총 314개
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계2025.04.301. Push-Pull Amplifier 특성 설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계목적: RL=100Ω, Rbias=1kΩ, VCC=12V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험한다. 그림 1(a) 회로를 simulation 하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 simulation하여 입...2025.04.30
-
비콘과 블루투스의 기능 및 활용 사례2025.01.291. 비콘의 기능 및 특징 비콘은 저전력 블루투스(Bluetooth Low Energy, BLE) 기술을 기반으로 신호를 주기적으로 송출하는 장치입니다. 비콘은 특정 위치에 설치되어 해당 위치의 정보를 송출하며, 스마트폰 등의 기기가 이를 수신하여 사용자에게 특정 정보를 제공하거나 특정 행동을 유도할 수 있습니다. 비콘의 주요 특징은 저전력 소모, 설치의 용이성, 그리고 다양한 형태로의 커스터마이징 가능성입니다. 2. 비콘의 활용 사례 비콘은 박물관, 공항, 물류 관리 분야 등에서 다양하게 활용됩니다. 박물관에서는 방문자에게 전시물...2025.01.29
-
RLC회로의 감쇠진동2025.05.011. RLC회로의 감쇠진동 RLC회로에서 저항이 존재하면 전자기 에너지가 열에너지로 전환되어 빠져나가기 때문에 전하와 전류, 전압의 진동 진폭이 점차 줄어드는 감쇠진동이 발생한다. 감쇠진동을 기술하는 미분방정식은 L(d^2q/dt^2) + R(dq/dt) + q/C = 0이며, 그 해는 q = Qe^(-Rt/2L)cos(ω't + φ)로 표현된다. 여기서 ω'은 감쇠가 있을 때의 각진동수로 감쇠가 없을 때의 각진동수 ω보다 작다. 2. 저항소모율 RLC회로의 감쇠진동을 정량적으로 계산하기 위해서는 일률(저항소모율)에 관한 식을 세워...2025.05.01
-
아날로그 및 디지털회로 설계 실습 실습8_래치와 플립플롭_예비보고서2025.01.211. 래치 래치는 순차식 논리회로의 기본 소자로, 다양한 종류의 래치가 있으며 각각의 기능과 동작 조건이 다르다. RS 래치의 진리표와 상태도를 분석하여 래치의 특성을 이해할 수 있다. 2. 플립플롭 플립플롭은 래치와 함께 순차식 논리회로의 기본 소자이다. 플립플롭의 종류와 동작 원리를 이해하고, 실습을 통해 플립플롭의 특성을 확인할 수 있다. 1. 래치 래치는 디지털 회로에서 중요한 역할을 합니다. 래치는 입력 신호를 저장하고 유지하는 기능을 수행하여 디지털 시스템의 안정성과 신뢰성을 높입니다. 래치는 메모리 소자, 카운터, 레지...2025.01.21
-
microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
-
[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 논리함수와 게이트2025.05.101. NAND 게이트 설계 및 특성 분석 NAND 게이트를 AND, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 1인 경우 출력이 0이 되는 것을 확인할 수 있었다. NAND 게이트의 진리표를 제시하였다. 2. NOR 게이트 설계 및 특성 분석 NOR 게이트를 OR, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 0인 경우 출력이 1이 되는 것을 확인할 수 있었다. NOR 게이트의 진리표를 제시하였다. 3. XOR 게이트 설계 및 특성 분석 XOR 게이트의 회로도와 시뮬레이션 결과를 제시...2025.05.10
-
컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징, 그리고 NAND Flash Memory의 장단점2025.01.081. 컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징 컴퓨터 주기억 장치에는 SRAM, DRAM, NAND Flash Memory, NOR Flash Memory 등이 있습니다. SRAM은 높은 속도와 낮은 전력 소비를 가지고 있으며, DRAM은 대용량 메모리를 저렴하게 구성할 수 있습니다. NAND Flash Memory는 비휘발성 메모리로서 대용량 저장이 가능하고, NOR Flash Memory는 읽기 속도가 빠르고 안정적인 데이터 보호가 가능합니다. 각각의 주기억장치는 서로 다른 특징과 장단점을 가지고 있어, 사용자의 요구 사항에 따라 적절...2025.01.08
-
뉴로모픽 반도체와 스파이킹 신경망의 융합2025.01.171. 뉴로모픽 반도체 뉴로모픽 반도체는 인간의 뇌 신경망을 모방한 집적 회로입니다. 이 기술은 전통적인 디지털 컴퓨팅과 달리 아날로그 신호를 사용하여 뉴런과 시냅스의 동작을 모방합니다. 뉴로모픽 반도체의 핵심은 저전력 소비와 고효율 데이터 처리 능력입니다. 신경망 모방, 스파이크 신경망(SNN), 비동기적 처리 등의 특징을 가지고 있습니다. 2. 스파이킹 신경망(SNN) 스파이킹 신경망은 뉴런이 전기적 신호를 스파이크 형태로 주고받는 방식으로 동작합니다. 이는 인간의 신경망이 정보를 처리하는 방식을 보다 정확하게 모방한 것입니다. ...2025.01.17
-
RLC회로의 감쇠진동에 대한 정리2025.05.021. RLC회로의 감쇠진동 기술 RLC회로에서 저항이 존재하면 전체 회로 내 전자기 에너지(전기 에너지와 자기 에너지의 합)가 일정하지 않습니다. 저항에서 전자기 에너지가 열에너지로 전환되어 빠져나가기 때문에 전하와 전류, 퍼텐셜차의 진동은 진폭이 점차 줄어드는 형태로 나타나는데, 이를 감쇠진동(damped oscillation)이라고 합니다. 2. 저항소모율 RLC회로의 감쇠진동을 보다 정량적으로 계산하기 위해서는 일률(저항소모율)에 관한 식을 세워야 합니다. 전하량의 변화(dq), 전자기 에너지의 변화(dU), 옴의 법칙(Ohm...2025.05.02
-
핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
3 / 32
