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직류회로에서의 측정 - 오옴의 법칙2025.01.021. 직류회로와 오옴의 법칙 직류전원에 저항이 연결되어 있을 때 전압, 전류, 저항값 사이에 성립하는 관계식이 있다. 이는 V=IR이며 이를 오옴의 법칙이라하며 직류 뿐만 아니라 교류에서도 성립한다. 오옴의 법칙 계산공식을 통해 특정값을 앎으로서 미지수의 값을 유도할 수 있다. 2. 저항의 직/병렬 연결 R1, R2가 직렬일 때 전원측에서 본 등가의 합성저항 R은 R= R1+R2이다. R1, R2가 병렬일 때는 등가의 합성저항 R은 1/R=1/R1+1/R2이다. 이는 곧 R= R1*R2/R1+R2이다. 이는 R1…Rn까지의 직병렬연...2025.01.02
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병렬 회로에서 전압계와 전류계를 이용한 저항 측정2025.11.131. 전압계와 전류계 전압계는 회로의 두 점 사이의 전위차를 측정하는 기기로 병렬로 연결되며, 전류계는 회로를 통과하는 전류의 크기를 측정하는 기기로 직렬로 연결된다. 두 기기를 함께 사용하여 옴의 법칙(V=IR)을 적용하면 저항값을 계산할 수 있다. 2. 병렬 회로의 저항 측정 병렬 회로에서 여러 저항이 연결될 때, 각 저항 양단의 전압은 동일하고 전류는 분산된다. 전압계로 각 저항의 전압을 측정하고 전류계로 각 분기의 전류를 측정하여 개별 저항값을 구할 수 있으며, 전체 저항은 역수의 합으로 계산된다. 3. 옴의 법칙 적용 옴의...2025.11.13
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전기및디지털회로실험 실험 1. 기본측정 실험 예비보고서2025.05.101. 멀티 테스터 멀티 테스터는 직류 전압, 교류 전압, 직류 전류 및 저항 측정의 네 가지 기본 기능의 회로로 구성되며, 아날로그형과 디지털형 두 가지가 있다. 디지털 멀티미터는 아날로그형보다 조작이 쉽고 간편하며 더 정확한 측정이 가능하고 측정범위도 더 넓다. 2. 아날로그 테스터 사용법 아날로그 테스터로 측정할 때는 로터리 스위치로 측정 범위를 설정한 후 판독법에 따라 측정값을 읽는다. 전압과 전류는 오른쪽으로 갈수록 크기가 커지고 저항은 왼쪽으로 갈수록 크기가 커진다. 바늘이 최대치를 지시하면 측정 범위를 변경해야 한다. 3...2025.05.10
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[전기회로설계실습] 설계 실습1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계2025.05.131. 저항 측정 이 실험에서는 2-wire 측정법과 4-wire 측정법을 사용하여 고정저항, 병렬저항, 가변저항, 점퍼선의 저항을 측정하였다. 2-wire 측정법은 리드선의 저항과 접촉저항이 포함되어 오차가 크지만, 4-wire 측정법은 정전류를 흘려주어 리드선과 접촉저항의 영향을 배제할 수 있어 더 정밀한 측정이 가능하다. 실험 결과, 4-wire 측정법이 2-wire 측정법보다 이론값과 더 유사한 결과를 보였다. 2. 전압 측정 건전지와 DC 전원 공급기의 출력 전압을 DMM으로 측정하였다. 건전지의 극성을 반대로 연결하면 절대...2025.05.13
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단상 교류회로의 임피던스 및 전력측정2025.11.141. 교류 전력의 종류 및 정의 순시 전력은 특정 시점의 전력으로 AC회로에서 전압과 전류의 곱으로 표현됩니다. 유효 전력(P=VIcos(θ))은 부하에서 실제로 소비되는 전력이며, 무효 전력(Q=VIsin(θ))은 전원과 부하 간에 교환되는 전력입니다. 피상 전력(Pa=√(P²+Q²))은 전원에서 공급되는 총 전력이며, 역률(cos(θ)=P/Pa)은 유효전력과 피상전력의 비율로 전력 시스템의 효율성을 나타냅니다. 2. 역률의 종류: 지상역률과 진상역률 지상역률은 유도성 리액턴스에서 나타나며, 전류의 위상이 전압보다 뒤집니다. 진상...2025.11.14
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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중앙대 전기회로설계실습 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계2025.01.171. 저항 측정 Digital Multimeter를 이용한 저항(2-wire 측정법, 4-wire 측정법)의 측정방법을 익히고 실습을 통해 확인한다. 회로도와 DMM의 조작방법을 작성한다. 2. 전압 측정 Digital Multimeter를 이용한 전압 측정방법을 익히고 실습을 통해 확인한다. 3. 전류 측정 Digital Multimeter를 이용한 전류 측정방법을 익히고 실습을 통해 확인한다. 4. DC Power Supply 사용법 DC Power Supply의 사용법을 익히고 실습을 통해 확인한다. 1. 저항 측정 저항 측정...2025.01.17
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중앙대학교 전기회로설계실습 1. 저항, 전압, 전류의 측정방법 설계(예비)2025.01.271. 저항 측정 DMM을 사용하여 10kΩ 고정저항 30개를 측정하는 방법을 설명하였습니다. 측정값의 평균과 표준편차를 계산하고, 오차 분포를 도시하였습니다. 또한 두 개의 10kΩ 저항을 병렬로 연결하여 측정하는 방법과 가변저항 측정 방법, 4-wire 측정법에 대해 설명하였습니다. 2. 직류 전압 측정 6V 건전지와 DC 전원 공급기의 출력 전압을 DMM으로 측정하는 방법을 설명하였습니다. 건전지 측정 시 예상되는 전압 값이 6V보다 낮은 이유를 서술하였습니다. 3. 직렬/병렬 회로 전압 및 전류 측정 5kΩ, 10kΩ 저항이 ...2025.01.27
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전기회로설계실습 결과보고서 - RC회로의 시정수 측정2025.05.151. DMM 내부 저항 측정 22M 저항과 DMM을 직렬로 연결하여 DMM에 걸리는 전압을 측정하고, 전압분배 법칙을 사용하여 DMM의 내부 저항을 약 10mohm으로 계산하였다. 높은 저항값을 사용할 때는 DMM의 내부 저항을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 2. RC 시정수 측정 2.2uF 커패시터와 DMM을 직렬로 연결하여 RC 시정수를 측정하였다. 이론적으로 예상한 값은 22.21초이지만, 실험 결과 평균 19.5초로 약 12%의 오차가 발생하였다. 오차의 원인은 커패시터의 완전한 방전 실패와 스탑워치 사용의 한계로 인...2025.05.15
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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