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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서72025.01.171. RC 회로의 시정수 측정 이 보고서는 전기회로 설계실습의 일환으로 RC 회로의 시정수를 측정하는 방법을 설계하고 실험한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 DMM의 내부 저항 측정, RC 시정수 측정, RC 회로의 충전 및 방전 특성 관찰 등이 포함되어 있습니다. 실험 과정에서 발생한 오차 원인을 분석하고 개선 방안을 제시하고 있습니다. 1. RC 회로의 시정수 측정 RC 회로의 시정수 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한 개념입니다. 시정수는 RC 회로의 과도 응답 특성을 결정하는 핵심 요소로, 회로의 동작 특성을 이해...2025.01.17
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전기회로설계 및 실습_설계 실습7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계_결과보고서2025.01.211. 시정수 시정수란 물리량이 시간에 대해 지수적으로 변하여 정상치에 달하는 경우, 정상치의 63.2%에 달할 때까지의 시간을 의미한다. 이것은 응답의 속도를 표현하는 방법이고 시정수의 비교를 통해 속도를 예측할 수 있다. RC회로에서 시정수는 RC로 구할 수 있다. 2. RC회로 RC회로는 저항과 커패시터가 연결되어 있는 기본적인 회로이다. 이 회로에서 시정수는 RC로 구할 수 있다. 실험에서는 RC회로의 시정수를 측정하고 이론값과 비교하였다. 3. 시정수 측정 실험에서는 DMM과 Function generator를 이용하여 RC...2025.01.21
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RC,RL회로 시정수 & RLC 직렬회로 과도특성 결과보고서2025.01.121. RC회로 시정수 RC회로에서 입력 구형파를 채널 1에 연결하고 커패시터의 출력파형을 채널 2에 연결하여 비교한 결과, 커패시터 값을 변화시키면서 시정수 값을 실험값과 이론값을 비교하였다. 실험값과 이론값의 오차가 없었다. 2. RL회로 시정수 RL회로에서 입력 구형파와 인덕터의 전압 변화에 따른 출력파형을 비교하였다. 디지털 멀티미터로 인덕터에 흐르는 전류를 측정한 결과 1.37mA였다. 3. RLC 직렬회로 과도특성 RLC 직렬회로에서 입력 구형파와 각각의 저항, 인덕터, 커패시터의 출력 파형을 비교하였다. 저항의 출력 파형...2025.01.12
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계2025.11.141. RC 시정수(Time Constant) 측정 RC회로의 시정수는 저항과 커패시턴스의 곱(τ=RC)으로 정의되며, 커패시터의 충방전 특성을 나타낸다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항(약 10MΩ)과 2.2μF 커패시터를 이용하여 시정수를 측정한다. 전압이 초기값의 36.8%까지 떨어지는 데 걸리는 시간이 시정수이며, 스위치를 통해 충전과 방전을 제어하고 여러 번 측정하여 평균값을 구한다. 2. DMM 내부저항 측정 방법 DMM의 내부저항을 측정하기 위해 직류전원(5V)과 22kΩ 저항을 이용한다. DMM을 전압측정모드로 설정하고...2025.11.14
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전기회로설계실습 7장 결과보고서2025.01.201. RC회로의 시정수 측정 이번 실험을 통해 RC회로의 동작에 대하여 알아보았다. RC회로를 구성하여 커패시터가 전압을 충,방전 하는데 걸리는 시간을 알아보고 Function generator의 파형을 다르게 하여 커패시터와 저항에 걸리는 전압파형을 관찰하며 커패시터의 전압 충전과 방전 과정을 Oscilloscope를 통해 확인하였다. 이를 통해 커패시터의 역할, 원리, 주기에 따라 RC회로의 응답이 바뀌는 과정을 배웠다. 2. DMM의 내부저항 측정 DMM에 걸리는 전압 1.542V를 통해 계산했을 때, DMM의 내부저항은 10...2025.01.20
