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전기회로설계실습 실습7 결과보고서2025.01.201. RC 회로 설계 이 실습에서는 RC 회로의 시정수 측정 회로와 방법을 설계하였다. RC 회로의 R, C 값을 이용하여 시정수(τ)를 계산하고, DMM을 통해 실제 τ를 측정하여 비교하였다. 또한 원하는 시정수와 R 값이 주어졌을 때 회로를 설계하고, 사각파 입력에 따른 커패시터와 저항의 전압 파형을 분석하였다. 2. DMM 내부 저항 측정 첫 번째 실험에서는 DMM의 내부 저항을 측정하였다. 출력 전압과 측정 전압의 차이를 통해 DMM의 내부 저항이 측정 대상 저항과 비슷한 경우 전압 측정에 주의해야 함을 확인하였다. 3. 시...2025.01.20
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. [그림 10-1]은 가장 기본적인 전...2025.01.13
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전자회로실험 A+ 6주차 결과보고서(BJT Operations-Large/Small signal Operation)2025.05.101. BJT 회로의 Large/Small signal 분석 이 실험에서는 BJT 회로의 Large signal과 Small signal 분석 방법을 익히고, 실험을 통해 BJT의 VCE-IC 특성곡선을 측정하고 Small-signal 모델 파라미터를 계산하였다. 또한 Small-signal 이득을 측정하고 이론값과 비교하였다. 실험 결과, BJT 회로에서 Early 효과로 인해 VCE가 증가함에 따라 IC가 조금씩 증가하는 것을 확인하였다. 또한 Small-signal 모델에서 계산한 이득과 실험으로 측정한 이득을 비교하여 바이어스...2025.05.10
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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회로이론 11장 연습문제 풀이2025.05.091. 회로이론 회로이론은 전기 및 전자 공학의 기본 개념으로, 전기 회로의 동작 원리와 분석 방법을 다룹니다. 이 자료는 회로이론 11장의 연습문제 풀이를 다루고 있습니다. 연습문제를 통해 회로 분석 기술을 익히고 이해도를 높일 수 있습니다. 2. 전기 회로 분석 이 자료에서는 전기 회로의 다양한 분석 기법을 다루고 있습니다. 옴의 법칙, 키르히호프 법칙, 전압 및 전류 분석 등 회로 이론의 핵심 개념을 적용하여 회로를 분석하는 방법을 설명하고 있습니다. 3. 전압 및 전류 계산 이 자료에서는 전압과 전류의 계산 과정을 자세히 다루...2025.05.09
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_11 중첩정리(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 선형회로 선형회로는 전기회로에서 회로에 가한 전압과 회로를 흐르는 전류가 단순한 비례관계, 즉 선형방정식으로 표시되는 회로를 말한다. 2. 중첩의 원리 중첩의 원리는 여러 개의 전원이 있는 회로 응답은 각 전원이 단독으로 존재할 때 응답들을 모두 합한 것이라는 개념이다. 전원의 제거 시 독립전원만 제거할 수 있으며 종속전원은 제거하지 않는다. 3. 전압원 제거 전압원을 제거할 때는 전류가 흐를 수 있으면서 전압의 크기만 0V로 만드는 단락을 사용한다. 4. 전류원 제거 전류원을 제거할 때는 전압은 인가할 수 있으나 전류는 흐를...2025.05.13
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[기초전자실험 with pspice] 10 중첩의 원리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 중첩의 원리 중첩의 원리를 적용하는 방법을 익히고, 중첩의 원리를 실험으로 확인한다. 중첩의 원리는 '전원이 2개 이상인 선형회로에서 어떤 부품의 전압과 전류는 전원을 1 개씩 동작시킬 때 나타나는 전압 및 전류의 합이다'로 정의된다. 전원을 1개씩 동작시킨다는 것은 하나의 전원을 동작시킬 때 다른 전원은 제거하는 것이다. 전원이 2개인 회로에 중첩의 원리를 적용하는 방법은 각 전원에 따른 전류와 전압을 구한 후 더하여 실질적인 전류와 전압을 구하는 것이다. 2. 기본 회로 실험 실험 회로를 구성하고 직류전원을 인가한 후 각 ...2025.04.28
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실험 11_공통 소오스 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화영역에서 ...2025.04.27
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회로이론 13장 연습문제 풀이2025.05.091. 회로이론 회로이론은 전기 및 전자 공학의 기본 개념을 다루는 분야입니다. 13장에서는 연습문제를 통해 회로 분석 및 설계 기술을 익히는 것이 주요 내용입니다. 이를 통해 복잡한 전기 회로를 이해하고 해결할 수 있는 능력을 기를 수 있습니다. 2. 전기 회로 분석 전기 회로 분석은 회로이론의 핵심 주제 중 하나입니다. 이 연습문제에서는 다양한 회로 요소와 방법론을 활용하여 회로의 전압, 전류, 임피던스 등을 계산하고 분석하는 기술을 다룹니다. 이를 통해 복잡한 회로 문제를 체계적으로 해결할 수 있는 능력을 기를 수 있습니다. 3...2025.05.09
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