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전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기 회로는 높은 전류이득을 가지며, 입력을 베이스로 인가하여 출력을 컬렉터에서 얻습니다. 출력저항 RL이 증가하면 증폭도가 증가하여 진폭도 증가합니다. 공통 이미터 증폭기 설계 시 트랜지스터의 정규 규격을 파악하고, VCC, 전압이득, 입력임피던스, 부하저항의 최소값과 출력임피던스, 교류출력전압스윙의 최대값을 정합니다. 또한 커플링/바이패스 커패시터 선정, VE 설정, Rc 값 계산, 전압 이득 확인, 입력 임피던스와 출력 임피던스 확인 등의 과정을 거칩니다. 2. 공통 이미터 증폭기 ...2025.04.30
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 10주차2025.05.041. RC 회로 RC 회로에서는 주파수가 커질수록 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 캐패시터의 임피던스가 낮아져 전압이 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 2. RL 회로 RL 회로에서는 주파수가 커질수록 회로에 흐르는 전류의 절대값이 작아졌다. 이는 인덕터의 특성 때문에 주파수가 높아질수록 인덕터의 임피던스가 높아져 전류가 감소하는 것으로 이해할 수 있다. 3. RLC 회로 RLC 회로에서는 공진주파수를 기점으로 전압이 작아졌다. 이는 캐패시터와 인덕터의 임피던스가 서로 상쇄되어 전압이 증폭되다가 공...2025.05.04
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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외국어로서의한국어학개론 과제_시제와 상의 차이를 설명하시오2025.05.101. 시제의 정의 시제는 시간을 언어적 형식에 의해 표현한 것으로 어떤 사건이 일어난 특정 시점에 대한 문법적인 표현, 즉 문법화된 시간적 위치를 나타낸다. 시제는 크게 현재, 과거, 미래로 구분할 수 있으며 상황시(=사건시, 상황이 발생한 시점)와 발화시의 관계에 따라 나누어진다. 과거시제는 상황시가 발화시보다 시간적으로 선행하는 경우, 현재시제는 상황시와 발화시가 시간적으로 동일한 경우, 미래시제는 상황시가 발화시 보다 시간적으로 후행하는 경우를 나타낸다. 2. 상의 정의 상은 상황 내부의 시간적 구성을 보는 방법으로 특정한 시...2025.05.10
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아날로그 및 디지털회로설계실습 7장 결과보고서2025.01.041. 논리 게이트 구현 및 동작 실험을 통해 AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR 게이트의 진리표와 등가회로를 작성하고 입출력 전압을 측정하였다. NAND 게이트만을 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성하였으며, 3입력 NAND 게이트의 등가회로도 구현하였다. 2. 게이트 소자의 시간 지연 특성 AND 게이트와 OR 게이트를 여러 개 직렬로 연결하고 오실로스코프로 입출력 신호를 측정하여 시간 지연을 확인하였다. AND 게이트의 경우 한 stage당 rise time delay 5.5...2025.01.04
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 10주차2025.01.171. 래치와 플립플롭 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서에서는 순차식 논리회로의 기본 소자인 래치와 플립플롭의 여러 종류에 대한 기능의 차이를 알아보고 동작 조건을 확인하는 것이 실습 목적입니다. 실습에 사용된 부품은 NAND gate 74HC00과 Inverter 74HC04이며, 실습 장비로는 오실로스코프, 브레드보드, 파워서플라이, 함수발생기 등이 사용되었습니다. 실습 계획서에는 RS 래치의 진리표와 상태도를 나타내고 있습니다. 1. 래치와 플립플롭 래치와 플립플롭은 디지털 회로 설계에서 매우 중요한 기본 구성 요소입...2025.01.17
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기초 회로 실험 제 30장 직렬 릴레이의 응용(예비레포트)2025.01.211. 자성의 응용 자성은 나침반부터 발전기, 전기모터 등 다양한 전기 분야에서 활용되고 있다. 자기장을 이용하여 전압을 발생시키거나 전자기적 상호작용을 통해 동작하는 원리를 가지고 있다. 2. 릴레이의 구조와 동작 릴레이는 전자기적으로 동작하는 원격제어 스위치로, 전자석, 회전자, 접점 등으로 구성되어 있다. 릴레이가 여기되면 접점이 열리거나 닫히는 동작을 하며, 이를 통해 낮은 전압으로 원격에서 큰 전압과 전류를 제어할 수 있다. 3. 릴레이 사양 확인 릴레이 제조사에서 제공하는 사양서를 통해 릴레이의 정격, 직류/교류 여부 등을...2025.01.21
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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. 2. 전류 거울 능동 부하와 전류 거울은 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용...2025.04.28
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