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나노 반도체 입자의 분광학적 성질 실험보고서2025.01.101. 미셀과 역미셀 계면활성제가 일정 농도 이상에서 모인 집합체인 미셀은 소수성 부분이 핵을 형성하고 친수성 부분이 물과 닿는 표면을 형성한다. 반대로 계면활성제가 유기 용매에 녹는 경우에는 친수성 부분이 핵을 형성하고 소수성 부분이 유기 용매가 닿는 표면을 형성하는 역미셀이 생성된다. 역미셀은 나노입자들이 뭉쳐서 침전되는 것을 막고 첨가한 물의 양에 따라 역미셀의 크기를 조절함으로써 만들고자 하는 나노입자의 크기를 생성할 수 있게 해준다. 2. 띠구조(Band Structure) 고체 내에서 원자 수가 많기 때문에 궤도 함수의 수...2025.01.10
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Synthesis and Optical Properties of Quantum Dots2025.01.241. CdSe 양자점 나노결정의 합성 본 실험에서는 서로 다른 크기의 CdSe 양자점 나노결정을 합성하였다. 합성 과정은 전구체의 고온 열분해에 이어 계면활성제의 존재 하에서 입자의 핵 생성 및 성장을 통해 이루어졌다. 합성된 CdSe 양자점의 크기는 약 1.8nm~8.0nm 범위였다. 2. CdSe 양자점의 광학적 특성 분석 합성한 CdSe 양자점의 광학적 특성을 분석하기 위해 실내등과 UV 램프 아래에서의 색깔 관찰, 흡수 및 방출 스펙트럼 측정을 수행하였다. 그 결과, 반응 시간이 길어질수록 양자점의 크기가 증가하여 흡수 및 ...2025.01.24
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P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
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금나노입자(AuNPs)의 광학적 특성과 고찰2025.05.051. 나노기술과 금속 나노입자 나노기술은 과학의 트렌드 영역이 되었으며 기능적이고 조작된 나노입자의 개발로 큰 발전을 이루었다. 다양한 금속 나노 입자는 광범위한 의료 응용 분야에 널리 이용되고 있으며, 그 중 금 나노입자(AuNPs)가 매우 주목할 만하다. AuNPs는 여러 가지 고유한 기능적 특성과 쉬운 합성을 통해 광범위한 관심을 끌고 있다. 2. AuNPs의 광학적 특성 AuNPs의 고유한 특징(광학, 전자 및 물리화학적 특성)은 모양, 크기와 같은 나노입자의 특성을 변경할 수 있다. 표면 플라즈몬 공명(SPR)에 따라 Au...2025.05.05
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나노 반도체입자의 분광학적 성질2025.01.121. Band theory 물질을 이루는 원자 내부의 전자는 가질 수 있을 수 있는 상태의 에너지가 정해져 있는데 양자역학에 따르면 이 에너지는 불연속적인 값을 갖게 된다. 전자가 있을 수 있는 에너지 위치를 에너지 띠라고 하고 전자가 있을 수 없는 위치를 띠 틈이라고 한다. 에너지 띠 중에서 전자가 채워져 있는 에너지 띠를 Valence band(원자가띠)라고 하고 전자가 존재하지 않는 에너지 띠를 Conduction band(전도띠)라고 한다. 띠 틈의 크기에 따라 물질의 종류를 나눌 수 있다. 2. 양자 사이즈 효과 (양자 갇...2025.01.12
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반도체 나노입자(CdS, ZnS)의 분광학적 성질2025.05.151. 반도체 나노입자 이번 실험은 CdS, ZnS의 나노입자를 역미셀방법으로 합성하여 UV-vis 분광기로 측정된 흡광도를 이용해 band gap energy를 구하여 나노 입자크기를 계산해 보는 실험을 진행하였다. 역미셀 용액을 제조 할때에는 AOT 계면활성제를 넣어주었다. AOT 계면활성제는 수분이 함유된 알칼리 금속이온의 화합물로, AOT 분자가 수분과 반응하여 형성되는 나노미세 크기의 물방울을 안정화시켜 역미셀이 만들어지기 때문이다. 이후 산소를 제거하기 위하여 질소기체를 넣어 주었다. 만든 역미셀 용액 (w=5. w=10)...2025.05.15
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페로브스카이트 LED 제작과 성능 측정 post-report2025.05.161. ITO 기판 ITO는 인듐/주석 산화물로 이루어진 투명한 전극이며 전기를 잘 흘려주는 특성을 가지고 있다. ITO와 silver가 겹쳐지면 빛이 나게 된다. 2. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 전도성 고분자로, ITO와 비슷한 전기적 특성을 가지면서 가시광 영역에서 투과도가 우수하고 용액공정이 가능한 장점이 있다. ITO에서는 hole이 움직이고 silver에서는 전자가 움직여 hole과 전자가 페로브스카이트 층에서 만나 빛을 내게 한다. 3. 페로브스카이트 LED 제작 과정 ITO 유리기판을 세척하고 UV-Ozon 처...2025.05.16
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금나노입자제조응용사례 레포트2025.04.281. 나노재료 나노재료란 1차원적 또는 3차원적으로 1-100nm의 크기로 존재하는 재료이다. 기존 재료들에서는 대부분의 원자가 재료의 물체내부(bulk)에 존재하는 반면, 나노재료에서는 대부분이 표면에 존재한다. 이처럼 대부분의 원자가 놓인 환경이 다르므로 나노재료는 기존의 재료와 실질적으로 다를 수밖에 없다. 나노재료의 넓은 표면적은 보다 뛰어난 화학적, 기계적, 광학적, 자기적 성질을 의미하며 이는 다양한 구조적, 비구조적 차원에서 활용될 수 있다. 2. 나노입자의 특성 물질이 나노미터 크기로 작아지게 되는 경우, 나노 물질의...2025.04.28
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전북대 화공 물리화학2 HW3 & 4 레포트2025.01.171. 전극 전위 전극 전위에 대해 설명하고 있습니다. 전극 전위는 전극 반응의 평형 상태를 나타내는 값으로, 표준 전극 전위와 활동도를 이용하여 계산할 수 있습니다. 이를 통해 금속의 산화 환원 반응을 이해할 수 있습니다. 2. 깁스 자유 에너지 깁스 자유 에너지 변화를 계산하여 전극 반응의 자발성을 판단할 수 있습니다. 깁스 자유 에너지 변화가 음수이면 자발적인 반응이 일어나며, 양수이면 비자발적인 반응입니다. 3. 전지 전위 전지 전위는 전극 전위의 차이로 계산할 수 있습니다. 이를 통해 전지의 성능을 평가할 수 있습니다. 전지...2025.01.17
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반도체 용어집2025.04.291. 반도체 반도체는 전기전도성이 도체와 절연체의 중간 정도인 물질로, 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체로 나뉩니다. 진성 반도체는 불순물이 없거나 매우 적은 상태이며, 불순물 반도체는 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시킨 것입니다. n형 반도체는 전자가 주된 전류 운반체이고, p형 반도체는 정공이 주된 전류 운반체입니다. 이들을 결합하여 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 등의 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 2. 게르마늄 게르마늄은 청색이 감도는 회백색의 단단한 금속으로, 전형적인 반도체 물질입니다. 3가...2025.04.29
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