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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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기초전자실험_9장_BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스_결과레포트2025.04.301. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로는 하나의 전원을 사용하여 바이어스 전압을 얻고 전류를 공급하는 회로입니다. 동작점의 전류와 전압 값들이 전원 전압과 부하 저항에 직접적인 영향을 받아 안정도가 좋지 않습니다. 안정성을 높이기 위해 부하 저항 값을 줄이게 되는데, 이 경우 전압 이득이 감소하게 되어 주로 스위치 회로에 사용됩니다. 2. 전압분배기 바이어스 회로 전압분배기 바이어스 회로는 두 개의 저항으로 전원 전압을 분배하는 바이어스 회로입니다. 비교적 구조가 복잡하지만 전압 이득 때문에 증폭기에 가장 폭넓게 사용되는 회로...2025.04.30
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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실험 05_BJT 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 가장 기본적인 바이어스 회로로, 저항 R_B1 또는 R_B2의 변화에 따라 V_BE 전압과 I_C의 변화가 심...2025.04.27
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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실험 12 . B급 전력 증폭기 회로실험2025.05.111. B급 증폭기의 특성 B급 동작 트랜지스터의 특성은 컬렉터 전류가 오직 교류 사이클 중에서 180° 동안만 흐른다는 것을 의미한다. B급 동작의 이점은 트랜지스터의 전력소비를 낮추고, 전력유출을 감소시키는데 있다. 푸시-풀 회로를 사용하면 낮은 왜곡, 큰 부하전력, 높은 효율을 갖게 된다. 2. 교차왜곡(crossover distortion) B급 푸시-풀 이미터 활로워에서 입력되는 교류전압이 전위장벽을 극복할 수 있는 0.7V까지 증가해야 하므로, 반주기동안에 클리핑이 생기게 되어 신호가 왜곡된다. 이러한 크로스오버 왜곡을 제...2025.05.11
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Common Emitter Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 R_{sig} =50 ohm, R_{L} =5k ohm, V_{CC} =12V 인 경우, B=100인 NPN BJT를 사용하여 R_{in}이 k ohm 단위이고 amplifier gain(v_{o} /v_{in})이 -100V/V이며 emitter 저항 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 회로 설계, 시뮬레이션, 측정 및 특성 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. Common ...2025.04.27
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