 관리하는 방법으로는 운동, 식이요법, 충분한...2025.01.14
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휘트스톤 브릿지를 이용한 옴의 법칙 검증 실험2025.11.141. 옴의 법칙 옴의 법칙은 대부분의 도체에서 성립하는 기본 법칙으로, 전류와 전압의 일차적 상관관계를 기술하는 저항을 정의한다. 전기장에 의해 전자가 가속하여 발생하는 전류는 물질의 불순물, 격자의 불균일성, 포논과의 충돌로 인해 평균적으로 일정한 속력으로 표류한다. 전류밀도는 전기전도도와 전기장의 곱으로 표현되며, 균일한 도체에서 저항은 길이에 비례한다. 옴의 법칙 유도에서 전자밀도가 일정함을 가정하므로, 옴의 법칙 검증은 도체의 전자밀도 균일성 검증과 동치이다. 2. 휘트스톤 브릿지 회로 휘트스톤 브릿지는 4개의 저항으로 구성...2025.11.14
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MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 IREF = 10 mA인 단일 Current Mirror를 설계한다. M1, M2는 동일한 트랜지스터이며 Gate와 Source 단자를 공유한다. Data sheet에서 Vth = 2.1 V, VGS = 2.41 V를 구하고, R1 = 759Ω으로 계산된다. M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건은 VDS ≥ 0.31 V이며, RL의 최대값은 969Ω이다. PSPICE 시뮬레이션 결과 IREF = 10.09 mA, IO = 1...2025.11.13
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RC 회로 실험 결과보고서2025.11.131. RC 회로의 충방전 특성 RC 회로는 저항과 축전기로 구성되며, 충전 시 전류는 처음에 허용되지만 축전기가 충전되면서 0으로 수렴한다. 축전기 전하는 최종값을 향해 시간에 대해 지수적으로 증가하고, 방전 시에는 지수함수적으로 감소한다. 이러한 특성은 그래프상에서 곡선 형태로 나타나며, 저항값이 증가할수록 그래프의 기울기가 완만해진다. 2. 전기용량과 반감기 전기용량은 단위 전압당 전하량으로 정의되며, 단위는 패럿(F)이다. 반감기는 축전기를 반 정도 채우거나 방전하는데 걸리는 시간으로, 전압이 4V에서 2V로 떨어지거나 0V에...2025.11.13
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 예비보고서2025.04.251. 건전지의 내부저항 측정 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였습니다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 전력 소비를 최소화하도록 하였습니다. 측정 절차는 DMM의 검은 선을 COM단자, 빨간 선을 V단자에 연결하고 측정 단위를 V로 맞춘 후, DMM과 10Ω 저항을 병렬로 연결하여 전압 V를 측정합니다. 이 값을 식 'Vr * Vb / (Vb - Vr)'에 대입하여 건전지의 내부저항 Rb를 구할 수 있습니다. 10Ω 저항에 소비되는 전력 P는 P = V^2 / R이 될 것입니다. 2. DC 전원 ...2025.04.25
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주식 추세선과 이동평균선 분석 보고서2025.11.161. 추세선의 정의 및 종류 추세선은 주가의 고점과 저점 중 의미 있는 두 지점을 연결한 직선입니다. 저점을 연결하여 위로 향하는 것을 상승추세선(지지선)이라 하며, 고점을 연결하여 아래로 향하는 것을 하락추세선(저항선)이라 합니다. 지지선에서는 매수하고 저항선에서는 매도하는 기본 원칙이 있습니다. 2. 추세선의 신뢰도 판단 추세선의 신뢰도는 길이가 길수록 높으며, 강세장에서 개별기업의 추세선은 6~8주 움직이는 것이 일반적입니다. 완만한 기울기를 보이는 종목에 투자하는 것이 좋으며, 일반적으로 45도 정도의 기울기를 이상적인 상승...2025.11.16
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계2025.11.151. RC회로 시정수(Time Constant) RC회로의 시정수는 τ = RC로 정의되며, 커패시터의 충방전 시간을 결정하는 중요한 파라미터이다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항(10.492MΩ)과 커패시터(2.23μF)를 이용하여 시정수를 측정했으며, 이론값 23.397s와 실험값 22.17s의 오차는 -0.052%로 매우 정확했다. 또한 설계된 회로에서 τ=10μs를 목표로 저항 875.656Ω과 커패시터 11.42nF를 사용하여 실험값 9.6μs를 얻었고 오차는 -0.04%였다. 2. DMM(Digital Multimeter...2025.11.15
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