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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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BJT 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.11.161. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 전압분배기 바이어스 회로의 변형으로, 동작점 설정과 안정도 향상을 목적으로 한다. 에미터 저항값에 β를 곱한 값이 베이스 저항값보다 크면 베이스 전압이 거의 일정하게 유지되어 에미터 전류가 트랜지스터의 영향을 적게 받는다. 에미터 전압이 상승하면 베이스 전류가 감소하여 에미터 전압이 자동으로 감소하는 음의 피드백 특성을 가진다. 고정 바이어스 회로보다 향상된 안정도를 제공하며, 베이스에서 누설되는 전류가 없다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 베이스 저항...2025.11.16
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BJT 바이어스 회로의 동작점 분석 및 특성 비교2025.11.161. BJT 동작 영역 바이폴라 접합 트랜지스터는 차단, 활성, 포화의 3가지 영역으로 동작한다. 차단영역은 Emitter와 Base 사이에 역방향 전압을 공급하여 전류 흐름이 없는 상태이고, 활성영역은 Base-Emitter 간 순방향, Base-Collector 간 역방향 전압으로 선형 증폭이 가능하며, 포화영역은 모두 순방향 바이어스되어 스위치 완전 ON 상태가 된다. 증폭기로 사용되려면 활성영역의 중간에서 동작하도록 바이어스를 설정해야 한다. 2. 고정 바이어스 회로 가장 기초적인 바이어스 방법으로 베이스 전류는 회로의 전압...2025.11.16
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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JFET 특성 및 바이어스 회로 실험2025.11.161. JFET 포화전류 및 핀치오프 전압 JFET의 기본 특성을 측정하는 실험으로, 포화전류(IDSS)는 9mA, 핀치오프 전압(VP)은 -4V로 측정되었다. VGS가 -3.5V 이상일 때 핀치오프 상태가 발생하며, 이 상태에서는 드레인 전류(ID)가 0에 가까워진다. 핀치오프는 게이트-소스 간 역방향 바이어스가 증가하면서 채널이 차단되는 현상이다. 2. JFET 전달특성 및 출력특성 VGS 값의 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 전달특성과 VDS 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 출력특성을 분석했다. VGS=0V일 때 ID는 최대...2025.11.16
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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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BJT 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 실험2025.11.181. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 이미터 쪽에 저항을 추가한 구조로, 베이스 입장에서 negative feedback을 발생시켜 동작점을 안정화시킨다. 베타 값 증가로 인한 컬렉터 전류 증가 시 이미터 전압이 상승하여 베이스 전류를 감소시키고, 이를 통해 컬렉터 전류 변화를 억제한다. 회로방정식 분석 결과 RE >> RB/β 조건에서 IC가 베타 값에 거의 영향을 받지 않으며, 이는 동작점 안정성을 크게 향상시킨다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 회로는 베이스 저항이 VCC에 직접...2025.11.18
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 BJT 증폭기의 베이스 전압과 컬렉터 전류를 안정적으로 설정하기 위해 사용된다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전압 V_B, 베이스 전류 I_B, 컬렉터 전류 I_C, 컬렉터 전압 V_C 등의 관계식을 통해 회로의 동작을 이해할 수 있다. 이 회로는 온도 변화나 트랜지스터 특성의 변화에도 안정적인 동작을 보장한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 트랜지스터 증폭기의 ...2025.01.29
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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[경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트2025.05.101. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드의 특성) 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 법칙으로 V=IR로 표현된다. 일반적인 저항체의 경우 양단에 걸리는 전압 V와 저항에 흐르는 전류 I가 비례한다. 반면에 반도체를 이용한 트랜지스터나 다이오드의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고, 전기저항은 걸린 전압의 크기나 방향에 따라 달라진다. 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류를 직류로 변환하는데 쓰인다. 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류-전압 특성으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다. 2. 키르히호프(K...2025.05.10
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