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반도체 산업의 마이클 포터의 5가지 경쟁요인 분석2025.05.041. 신규진출기업에 의한 위협 반도체 산업에 신규 진출하는 것은 매우 어렵다. 자본을 가지고 있다고 해서 진입할 수 있는 것도 아니고, 반도체 특성상 규모의 경제가 성립되기 때문에 국가적 차원의 전폭적인 지원이 없이는 현실적으로 어렵다고 볼 수 있다. 신기술을 통해 시장에 진입할 수 있을지 몰라도 이 또한 막대한 설비투자가 되어야 하는 관계로 신규진출기업에 의한 진입장벽은 매우 높다고 볼 수 있다. 2. 공급자의 교섭력 신규진출기업이 제한적이라 보았을 때 공급자의 교섭력이 매우 강하다고 할 수 있다. 다만 이러한 강한 교섭력을 제한...2025.05.04
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자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM)을 이용한 소수성 표면 제조2025.05.141. 자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM) 자기조립형 분자박막(SAM)은 반응기에 따라 phosphonic acid, n-alkanoic acid, organosilane과 같이 다양한 종류가 있는데 organosilane은 그 종류에 따라 다양한 특성을 지닌 표면을 균일하게 만들 수 있는 표면처리 물질로 널리 이용되고 있다. Organosilane은 기판 표면 hydroxyl기와 화학 반응하여 SAM을 형성한다. SAM 말단기의 화학조성에 따라 표면 dipole moment의 차이가 생기고 이...2025.05.14
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW032025.05.031. 반도체 도핑 문제에서는 p형 반도체 판에 빛을 조사하여 과잉 캐리어가 생성되는 상황을 다루고 있습니다. 도핑된 반도체의 특성과 과잉 캐리어의 농도 분포 및 시간에 따른 변화를 계산하고 그래프로 나타내는 것이 주요 내용입니다. 2. 전자 확산 전류 문제 3에서는 실리콘 내 전자 농도가 선형적으로 변하는 경우의 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 3. 홀 및 전자 확산 전류 문제 4에서는 홀 농도와 전자 농도가 지수 함수적으로 변하는 경우의 홀 및 전자 확산 전류를 계산하는 문제를 다루고 있습니다. 4. 반도체 내...2025.05.03
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기업직무분석레포트(삼성전자 생산관리직무)2025.01.171. 기업 소개 삼성전자는 본사를 거점으로 한국과 DX 부문 산하 해외 9개 지역총괄, DS 부문 산하 해외 5개 지역총괄의 생산/판매법인 및 SDC, Harman 산하 종속기업 등 232개의 종속기업으로 구성된 글로벌 전자 기업이다. 삼성전자의 전신은 1969년 설립된 삼성전자공업주식회사로, 1970년 가전제품 생산을 시작으로 1974년 한국반도체, 1980년 한국전자통신을 인수해 반도체 사업에 진출하였다. 1990년대 들어 반도체 외에 휴대폰, LCD, LED TV 등 가전분야로 사업 영역을 본격 확대했다. 2. 기업 분석 20...2025.01.17
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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[신소재공학과]반도체특성평가_신소재공학실험III_A+2025.05.101. 태양전지 구조 태양전지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전(photo-voltaic)소자로 일반적으로 하나의 접합 실리콘 태양전지는 최대 약 0.5~0.6V의 개로전압(open-circuit voltage)를 생산할 수 있다. 태양전지에 사용되는 물질은 1.5eV에 가까운 밴드갭(Eg)을 가져야하며 대표적으로 실리콘, GaAs, CdTe, CulnSe2 등이 사용된다. 태양전지 소자의 구조는 N-Type Layer와 P-Type Layer가 위아래로 있으며 그 접합부에는 P-N Junction이 생겨 전류가 발생할 수 ...2025.05.10
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