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나노 반도체입자의 분광학적 성질2025.01.121. Band theory 물질을 이루는 원자 내부의 전자는 가질 수 있을 수 있는 상태의 에너지가 정해져 있는데 양자역학에 따르면 이 에너지는 불연속적인 값을 갖게 된다. 전자가 있을 수 있는 에너지 위치를 에너지 띠라고 하고 전자가 있을 수 없는 위치를 띠 틈이라고 한다. 에너지 띠 중에서 전자가 채워져 있는 에너지 띠를 Valence band(원자가띠)라고 하고 전자가 존재하지 않는 에너지 띠를 Conduction band(전도띠)라고 한다. 띠 틈의 크기에 따라 물질의 종류를 나눌 수 있다. 2. 양자 사이즈 효과 (양자 갇...2025.01.12
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CdSe 양자점 합성 및 발광 나노입자 제조2025.11.171. CdSe 양자점(Quantum Dots) CdSe 양자점은 카드뮴과 셀레늄으로 구성된 반도체 나노입자로, 크기에 따라 다양한 발광 파장을 나타내는 특성을 가지고 있습니다. 양자 구속 효과에 의해 벌크 물질과 다른 광학적 성질을 보이며, 나노미터 크기의 입자로 제조되어 의료, 디스플레이, 센싱 등 다양한 분야에 응용됩니다. 2. 나노입자 합성 나노입자 합성은 원자 또는 분자 수준에서 물질을 조작하여 나노미터 크기의 입자를 만드는 기술입니다. 화학적 합성, 물리적 방법 등 다양한 방식이 있으며, CdSe 양자점의 경우 유기용매 기...2025.11.17
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나노 반도체입자의 분광학적 성질 분석2025.11.131. 역미셀 용액 합성 실험에서 heptane을 용매로 사용하고 AOT 계면활성제와 증류수를 혼합하여 역미셀 용액을 제조했다. 역미셀은 계면활성제의 극성 머리 부분이 물을 둘러싸고 비극성 꼬리 부분이 heptane 용매를 향하는 구조를 가진다. 이 구조는 나노입자의 응집과 침전을 방지하며, 첨가되는 물의 양을 조절하여 나노입자의 크기를 제어할 수 있다. 실험에서는 AOT 1.665g과 증류수 660μL를 사용하여 [H2O]/[계면활성제] 비율을 10으로 설정했다. 2. 반도체 나노입자 합성 CdS, ZnS, PbS 등의 반도체 나노...2025.11.13
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금속 나노입자의 습식합성 실험 보고서2025.11.141. 나노입자의 정의와 특징 나노입자는 1~100nm 크기의 입자로, 벌크 물질과 달리 넓은 표면적 대비 부피로 인해 새로운 광학, 화학, 물리 특성을 가진다. 입자 크기에 따라 에너지 준위가 불연속적으로 변하며, 발광하는 빛의 색깔이 변한다. 높은 표면에너지로 인해 뛰어난 향균성을 가지며, 촉매 활성 증가, 용해도 증가 등의 특징을 지닌다. 나노입자 제조 방식은 Top to Bottom(위에서 아래로)과 Bottom to Top(아래에서 위로) 두 가지 방법이 있다. 2. 나노입자의 응용분야 나노입자는 크기에 따른 색깔 변화를 이...2025.11.14
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페로브스카이트 LED 제작과 성능 측정 post-report2025.05.161. ITO 기판 ITO는 인듐/주석 산화물로 이루어진 투명한 전극이며 전기를 잘 흘려주는 특성을 가지고 있다. ITO와 silver가 겹쳐지면 빛이 나게 된다. 2. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 전도성 고분자로, ITO와 비슷한 전기적 특성을 가지면서 가시광 영역에서 투과도가 우수하고 용액공정이 가능한 장점이 있다. ITO에서는 hole이 움직이고 silver에서는 전자가 움직여 hole과 전자가 페로브스카이트 층에서 만나 빛을 내게 한다. 3. 페로브스카이트 LED 제작 과정 ITO 유리기판을 세척하고 UV-Ozon 처...2025.05.16
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반도체 나노입자(CdS, ZnS)의 분광학적 성질2025.05.151. 반도체 나노입자 이번 실험은 CdS, ZnS의 나노입자를 역미셀방법으로 합성하여 UV-vis 분광기로 측정된 흡광도를 이용해 band gap energy를 구하여 나노 입자크기를 계산해 보는 실험을 진행하였다. 역미셀 용액을 제조 할때에는 AOT 계면활성제를 넣어주었다. AOT 계면활성제는 수분이 함유된 알칼리 금속이온의 화합물로, AOT 분자가 수분과 반응하여 형성되는 나노미세 크기의 물방울을 안정화시켜 역미셀이 만들어지기 때문이다. 이후 산소를 제거하기 위하여 질소기체를 넣어 주었다. 만든 역미셀 용액 (w=5. w=10)...2025.05.15
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금나노입자제조응용사례 레포트2025.04.281. 나노재료 나노재료란 1차원적 또는 3차원적으로 1-100nm의 크기로 존재하는 재료이다. 기존 재료들에서는 대부분의 원자가 재료의 물체내부(bulk)에 존재하는 반면, 나노재료에서는 대부분이 표면에 존재한다. 이처럼 대부분의 원자가 놓인 환경이 다르므로 나노재료는 기존의 재료와 실질적으로 다를 수밖에 없다. 나노재료의 넓은 표면적은 보다 뛰어난 화학적, 기계적, 광학적, 자기적 성질을 의미하며 이는 다양한 구조적, 비구조적 차원에서 활용될 수 있다. 2. 나노입자의 특성 물질이 나노미터 크기로 작아지게 되는 경우, 나노 물질의...2025.04.28
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전북대 화공 물리화학2 HW3 & 4 레포트2025.01.171. 전극 전위 전극 전위에 대해 설명하고 있습니다. 전극 전위는 전극 반응의 평형 상태를 나타내는 값으로, 표준 전극 전위와 활동도를 이용하여 계산할 수 있습니다. 이를 통해 금속의 산화 환원 반응을 이해할 수 있습니다. 2. 깁스 자유 에너지 깁스 자유 에너지 변화를 계산하여 전극 반응의 자발성을 판단할 수 있습니다. 깁스 자유 에너지 변화가 음수이면 자발적인 반응이 일어나며, 양수이면 비자발적인 반응입니다. 3. 전지 전위 전지 전위는 전극 전위의 차이로 계산할 수 있습니다. 이를 통해 전지의 성능을 평가할 수 있습니다. 전지...2025.01.17
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나노재료공학 기말레포트2025.11.121. 깁스 함수와 화학반응 깁스 함수(ΔG = ΔH-TΔS)는 일정한 온도와 압력에서 계로부터 얻을 수 있는 일과 자발성을 나타낸다. ΔG가 0보다 작으면 화학반응은 자발적이고, 0보다 크면 자발적이지 않으며, 0이면 평형 상태에 있다. 이는 화학반응의 진행 방향과 가능성을 결정하는 중요한 열역학적 지표이다. 2. 박막 제조 기술 균일한 박막을 제조하는 방법으로는 자기조립(Self-Assembly), LB법, 층별적층법(LBL), 리소그래피, CVD 등이 있다. LB법은 양친매성 분자를 이용하여 매우 얇고 균일한 막을 제작하며, L...2025.11.12
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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