총 49개
-
은 나노입자 합성 및 광특성 분석(예비보고서)2025.05.141. 은 나노입자 합성 및 광특성 분석 실험 목표는 은 나노입자 크기에 따른 흡광도의 변화를 관찰하여 LSPR(Localized Surface Plasma Resonance) 광학 특성을 이해하는 것입니다. 금속 나노입자는 자유전자의 집단적 진동에 의해 특정 파장의 빛과 강하게 상호작용하여 색을 나타내는 LSPR 현상을 보입니다. 이러한 LSPR 특성은 나노입자의 크기와 모양에 따라 달라지며, 다양한 응용분야에 활용될 수 있습니다. 1. 은 나노입자 합성 및 광특성 분석 은 나노입자는 다양한 분야에서 활용되는 중요한 물질입니다. 이...2025.05.14
-
반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함2025.01.181. 반도체 기본 특성 반도체의 기본적인 특성에 대해 설명하고 있습니다. 마이크로 패브리케이션 공정을 활용한 집적회로, MEMS 센서, 태양광 패널 등의 예시를 제시하고 있습니다. in-plane과 out-of-plane의 차이, 트랜지스터의 발전, 무어의 법칙, 반도체 8대 공정 등을 다루고 있습니다. 또한 클린룸 시설의 중요성과 기준, 실리콘 웨이퍼 직경 증가 추세와 그에 따른 이슈 등을 설명하고 있습니다. 2. 3D 반도체 트렌드 집적도를 높이기 위해 웨이퍼 표면에 수직방향으로 소재를 쌓아올리는 3D 반도체 기술에 대해 설명하...2025.01.18
-
숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 예비보고서2025.01.141. 4-point probe 측정 원리 4-point probe 방법은 동일선상에 놓은 4개의 핀을 시료의 표면에 접촉시켜 저항을 측정하고, 기하학적 보정계수를 적용하여 면저항을 측정하는 방식이다. Single configuration의 측정 원리는 핀 A, D에 전류(I_{AD})를 흘리고 핀 B, C에서 전압(V_{BC})을 측정하여 저항 R_a = V_{BC}/I_{AD}를 구하고, 면저항(R_S = k_a * R_a)을 구하는 방법이다. 여기서 k_a는 핀 간격에 대한 시료 크기 보정 인자, 핀 간격에 대한 시료의 두께 보...2025.01.14
-
연세대 공학물리학실험2 3주차 결과레포트2025.05.021. 전자의 e/m 실험을 통해 전자의 전하-질량비(e/m)를 측정하고, 전기장과 자기장이 전자의 운동에 미치는 영향을 관찰하였다. 가속전압과 전류를 변화시키며 전자빔의 반지름을 측정하여 e/m 값을 계산하였고, 약 5.6%의 오차율을 보였다. 자기장과 전기장이 수직이 아닐 때 전자의 궤도가 나선형을 띠는 것을 확인하였으며, 전기장 방향에 따라 전자가 위아래로 움직이는 것을 관찰하였다. 1. 전자의 e/m 전자의 전하량 대 질량비(e/m)는 전자의 기본적인 특성을 나타내는 중요한 물리량입니다. 이 값은 전자의 운동 특성을 결정하며,...2025.05.02
-
가열살귤_High Voltage Electric Discharges2025.05.111. High Voltage Electric Discharges 고전압 방전은 유기 화학 오염물질 제거, 미생물 불활성화, 고체 전기 수력 분쇄, 유정 시추 등 다양한 응용 분야에 사용될 수 있습니다. 최근 고전압 방전 기술이 다양한 원료 물질에서 생물학적 화합물 추출을 향상시키는 데 개발되었습니다. 고전압 방전은 추출 온도, 시간, 용매 사용량을 줄일 수 있으며 초음파나 마이크로웨이브에 비해 온도 상승이 낮습니다. 2. High Voltage Electric Field 고전압 전기장 기술은 정전기장(HEF)과 고전압 방전(HVED...2025.05.11
-
스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
-
ICP/AES를 이용한 CU 분석2025.04.261. ICP/AES의 원리 및 활용 ICP/AES는 들뜬 상태의 원자나 이온이 방출하는 빛을 측정하여 시료를 정성 및 정량 분석하는 방법입니다. 액체 시료를 고주파 유도 코일에 의해 형성된 아르곤 플라즈마에 주입하면 시료가 원자화, 이온화되어 들뜬 상태가 됩니다. 이 들뜬 상태의 원자나 이온이 바닥 상태로 이동하면서 방출하는 발광선의 강도를 측정하여 원소를 분석합니다. ICP/AES는 토양 시료 중 비소 분석, 할로겐 원소 측정, KP 수재 염화나트륨의 칼륨 불순물 측정 등에 활용됩니다. 2. 무기물 분석을 위한 전처리 방법 무기물...2025.04.26
-
반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
-
현대물리실험_A+레포트_프랑크 헤르츠 실험 결과2025.01.131. 프랑크-헤르츠 실험 프랑크와 헤르츠가 압력이 낮은 상태의 기체 원자와 전자를 충돌시키는 실험을 통해 원자의 에너지 준위가 불연속적이라는 증거, 즉 에너지가 양자화되어 있다는 증거를 제시했다. 실험에서 사용된 기체 원자는 높은 온도로 가열된 네온 증기이며, 전자가 특정한 에너지에 도달하면 원자와 비탄성 충돌을 하여 원자를 바닥상태보다 높은 에너지 준위로 여기시키는 현상이 관찰되었다. 이를 통해 원자의 에너지 준위가 불연속적임을 확인할 수 있었다. 2. 네온 원자의 에너지 준위 프랑크-헤르츠 실험 결과를 통해 네온 원자의 에너지 ...2025.01.13
-
탄소나노튜브의 구조와 성질2025.01.181. 탄소나노튜브의 구조 탄소나노튜브(Carbon Nanotube; CNT)는 탄소로 이루어진 물질로, 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브 형태를 이루고 있다. 튜브의 직경이 나노미터 수준으로 극히 작은 영역의 물질이다. 탄소나노튜브는 단중벽, 이중벽, 다중벽, 다발형 등 구조에 따라 다양한 형태로 존재한다. 2. 탄소나노튜브의 전기적 성질 탄소나노튜브는 양자거동을 보이며 획기적인 전도성(ballistic conductance)을 가진다. 금속성 탄소나노튜브의 저항은 매우 낮으며, 안정된 전류밀도를 보인다...2025.01.18
2 / 5
