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MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_결과레포트2025.01.121. MOSFET 실험 3 - Single Stage Amplifier 2 이 실험은 Common Drain 회로를 구성하여 Gate 단자에 Small Signal Input을 인가하고 Drain 단자의 출력 파형을 이론적 및 실험적으로 이해하기 위해 진행되었습니다. Small Signal Circuit로 실험 회로도를 분석한 결과, Gain이 1임을 확인할 수 있었습니다. 실험 결과에서도 Small Signal Input의 Gain이 1임을 관찰할 수 있었습니다. 이를 통해 Common Drain 회로에서 Small Signal ...2025.01.12
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디지털 로직 게이트와 MOSFET 실험2025.11.181. MOSFET의 특성 및 동작원리 MOSFET은 전압을 인가하여 구동하는 전압제어소자로, 전기적으로 절연되어 있어 높은 입력임피던스를 가진다. 소자가격이 비싸지만 열 안정성이 우수하고 빠른 스위칭 속도를 제공하여 저전력 응용 및 디지털 로직에 널리 사용된다. BJT와 달리 입력전류가 거의 필요하지 않아 전력소비가 적다. 2. NAND 게이트와 NOR 게이트의 동작 NAND 게이트는 두 입력이 모두 High일 때만 출력이 Low이고, 나머지 경우는 High이다. NOR 게이트는 두 입력이 모두 Low일 때만 출력이 High이고, ...2025.11.18
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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MOSFET 소자 특성 측정 및 설계실습2025.11.181. MOSFET 기본 특성 및 파라미터 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET)는 전압 제어형 반도체 소자로, 게이트 전압에 따라 드레인-소스 간 채널이 형성되어 전류가 흐르는 원리로 동작한다. 임계전압(Vth)은 채널이 형성되기 위한 최소 게이트 전압이며, 2N7000 소자의 경우 데이터시트에서 약 2.1V로 측정된다. 드레인 전류(Id)는 게이트 전압 변화에 따라 선형 영역과 포화 영역에서 다르게 나타나며, 이를 통해 소자의 동작 특성을 파악할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 분석 MOSFET은 ...2025.11.18
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.011. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였습니다. 구동신호(VIN)는 1 Hz, 5 Vdc의 square pulse (duty=50%)입니다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 회로를 설계하였으며, 이때 beta_force=10, VCE(sat)=0.2[mV], VBE(sat)=0.8[mV]로 설정하였습니다. LED에 흐르는 전류 IF=20[mA]=IE이며, IB=1.818[mA], IC=18.18[mA]로 계산되었...2025.05.01
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MOSFET 특성 실험 및 분석2025.11.161. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 게이트 전압에 따라 채널이 형성되어 전류가 흐르는 반도체 소자입니다. NMOS와 PMOS는 반대의 극성을 가지며, 각각 Turn-OFF, Triode Region, Saturation Region의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 포화 영역에서는 핀치-오프 현상이 발생하고 채널의 유효 길이가 감소합니다. 채널 길이 변조 계수 λ를 고려하면 포화 영역에서도 드레인 전류가 계속 증가하며, 이는 출력 저항 r0로 모델링됩니다. 2. 문턱 전압 및 소자 특성 2N7000 NMOS의 문턱 전압은 2...2025.11.16
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서2025.04.271. MOSFET 소자 특성 측정 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET을 사용하여 소자 특성을 측정할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. MOSFET 회로 제작 및 측정 그림 1의 회로를 제작하여 Vgs를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 Vds를 인가하는 Port의 전류를 측정하였다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지하였다. 3. MOSFET의 Id-Vds 특성곡...2025.04.27
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[전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)2025.04.291. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로, 구조는 금속-산화막-반도체로 이루어져 있다. NMOS는 바디가 p형 기판, 소스와 드레인이 n+로 도핑된 구조이고, PMOS는 바디가 n형 기판, 소스와 드레인이 p+로 도핑된 구조이다. 게이트에 전압이 인가되면 채널이 형성되어 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다. MOSFET은 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가지며, 각 영역에서의 단자 전압과 전류 관계...2025.04.29
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.211. BJT 구동 회로 설계 BJT를 이용하여 LED 구동 회로를 설계하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter에 연결된 경우에 대해 각각 IB, IE, IC, VB, VC, R1, R2를 계산하고 총 소비전력을 구하였습니다. 또한 구동 신호 VIN이 5V(High)일 때와 0V(Low)일 때의 동작을 분석하였습니다. 2. MOSFET 구동 회로 설계 MOSFET을 이용한 LED 구동 회로를 설계하였습니다. MOSFET의 datasheet를 참고하여 적절한 RD(ON)을 선정하고, MOSFET의 Triode ...2025.01.21
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