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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 논리함수와 게이트2025.05.101. NAND 게이트 설계 및 특성 분석 NAND 게이트를 AND, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 1인 경우 출력이 0이 되는 것을 확인할 수 있었다. NAND 게이트의 진리표를 제시하였다. 2. NOR 게이트 설계 및 특성 분석 NOR 게이트를 OR, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 0인 경우 출력이 1이 되는 것을 확인할 수 있었다. NOR 게이트의 진리표를 제시하였다. 3. XOR 게이트 설계 및 특성 분석 XOR 게이트의 회로도와 시뮬레이션 결과를 제시...2025.05.10
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컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징, 그리고 NAND Flash Memory의 장단점2025.01.081. 컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징 컴퓨터 주기억 장치에는 SRAM, DRAM, NAND Flash Memory, NOR Flash Memory 등이 있습니다. SRAM은 높은 속도와 낮은 전력 소비를 가지고 있으며, DRAM은 대용량 메모리를 저렴하게 구성할 수 있습니다. NAND Flash Memory는 비휘발성 메모리로서 대용량 저장이 가능하고, NOR Flash Memory는 읽기 속도가 빠르고 안정적인 데이터 보호가 가능합니다. 각각의 주기억장치는 서로 다른 특징과 장단점을 가지고 있어, 사용자의 요구 사항에 따라 적절...2025.01.08
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뉴로모픽 반도체와 스파이킹 신경망의 융합2025.01.171. 뉴로모픽 반도체 뉴로모픽 반도체는 인간의 뇌 신경망을 모방한 집적 회로입니다. 이 기술은 전통적인 디지털 컴퓨팅과 달리 아날로그 신호를 사용하여 뉴런과 시냅스의 동작을 모방합니다. 뉴로모픽 반도체의 핵심은 저전력 소비와 고효율 데이터 처리 능력입니다. 신경망 모방, 스파이크 신경망(SNN), 비동기적 처리 등의 특징을 가지고 있습니다. 2. 스파이킹 신경망(SNN) 스파이킹 신경망은 뉴런이 전기적 신호를 스파이크 형태로 주고받는 방식으로 동작합니다. 이는 인간의 신경망이 정보를 처리하는 방식을 보다 정확하게 모방한 것입니다. ...2025.01.17
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RLC회로의 감쇠진동에 대한 정리2025.05.021. RLC회로의 감쇠진동 기술 RLC회로에서 저항이 존재하면 전체 회로 내 전자기 에너지(전기 에너지와 자기 에너지의 합)가 일정하지 않습니다. 저항에서 전자기 에너지가 열에너지로 전환되어 빠져나가기 때문에 전하와 전류, 퍼텐셜차의 진동은 진폭이 점차 줄어드는 형태로 나타나는데, 이를 감쇠진동(damped oscillation)이라고 합니다. 2. 저항소모율 RLC회로의 감쇠진동을 보다 정량적으로 계산하기 위해서는 일률(저항소모율)에 관한 식을 세워야 합니다. 전하량의 변화(dq), 전자기 에너지의 변화(dU), 옴의 법칙(Ohm...2025.05.02
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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[부산대 어드벤처 디자인] 11장 비동기 및 동기카운터의 설계 예비보고서2025.01.121. 비동기식 계수기 비동기식의 Count-Up 계수기, Count-Down 계수기, 십진계수기 (decade counter) 등의 동작원리를 이해한다. 2. 동기식 계수기 동기식 Count-Up 계수기, Count Down 계수기, 리플 캐리 계수기, BCD 계수기, Modulus N 계수기 등의 동작원리를 이해하고 각각의 동작특성을 확인한다. 3. 가중 계수기 가중 계수기는 각 비트의 수치화 평가에 있어서 변화의 주기가 다른 것으로, 이진계수기와 그레이코드 계수기가 이에 해당한다. 그레이코드 계수기는 동시에 하나의 비트만 변하지...2025.01.12
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서11_Push-Pull Amplifier 설계2025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 결과보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계에서 Classic Push-Pull Amplifier 회로를 구성하고 실험한 결과, 입력전압이 특정 전압보다 작으면 두 BJT가 모두 꺼져 출력전압이 0이 되는 Dead zone이 발생하여 출력파형에 Crossover distortion이 나타남을 확인하였다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pu...2025.01.11
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대한민국이 저전력 반도체에서 초격차 지위를 확보해야하는 이유2025.04.251. SK하이닉스의 기업용 SSD 제품에서의 전력 저감 성과 SK하이닉스도 최근 기업용 SSD 제품에서 획기적인 전력 저감 성과를 내면서 관련 시장에서 치열한 경쟁을 예고하고 있다. 2. 저전력 반도체에서의 초격차 지위 확보 필요성 지금 반도체의 혁신 경쟁 화두가 초거대 반도체라면, 장기적으로는 저전력 반도체로 넘어갈 것이고 초격차 지위를 확보해야만 한국 반도체도 살아남을 수 있을 것이다. 1. SK하이닉스의 기업용 SSD 제품에서의 전력 저감 성과 SK하이닉스는 기업용 SSD 제품에서 지속적인 전력 저감 성과를 달성해왔다. 이는 ...2025.04.25
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MOSFET의 발명에서 현재까지의 발전단계2025.05.101. MOSFET의 정의 MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로, 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET은 엔모스펫, 피모스펫, 씨모스펫 3가지로 분류할 수 있으며, 특히 CMOS는 전력 소모가 매우 적어 컴퓨터의 중앙처리 장치와 같은 로직 소자나 메모리 소자에 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET의 구조 MOSFET은 드레인, 소스, 게이트, 바디로 구성되어 있으며, P형 반도체 기판 위에 N형 반도체 2개를 연...2025.05.10
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