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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 NMOS의 소신호 등가회로는...2025.01.29
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실험 16_전류원 및 전류 거울 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 특성 구하기 MOSFET의 특성을 구하기 위해 [그림 16-1]과 [그림 16-2]의 회로를 구성하여 실험을 진행한다. [그림 16-1]의 회로를 통해 문턱전압 |V_thp|를 구하고, [그림 16-2]의 회로를 통해 μ_p C_ox W/L를 구할 수 있다. 2. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 공통 소스 증폭기에서 부하로 트랜지스터를 사용하는 능동 부하 회로를 구성할 수 있다. [그림 16-3]과 [그림 16-4]는 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기의 개념도와 회로도를 보여준다. 3. 정전류원과 전류 거울을...2025.04.27
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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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건국대학교 물리학및실험2 5주차 옴의 법칙 실험레포트2025.01.031. 옴의 법칙 옴의 법칙은 장치를 통과하는 전류가 항상 장치에 적용되는 전위차에 정비례한다는 법칙이다. 이는 특정 상황에서만 적용되지만, 역사적인 이유로 인해 법칙이라는 용어를 사용한다. V=IR 방정식은 옴의 법칙을 따르는지 여부와 관계없이 모든 전도 장치에 적용된다. 옴의 법칙의 본질은 I-V 관계가 선형이라는 것이다. 즉, 저항 R은 전압 V에 대해 독립적이다. 2. 직렬 및 병렬 회로 회로에서 여러 개의 저항으로 구성된 경우, 저항체들은 직렬 연결법과 병렬 연결법으로 구분된다. 직렬 연결에서 합성저항 Rs는 각 저항의 합이...2025.01.03
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R, L, C 소자의 특성_예비레포트2024.12.311. 저항 회로 저항만을 가지는 이상적 저항기를 통하여 정현파 전류가 흐를 때 저항기 양단의 전압은 옴의 법칙으로부터 표현할 수 있다. 전압과 전류의 최댓값 사이의 관계는 V = IR이며, 실효값은 V = IR 또는 I = V/R로 표현할 수 있다. 저항만의 교류 회로에서 전압과 전류는 동일 주파수이며, 동상의 정현파이다. 2. 인덕터 회로 인덕터에 정현 전류가 흐를 때 전류의 방향으로 생기는 전압 강하는 V = -Ldi/dt로 나타낼 수 있다. 전압과 전류의 최댓값 사이의 관계는 V = IXL이며, 실효값은 V = IXL 또는 I...2024.12.31
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 예비보곳서2025.05.161. DMM 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 회로에 전압원에 V(V)가 측정될 때, 전압원과 22MΩ, DMM을 직렬로 연결하면 DMM 내부저항 Rin을 구할 수 있다. DMM에 걸리는 전압을 측정하여 V_0라고 두면 KVL을 만족해야 하기 때문에 V_0 = {Rin} over {22M OMEGA +Rin} V (V) 식을 통해 Rin을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법은 회로에 전압원에 연결된...2025.05.16
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부산대 기초전기전자실험 예비보고서 1주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. 직류 회로 전압 측정 전압분배 법칙에 따르면 V0=3000/(1000+3000)*5= 3.75V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.677V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 4k옴으로 바꾼 후, V0는 전압분배 법칙에 따르면 4V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.923V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 2. 교류 회로 전압 측정 이론 결과 주파수 1kHz, 진폭 5Vp-p, 오프셋 전압은 0V로 입력파형을 주었다. 실험 결과는 보고서에 자세히 기술되어 있다. 3. 직류 회로 전류 측정 옴의 법칙에 ...2025.05.16
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BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로2025.01.121. BJT 바이어스 회로 이번 실험에서는 BJT의 고정 바이어스 회로와 전압 분배기 바이어스 회로를 구성하여 각 소자에 걸리는 전압을 측정하고 전류의 관계를 확인하였다. 고정 바이어스 회로에서는 트랜지스터를 바꾸어가며 측정했을 때 V_C와 I_C에 큰 차이가 발생했지만, 전압 분배기 바이어스 회로에서는 대부분의 값이 일정하게 유지되었다. 이를 통해 전압 분배기 바이어스 회로가 고정 바이어스 회로에 비해 더 안정적인 회로라는 것을 알 수 있었다. 2. 트랜지스터 특성 측정 실험에서는 트랜지스터의 β 값을 측정하고 이론값과 비교하였다...2025.01.12
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