총 295개
-
Push-Pull Amplifier 설계 예비보고서2025.04.271. Push-Pull 증폭기 동작 이해 이 실험의 목적은 Ω Ω인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Deadzone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하는 것입니다. 실험에 사용되는 장비와 부품은 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, DMM, NPN Transistor 2N3904, PNP Transistor 2N3906, 1kΩ 저항, 100Ω 저항, UA741cp op-amp 등입니다. 2. Classic...2025.04.27
-
SRAM 설계 프로젝트2025.01.051. SRAM 설계 SRAM(Static Random Access Memory)은 메모리 소자 중 하나로, 전력이 공급되는 동안 데이터를 유지할 수 있는 메모리입니다. 이 프레젠테이션에서는 SRAM 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. SRAM 셀, 프리차지 회로, 디코더, 센스 앰프, 라이트 드라이버 등 SRAM 설계의 주요 구성 요소들을 설명하고 있습니다. 또한 SRAM 셀의 특성과 동작 원리, 그리고 시뮬레이션 결과를 보여주고 있습니다. 1. SRAM 설계 SRAM(Static Random Access Memory)은 메모리 ...2025.01.05
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 112025.01.111. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하여 DC Sweep 분석을 통해 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절대 값이 특정전압 이상이 되지 않으면 출력전압이 0에서 미동도 하지 않는 Dead zone이 발생하는 것을 확인하였다. 이는 Push-pull 증폭기의 NPN BJT와 PNP BJT가 모두 cut-off모드로 동작하기 때문이다. 2. Feedback loop와 Op-amp를 이용한 Push-Pull Am...2025.01.11
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비11. Push-Pull Amplifier 설계 A+2025.01.271. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그리되, BJT를 제외하고 부하저항을 100Ω으로 놓고, Simulation Profile에서 Analysis type을 DC Sweep으로 설정하고서 DC 전압원의 값을 –12 V에서 +12 V까지 0.001 V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 확인하였다. 이를 통해 입력전압의 절...2025.01.27
-
Oscillator 설계 예비보고서2025.04.271. Push-pull 증폭기 동작 이해 R_L=100 ohm, R_bias=1k ohm, V_CC=12V인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험한다. 2. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone 현상이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 파...2025.04.27
-
전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기2025.04.301. A급 증폭기 A급 증폭기는 정해진 작동 영역 내에서 교류 파형 전체를 증폭해야 하므로 효율이 30%이하이다. 입력신호가 증가하면, 입력전력은 변함없고, 출력전력은 증가한다. A급 증폭기는 인가된 신호와 무관하게 전압원으로부터 동일한 전력을 끌어 쓴다. 입력전력은 다음 식으로부터 계산된다. 증폭기가 공급하는 신호전력은 다음 식으로 계산 할 수 있으며, 증폭기의 효율은 이다. 전력 효율이 낮은 이유는 입력전류에 무관하게 A급 증폭기는 항상 가 항상 흐르므로 전력소비가 커 효율이 떨어지게 된다. 출력신호가 주기의 360º 전체에 걸...2025.04.30
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 11. Push-Pull Amplifier 설계2025.04.301. Push-Pull Amplifier 특성 설계실습 11. Push-Pull Amplifier 설계목적: RL=100Ω, Rbias=1kΩ, VCC=12V인 경우, Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험한다. 그림 1(a) 회로를 simulation 하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 simulation하여 입...2025.04.30
-
비콘과 블루투스의 기능 및 활용 사례2025.01.291. 비콘의 기능 및 특징 비콘은 저전력 블루투스(Bluetooth Low Energy, BLE) 기술을 기반으로 신호를 주기적으로 송출하는 장치입니다. 비콘은 특정 위치에 설치되어 해당 위치의 정보를 송출하며, 스마트폰 등의 기기가 이를 수신하여 사용자에게 특정 정보를 제공하거나 특정 행동을 유도할 수 있습니다. 비콘의 주요 특징은 저전력 소모, 설치의 용이성, 그리고 다양한 형태로의 커스터마이징 가능성입니다. 2. 비콘의 활용 사례 비콘은 박물관, 공항, 물류 관리 분야 등에서 다양하게 활용됩니다. 박물관에서는 방문자에게 전시물...2025.01.29
-
RLC회로의 감쇠진동2025.05.011. RLC회로의 감쇠진동 RLC회로에서 저항이 존재하면 전자기 에너지가 열에너지로 전환되어 빠져나가기 때문에 전하와 전류, 전압의 진동 진폭이 점차 줄어드는 감쇠진동이 발생한다. 감쇠진동을 기술하는 미분방정식은 L(d^2q/dt^2) + R(dq/dt) + q/C = 0이며, 그 해는 q = Qe^(-Rt/2L)cos(ω't + φ)로 표현된다. 여기서 ω'은 감쇠가 있을 때의 각진동수로 감쇠가 없을 때의 각진동수 ω보다 작다. 2. 저항소모율 RLC회로의 감쇠진동을 정량적으로 계산하기 위해서는 일률(저항소모율)에 관한 식을 세워...2025.05.01
-
아날로그 및 디지털회로 설계 실습 실습8_래치와 플립플롭_예비보고서2025.01.211. 래치 래치는 순차식 논리회로의 기본 소자로, 다양한 종류의 래치가 있으며 각각의 기능과 동작 조건이 다르다. RS 래치의 진리표와 상태도를 분석하여 래치의 특성을 이해할 수 있다. 2. 플립플롭 플립플롭은 래치와 함께 순차식 논리회로의 기본 소자이다. 플립플롭의 종류와 동작 원리를 이해하고, 실습을 통해 플립플롭의 특성을 확인할 수 있다. 1. 래치 래치는 디지털 회로에서 중요한 역할을 합니다. 래치는 입력 신호를 저장하고 유지하는 기능을 수행하여 디지털 시스템의 안정성과 신뢰성을 높입니다. 래치는 메모리 소자, 카운터, 레지...2025.01.21
2 / 30
