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전자회로 실험 12. JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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전자공학실험 18장 증폭기의 주파수 응답 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성을 분석하여 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지를 알아야 한다. 또한 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의 곱은 일정한 관계가 성립하는데, 실험을 통해 이러한 관계를 이해하고자 한다. 2. 공통 소스 증폭...2025.01.13
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[전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)2025.04.291. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로, 구조는 금속-산화막-반도체로 이루어져 있다. NMOS는 바디가 p형 기판, 소스와 드레인이 n+로 도핑된 구조이고, PMOS는 바디가 n형 기판, 소스와 드레인이 p+로 도핑된 구조이다. 게이트에 전압이 인가되면 채널이 형성되어 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다. MOSFET은 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가지며, 각 영역에서의 단자 전압과 전류 관계...2025.04.29
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트랜지스터 결과보고서2025.01.051. 트랜지스터 스위칭 기능 트랜지스터 스위칭 회로는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 스위칭할 수 있는 회로로 많이 사용되고 있다. 이 회로에서 트랜지스터의 콜렉터는 전류를 흡입하는 기능이므로 전류를 출력할 수 없다. 사용법은 제어하고 싶은 것의 플러스쪽을 전원에 연결하고 마이너스쪽을 트랜지스터의 콜렉터에 연결한 후, 베이스 전류를 ON/OFF하면 부하의 전류를 ON/OFF할 수 있다. 2. 트랜지스터 스위칭 동작원리 트랜지스터의 이미터와 컬렉터 간을 도통 상태로 하려면 베이스 전류 IB가 흐르게 하면 된다. 이를 반대로 생각...2025.01.05
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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