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전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
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응용물리회로실험 - Transistor CE2025.05.071. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 교류신호에 대하여 이미터 단자가 입력과 출력의 공통 단자 역할을 하며, 높은 전압이득 및 전류 이득을 갖게 된다. 입력과 출력에 결합 커패시터와 이미터와 접지 사이의 바이패스 커패시터로 구성되어 있다. 교류 입력신호는 베이스 단자에 결합 커패시터를 통해 연결되고, 출력신호는 컬렉터 측의 결합 커패시터를 통해 부하와 연결된다. 바이패스 커패시터는 교류입력의 동작 주파수에서 매우 작은 용량성 리액턴스 값을 갖도록 설정되어 이미터 단자를 접지시킨다. 1. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭...2025.05.07
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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[전자회로실험] 베이스 접지 증폭기 및 이미터 폴로워 회로 결과보고서2025.04.261. 베이스 접지 증폭기 베이스 접지 증폭기 실험을 통해 입력 저항이 낮고 출력 저항이 큰 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값을 나타냈지만 출력 저항의 경우 차이가 발생했습니다. 하지만 입력 저항보다 훨씬 작은 값을 가진다는 점은 공통적이었습니다. 2. 이미터 폴로워 회로 이미터 폴로워 회로 실험을 통해 입력 저항이 높고 출력 저항이 낮은 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값...2025.04.26
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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이미터 공통 증폭기 결과보고서2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이번 실험에서는 이미터 접지 증폭기에서의 이미터, 베이스, 콜렉터 전압을 측정하고 이를 이용하여 트랜지스터에서 흐르는 전류의 값과 β, gm, rpi의 값을 계산할 수 있었다. 또한 입력과 출력 전압을 측정하여 입력과 출력 저항의 값을 계산할 수 있었다. 이러한 과정을 통하여 이미터 접지 증폭기의 입력 저항과 출력 저항의 개념을 잘 이해하게 된 것 같다. 출력 파형의 왜곡 현상을 관찰하여 회로가 포화상태에 도달하였는지, 차단 상태에 도달하였는지에 대하여 알아볼 수 있었다. 이번 실험에서는 그래프의 윗부분이 ...2025.01.02
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콜렉터 공통 증폭기 및 다단 증폭기 특성2025.01.141. 콜렉터 공통 증폭기 콜렉터 공통 증폭기(common-collector amplifier)는 입력 신호가 베이스에 가해지고 출력 신호는 이미터에서 얻어집니다. 이 증폭기는 전압 이득이 거의 1에 가깝지만 전류 및 전력 이득은 1보다 큰 값을 가집니다. 또한 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 합니다. 이번 실험에서는 오실로스코프를 통해 전압만을 측정했으므로 전압 이득을 구할 수 있었습니다. 2. 다단 증폭기 다단 증폭기(Cascaded Amplifier)는 여러 개의 증폭기 단을 직렬로 연결하여 높은 전압 이득,...2025.01.14
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험8_결과보고서_BJT전압-전류특성,(degenerated)common emitter2025.05.101. BJT 전류-전압 특성 실험을 통해 BJT의 전류-전압 특성을 분석하였다. 이론적 계산과 모의실험 결과를 실험 결과와 비교하여 BJT의 동작 특성을 확인하였다. 베이스 전류가 증가함에 따라 콜렉터 전류가 선형적으로 증가하는 것을 확인하였고, 이론적 계산 값과 실험 결과가 유사함을 확인하였다. 2. Common Emitter 증폭회로 Common Emitter 증폭회로의 동작을 이론적으로 계산하고 모의실험을 통해 검증하였다. 베이스 저항 값에 따라 최대 전압 이득을 얻을 수 있는 콜렉터 저항 값을 찾았으며, 실험 결과와 비교하여...2025.05.10
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전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기 회로는 높은 전류이득을 가지며, 입력을 베이스로 인가하여 출력을 컬렉터에서 얻습니다. 출력저항 RL이 증가하면 증폭도가 증가하여 진폭도 증가합니다. 공통 이미터 증폭기 설계 시 트랜지스터의 정규 규격을 파악하고, VCC, 전압이득, 입력임피던스, 부하저항의 최소값과 출력임피던스, 교류출력전압스윙의 최대값을 정합니다. 또한 커플링/바이패스 커패시터 선정, VE 설정, Rc 값 계산, 전압 이득 확인, 입력 임피던스와 출력 임피던스 확인 등의 과정을 거칩니다. 2. 공통 이미터 증폭기 ...2025.04.30
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