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전자공학실험 2장 PN 정류회로 A+ 결과보고서2025.01.151. 반파 정류회로 실험회로 1([그림 2-12])에서, v_s에 피크 값이 5V이고 주파수가 100Hz인 정현파를 인가한다. 부하 저항 R에 10kΩ을 연결하고, 입력 v_s와 출력 V_O의 파형을 측정해서 [그림 2-22]에 기록하였다. [그림 2-22]의 파형으로부터 출력 V_O의 평균값(root mean square)을 구하였다. 실험 중 오류를 발견했는데, 실험회로 1에 대해 사인파를 가해줄 때 waveform generator의 Amp를 10V가 아닌 5V로 설정해줬음을 깨닫게 되었다. 따라서 V_m값 또한 원래 나와야 ...2025.01.15
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[일반물리실험] 교류회로 측정 실험 보고서2025.04.281. 직류 회로 직류 회로에서 전압과 전류는 시간에 따라 변하지 않고 일정하지만, 교류 회로에서는 전압 v와 전류 i가 시간에 대한 함수이며, 이에 대한 이해를 통해 각각의 경우의 전류와 전압의 관계를 알 수 있었다. 2. 교류 회로 교류 회로에서 전압 v와 전류 i는 시간에 대한 함수이며, 이에 대한 이해를 통해 각각의 경우의 전류와 전압의 관계를 알 수 있었다. 또한 직렬 R-C 회로에서 교류 전류와 교류 전압을 측정하여 교류 회로와 직류 회로의 차이점을 확인할 수 있었다. 3. 저항 R R 회로에서 저항이 1k ohm으로 고정...2025.04.28
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일반화학실험_기체상수 결정 예비레포트2025.01.281. 기체상수 결정 이 실험에서는 산소 기체의 압력, 부피 및 온도를 계산한 후 이상기체 상태방정식을 이용하여 기체상수 R 값을 계산하려고 한다. 이론적으로 0도씨, 1기압에서 기체 1몰은 22.4L를 차지하므로 기체상수 R은 계산할 수 있다. 산소기체는 과염소산칼륨을 촉매로 넣고 가열하여 만들 수 있으며, 시료의 중량 감소로부터 발생된 산소 기체의 몰 수를 알 수 있고, 부피와 온도를 측정하면 이를 이용하여 기체상수 R을 측정할 수 있다. 2. 이상기체 상태방정식 기체상수 R은 이상기체 1몰의 상태방정식 PV=nRT로 표시되는데,...2025.01.28
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부산대 기초전기전자실험 예비보고서 1주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. 직류 회로 전압 측정 전압분배 법칙에 따르면 V0=3000/(1000+3000)*5= 3.75V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.677V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 4k옴으로 바꾼 후, V0는 전압분배 법칙에 따르면 4V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.923V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 2. 교류 회로 전압 측정 이론 결과 주파수 1kHz, 진폭 5Vp-p, 오프셋 전압은 0V로 입력파형을 주었다. 실험 결과는 보고서에 자세히 기술되어 있다. 3. 직류 회로 전류 측정 옴의 법칙에 ...2025.05.16
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[화학공학]PER 실험 결과레포트2025.01.171. 관형 반응기(PFR) 관형 반응기(PFR)는 기초 반응공학의 특정 교수 과목을 담당하는 사용자가 광범위한 실험에 사용할 수 있도록 제작되었다. 이 장치에서는 시간에 따른 반응진척도(전화율) 변화 실험, 반응속도상수(k)의 온도의존성 실험, 체류시간분포실험 등 3가지 기본적인 실험을 수행할 수 있다. 관형 반응기는 반응기 안에서의 물질의 흐름이 관에서의 흐름과 같은 반응기로, 반응기에 도입된 물질의 흐름이 축방향 혼합 없이 방사 방향만의 혼합이 일어나는 플러그 흐름 반응기이다. 반응공학적 측면에서 체류시간분포, 반응속도, 속도상...2025.01.17
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)2025.01.111. 센서 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다. 10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 의 수...2025.01.11
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구조실험 기둥의 좌굴 실험2025.01.241. 좌굴 좌굴은 평행한 방향으로 작용하는 압축력과 갑자기 힘의 크기를 증가시키는 동안 하중이 어느 크기에 도달하는 순간 횡방향의 변위가 크게 발생하는 현상을 의미한다. 좌굴의 종류에는 전단력에 의하여 발생되는 전단 좌굴, 비틀림에 의해 발생하는 비틀림 좌굴, 국부 영역에 지역적으로 발생하는 국부 좌굴 등이 있다. 2. 탄성좌굴하중 부재가 매우 세장한 경우 부재가 탄성상태에 있을 때 좌굴이 발생하며 이때의 탄성임계좌굴하중은 P_cr = pi^2 EI / L^2 (E: 재료의 탄성계수, I: 좌굴축에 대한 단면 2차모멘트, L: 지지...2025.01.24
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교류및전자회로실험 실험3 순차 논리 회로 기초 예비보고서2025.01.171. 플립플롭 플립플롭은 전원이 공급되면 1 또는 0의 출력이 유지되는 디지털 회로이다. 출력이 두가지 상태 중 하나로 안정되기 때문에 쌍안정 멀티바이브레이터라고도 한다. 이와 같은 특성을 이용하여 플립플롭은 메모리로도 많이 활용된다. 플립플롭은 대표적인 순서 논리회로이다. 순서 논리회로는 출력을 입력쪽에 연결한 궤환(feedback) 회로를 가지고 있으며, 이를 통해 출력이 논리 동작에 영향을 미친다. 플립플롭에는 RS 플립플롭, D 플립플롭, JK 플립플롭, T 플립플롭 등이 있다. 2. D 플립플롭 D 플립플롭은 1개의 입력과...2025.01.17
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아세톤과 요오드의 반응 속도 실험 결과보고서2025.01.281. 반응 속도 측정 실험을 통해 아세톤과 요오드의 반응 속도를 직접 측정하고 흡광도 측정 방법으로 구하였다. 반응 차수와 속도 상수를 구하여 반응 속도식을 완성하였다. 2. 반응 속도 영향 요인 반응 속도에 영향을 미치는 요인으로 농도, 온도, 촉매 등이 있다. 실험에서는 농도 변화에 따른 반응 속도 변화를 관찰하였다. 3. 반응 속도식 도출 실험 결과를 바탕으로 반응 속도식 R = k[Ace]^1[I2]^0[H+]^1을 도출하였다. 반응 차수와 속도 상수를 구하는 과정을 설명하였다. 1. 반응 속도 측정 반응 속도 측정은 화학 ...2025.01.28
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서강대학교 고급전자회로실험 4주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전압분배 회로 실험회로1은 간단한 전압분배 회로로 해석할 수 있다. 직렬 R1C1와 병렬 R2C2에 의해, 전압의 gain은 f < 20kHz일 때는 주파수가 증가함에 따라 같이 증가하다가, 그 이후에는 감소하게 된다. myDAQ의 bode analyzer로 주파수 특성을 측정한 결과, 10Hz < f < 20kHz의 입력 신호에 대해서는 gain이 -50dB에서 -10dB까지 증가하는 모습을 보였다. 이는 PSpice 시뮬레이션의 결과와 경향성이 같다. 100Hz와 20kHz의 입력 신호에 대해서, gain값 또한 각각 -3...2025.01.21
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