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[유기화학실험2] 실험5_예비레포트_Witting reaction preparation of methoxy-4-styrylbenzene2025.05.151. Witting reaction Witting 반응은 알데히드 또는 케톤과 삼염화 포스핀 유도체 사이의 반응으로, 알켄을 합성하는 데 사용되는 유기 화학 반응입니다. 이 실험에서는 4-메톡시벤즈알데히드와 트리페닐포스핀을 반응시켜 메톡시-4-스티릴벤젠을 합성하는 과정을 다루고 있습니다. 2. 4-메톡시벤즈알데히드 4-메톡시벤즈알데히드는 벤젠 고리에 메톡시기가 붙어있는 화합물로, 이 실험에서 Witting 반응의 출발 물질로 사용됩니다. 메톡시기의 전자 공여 효과로 인해 벤즈알데히드의 카보닐 탄소가 전자 밀도가 높아져 친핵체의 공격...2025.05.15
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RC, RL 회로의 시정수 실험 결과보고서2025.11.181. 시정수(Time Constant) 시정수는 RC 및 RL 회로에서 출력이 최댓값의 1/e(약 36.8%)에 도달하는 시간을 의미한다. RC 회로에서는 τ = RC, RL 회로에서는 τ = L/R으로 계산된다. 실험 결과 커패시터 값이 커질수록 RC 회로의 시정수는 감소하고, 인덕터 값이 커질수록 RL 회로의 시정수는 증가하는 특성을 확인했다. 2. 고유응답(Natural Response)과 강제응답(Forced Response) 고유응답은 무전압 상태에서 회로의 자연적 응답을 의미하며, 강제응답은 직류전압 인가 시 나타나는 응...2025.11.18
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일반물리학 실험 2 - IOLab장치를 사용한 축전기의 충전과 방전2025.01.221. 축전기의 충전과 방전 실험을 통해 축전기의 충전과 방전 과정을 관찰하고 이론적 계산과 비교하였다. 시간에 따른 전류와 전압의 변화 양상을 그래프로 나타내고 시정수의 의미를 확인할 수 있었다. 충전과 방전이 시작된 직후의 변화율이 가장 크고 시간이 지남에 따라 변화율이 줄어드는 지수함수적 형태를 보였다. 키르히호프 제2법칙을 적용하여 구한 미분방정식의 해와 실험 결과가 일치함을 확인하였다. 1. 축전기의 충전과 방전 축전기의 충전과 방전은 전기 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 축전기는 전기 에너지를 저장하고 필요할 때 방전...2025.01.22
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[기초전자실험 with pspice] 14 인덕터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 인덕터 인덕터의 종류와 특성을 배우고, 인덕터의 직렬 및 병렬연결 특성을 실험할 수 있다. 또한, 주파수 및 인덕터 용량에 따른 유도성 리액턴스의 변화를 실험할 수 있다. 인덕터는 코일이라고도 하며, 구리선과 같은 도선을 나선 모양으로 감아서 만든다. 코일에 교류전류가 흐르면 자계가 생기며 자계는 전류의 변화에 비례한다. 자계에 의해 전류 흐름을 방해하는 유도전압이 생기며, 이 유도전압은 전류 흐름을 방해하므로 '역기전력'이라고도 한다. 즉, 인덕터는 자계 및 유도전압의 형태로 에너지를 저장하는 소자로 볼 수 있다. 인덕터가 ...2025.04.28
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축전기의 충전과 방전 실험 결과보고서2025.11.141. 축전기의 충전과 방전 축전기는 전기에너지를 저장하는 소자로, 충전 과정에서는 전압이 증가하고 전류는 감소하며, 방전 과정에서는 저장된 에너지를 방출한다. 이 실험에서는 R-C 회로를 구성하여 시간에 따른 전압과 전류의 변화를 측정하고 그래프로 분석했다. 충전과 방전 시 전류는 지수함수적으로 변하며, 시정수 τ=RC는 최댓값의 63.2%까지 충전되는 시간을 나타낸다. 2. 임피던스와 용량성 리액턴스 교류회로에서 임피던스 Z는 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타내는 복소수 벡터량으로, 실수부는 저항, 허수부는 리액턴스를 의미한다. ...2025.11.14
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