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차동 증폭기 회로 실험2025.11.171. BJT 차동 증폭기 BJT 차동 증폭기는 플러스와 마이너스 입력단자를 가진 회로로, 두 입력에 인가된 신호에서 위상이 반대인 신호성분은 크게 증폭되지만 동상인 신호성분은 출력에서 상쇄된다. DC 결합으로 연결되며 양의 전원 VCC와 음의 전원 VEE가 DC 바이어스를 제공한다. 차동 전압이득과 공통모드 이득을 계산할 수 있으며, 실험에서 두 트랜지스터의 re값이 같다고 가정한다. 2. FET 차동 증폭기 FET 차동 증폭기는 JFET를 사용하는 차동 증폭기로, 차동 전압이득을 계산할 수 있다. IDSS와 VP(핀치 오프 전압)...2025.11.17
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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PN 접합다이오드 특성곡선 측정 및 기준전압 실험2025.11.161. PN 접합다이오드의 비선형 특성 Si나 Ge 물질로 만든 다이오드는 순방향 바이어스 전압이 증가할 때 임계전압 이전에는 거의 선형적 관계를 유지하지만 임계전압을 넘으면 전압과 전류의 관계가 지수함수 형태로 변화한다. 이는 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 비선형 관계를 보여주며, Shockley 식으로 수학적으로 표현된다. 임계전압 이전에는 저항값이 매우 커서 다이오드가 거의 꺼진 상태로 간주된다. 2. 다이오드의 DC 및 AC 저항 다이오드의 DC 정저항은 특성곡선의 한 동작점에서 전압과 전류의 비율로 결정되며 RDC = VDQ...2025.11.16
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[전기회로설계실습] 설계 실습1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계2025.05.131. 저항 측정 이 실험에서는 2-wire 측정법과 4-wire 측정법을 사용하여 고정저항, 병렬저항, 가변저항, 점퍼선의 저항을 측정하였다. 2-wire 측정법은 리드선의 저항과 접촉저항이 포함되어 오차가 크지만, 4-wire 측정법은 정전류를 흘려주어 리드선과 접촉저항의 영향을 배제할 수 있어 더 정밀한 측정이 가능하다. 실험 결과, 4-wire 측정법이 2-wire 측정법보다 이론값과 더 유사한 결과를 보였다. 2. 전압 측정 건전지와 DC 전원 공급기의 출력 전압을 DMM으로 측정하였다. 건전지의 극성을 반대로 연결하면 절대...2025.05.13
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 결과 보고서2025.04.281. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 구성 실험회로 1에서 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 R_S, R_1, R_2를 구하였다...2025.04.28
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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전원의 출력저항과 DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.11.141. 건전지의 내부저항 측정 6V 건전지의 내부저항을 측정하는 실험으로, 부하저항과 내부저항의 관계식 V=VO×RL/(Rin+RL)을 이용하여 측정했다. 실제 측정 결과 건전지의 정격전압은 6V이지만 10Ω 저항에 걸린 전압은 4.369V로 측정되었고, 이를 통해 계산한 내부저항은 약 4.739Ω이다. 이는 실제 회로에서 작은 저항을 사용할 때 내부저항을 고려해야 함을 보여준다. 2. DC Power Supply의 정전압/정전류 특성 DC Power Supply의 출력특성을 실험으로 확인했다. 출력을 1V, 최대전류 10mA로 설정...2025.11.14
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 예비보고서2025.04.251. 건전지의 내부저항 측정 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하였습니다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 전력 소비를 최소화하도록 하였습니다. 측정 절차는 DMM의 검은 선을 COM단자, 빨간 선을 V단자에 연결하고 측정 단위를 V로 맞춘 후, DMM과 10Ω 저항을 병렬로 연결하여 전압 V를 측정합니다. 이 값을 식 'Vr * Vb / (Vb - Vr)'에 대입하여 건전지의 내부저항 Rb를 구할 수 있습니다. 10Ω 저항에 소비되는 전력 P는 P = V^2 / R이 될 것입니다. 2. DC 전원 ...2025.04.25
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전기회로설계실습: 저항, 전압, 전류 측정2025.11.141. 디지털 멀티미터(DMM)를 이용한 저항 측정 Digital Multimeter를 사용하여 2-wire 측정법과 4-wire 측정법으로 저항을 측정한다. 2-wire 측정법은 리드선의 저항과 접촉저항으로 인한 오차가 발생하며, 특히 낮은 저항 측정 시 오차가 크다. 4-wire 측정법은 2개의 wire로 전류를 흘려주고 다른 2개의 wire로 전압을 측정하여 리드선과 접촉저항에 의한 오차를 제거한다. 측정 시 저항의 한쪽 단자를 회로에서 분리하여 측정해야 퓨즈가 터지지 않는다. 2. 저항의 오차 분석 및 표준편차 10kΩ 저항(...2025.11.14
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서1 (보고서 1등)2025.05.101. 저항 측정 DMM을 사용하여 10kΩ, 1/4 W, 5% 저항 30개를 측정하는 방법을 설명했습니다. 저항 측정 시 반드시 회로에서 분리해야 하며, DMM의 HI, LO 단자에 연결하여 측정합니다. 측정값의 평균과 표준편차를 구하고, 오차 분포도를 작성했습니다. 또한 병렬 연결된 저항의 표준편차가 작아질 것이라고 설명했습니다. 2. 가변저항 측정 가변저항은 단자가 3개이며, 축을 돌리면 가운데 단자와 양쪽 단자 사이의 저항이 변하는 것을 설명했습니다. 3. 4-wire 저항 측정 4-wire 측정법을 사용하면 전선 저항의 영향...2025.05.10
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