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고려대학교 디지털시스템실험 A+ 13주차 결과보고서2025.05.101. 컴퓨터 시스템의 기본 구조 이번 실험을 통해 Simple Computer의 동작을 구현해 보고 이해할 수 있었습니다. Control Unit, Data Path, Register File, Function Unit 등 컴퓨터 시스템의 기본적인 구조를 이해하고 실험을 진행했습니다. 2. Simple Computer 시뮬레이션 코드를 작성하고 시뮬레이션을 돌려보는 과정에서 코드 작성 순서를 지키지 않거나 Radix 설정을 잘못하는 등 작은 실수들이 여러 번 있었지만, 그만큼 많이 배울 수 있었습니다. Simple Computer의...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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Arena를 이용한 시뮬레이션 연습문제 4-362025.01.231. 시뮬레이션 모델링 이 문제는 Arena 시뮬레이션 소프트웨어를 사용하여 두 가지 유형의 부품이 3개의 작업장을 거치는 시스템을 모델링하고 분석하는 것입니다. 부품 유형 1은 평균 5분의 지수 분포 도착 시간을, 부품 유형 2는 평균 7분의 지수 분포 도착 시간을 가지며, 각 작업장의 처리 시간은 삼각 분포로 모델링됩니다. 2,000분 동안 시뮬레이션을 실행하여 부품 유형별 평균 및 최대 시스템 체류 시간을 분석하고, 첫 번째 작업장의 병목 현상을 확인하였습니다. 1. 시뮬레이션 모델링 시뮬레이션 모델링은 복잡한 시스템이나 프로...2025.01.23
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디지털통신시스템설계실습11주차2025.05.091. OFDM 신호 송수신 시뮬레이션 이번 과제를 통해 OFDM 신호의 송수신을 시뮬레이션 해볼 수 있었습니다. 변조 방식은 BPSK를 이용했고, 실습에서 이용했던 코드를 기반으로 과제를 진행했습니다. 변조된 신호는 OFDM 변조에 해당하는 IFFF 함수를 사용하여 시간 도메인으로 변환하여 이후 각 심볼에 부반송파를 곱하고 결합하여 OFDM 신호를 전송하는 과정을 볼 수 있었습니다. 복조를 위해 수신된 OFDM 신호는 먼저 FFT 함수를 이용해 부반송파로 나누어 주파수 영역 표현을 얻었습니다. 그 다음 복조된 신호를 qamdemod...2025.05.09
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Capacitor의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. 기본 RC 회로 실험 기본 RC 회로 실험의 결과, 모두 Capacitor 양단 전압 파형이 충전과 방전이 반복되는 파형으로 관찰되었다. 실험 이론상 RC의 식으로 시정수 값을 찾아낼 수 있었는데, RC 값이 클 경우 시정수에 근접하게 관찰되어 성공적인 실험임을 알 수 있었다. RC 값이 작을 경우에는 시정수에 비해 주기가 매우 짧기 때문에 최대값의 63.2%에서 관찰하기 힘들었다. 평균 전압은 0에 가깝게 관찰되었다. 2. Diode를 이용한 RC 회로 실험 Diode를 이용한 RC 회로 실험의 결과, 기본 RC 회로와는 다...2025.01.12
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
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[A+보고서] 회로이론 프로젝트 결과 보고서_수동필터와 스피커 설계2025.05.131. 수동 필터 설계 실험을 통해 500Hz만 통과시키는 LPF(low pass filter)와 500Hz, 300Hz 모두 차단하는 LPF(low pass filter)를 설계하였다. 차단 주파수 계산과 주파수에 따른 정현파 변화를 관찰하였으며, RC 수동 필터의 이론과 특성을 이해하게 되었다. 2. 오디오 앰프 데이터시트 분석 LM4752 오디오 앰프의 데이터시트를 분석하여 입력 임피던스, 슬루율, PSRR, 폐루프 이득 등의 특성을 이해하고, 이를 바탕으로 앰프 설계에 활용할 수 있게 되었다. 3. 필터 설계 과정 필터를 독립...2025.05.13
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부산대 기초전기전자실험 결과보고서 3주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. 노드 해석 노드 a, b, c에 걸리는 전압을 구하고 각 도선에 흐르는 전류를 수식으로 구하였다. 키르히호프의 법칙과 옴의 법칙을 이용하여 이론값을 계산하였고, 실험을 통해 측정값을 확인하여 이론값과 거의 일치함을 보였다. 2. 메쉬 해석 메쉬 해석법을 이용하여 회로를 분석하였다. 키르히호프 전압 법칙을 적용하여 3개의 연립방정식을 구하고 계산한 이론값과 실험 측정값이 거의 일치함을 확인하였다. 1. 노드 해석 노드 해석은 데이터 분석 및 시각화 분야에서 매우 중요한 기술입니다. 노드는 데이터 구조에서 개별 데이터 포인트를 나...2025.05.16
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. TFET 디바이스 및 특성 TFET는 밴드-대-밴드 터널링 메커니즘을 사용하여 MOSFET의 60mV/decade 한계를 극복할 수 있는 초저전력 애플리케이션의 유망한 후보로 부상했다. TFET 디바이스의 단방향 전류 전도 특성과 낮은 온전류로 인해 SRAM 셀의 견고성이 저하되는 문제가 있다. 이 논문에서는 TFET 회로 스위칭/출력 특성/성능과 기본 물리학을 자세히 분석하고, SRAM의 평가 요소인 SNM을 조사하고 표현한다. 또한 TFET와 MOSFET을 함께 사용하는 하이브리드 GAA 6T SRAM을 제안한다. 2. S...2025.05.10
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Arena를 이용한 시뮬레이션 연습문제 4-302025.01.231. 외래병원 환자 도착 시뮬레이션 외래병원에 환자들은 평균 5.95분인 지수분포 시간 간격으로 도착한다. 첫 번째 환자는 시각 0에 도착한다. 병원에는 5개의 스테이션이 있으며, 접수창구, 간호사실, 검사실, 실험 및 X-RAY실, 수납창구로 구성되어 있다. 각 스테이션의 서비스 시간과 환자 이동 확률이 주어져 있으며, 스테이션 간 이동 시간은 무시한다. 일일 24시간 계속해서 30일 동안 시뮬레이션을 실행한다. 2. Arena 시뮬레이션 모델링 Arena 시뮬레이션 모델을 구축하여 외래병원 환자 도착 및 처리 과정을 모의실험한다...2025.01.23
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