총 117개
-
BJT의 특성 및 바이어스 실험 결과보고서2025.11.181. BJT(쌍극성 트랜지스터) 특성 측정 본 실험에서는 2SC3198GR, 2SC3198Y, 2N2222 등 3개의 BJT 트랜지스터를 대상으로 단자 번호, 형태, 반도체 재료를 파악하고 DMM을 이용하여 다이오드 스케일과 저항 스케일로 측정했습니다. 각 트랜지스터의 베이스, 이미터, 컬렉터 단자를 식별하고 실리콘 재료의 npn형 트랜지스터임을 확인했습니다. 측정 결과 트랜지스터마다 내부 저항이 다르게 나타났으며, 이는 실험에서 요구하는 측정값 획득에 영향을 미쳤습니다. 2. BJT 바이어스 특성 분석 실험 결과 VBE가 증가할수...2025.11.18
-
트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
-
BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항을 전압원에 직접 연결하지 않고 컬렉터로 피드백을 시킨 구조입니다. 이를 통해 베이스 전압에 대한 영향을 줄여 매우 안정된 동작점을 얻을 수 있습니다. 이미터 전류가 증가하면 컬렉터 전압이 증가하고 베이스 전류가 감소하며, 베이스 전류가 증가하면 안정도가 감소하게 됩니다. 2. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 양과 음의 두 전압원을 이용하여 트랜지스터가 활성 영역에 동작하도록 하는 방법입니다. 이미터 바이어스 회로는 이미터에 저항을 사용하기 때문에 ...2025.04.30
-
BJT 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 실험2025.11.171. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 한 개 또는 두 개의 전원을 이용하여 구성되며, 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. βRE≫RB 조건에서 이미터 전류는 BJT의 β 영향을 받지 않으므로, 트랜지스터 교환 시 IC와 VCE의 변화가 거의 없다. 실험에서 2N3904 트랜지스터를 사용하여 β값 162.3105를 결정하고, 측정된 VB=5.7902V, VRC=5.0742V로부터 IB=14.2098uA, IC=2.3065mA를 계산했다. 2. 컬렉터 피드백 회로 컬렉터 피드백 회로는 베이스 저항이 BJT의 컬렉터...2025.11.17
-
쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 실험2025.11.161. BJT의 구조 및 종류 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)는 전자와 정공 두 가지 캐리어가 전류 메커니즘에 관여하는 반도체 소자입니다. NPN 트랜지스터는 두 개의 N형 층이 가운데 P형 층으로 분리된 구조이고, PNP 트랜지스터는 두 개의 P형 층이 가운데 N형 층으로 분리된 구조입니다. 두 종류 모두 에미터, 베이스, 콜렉터 세 개의 단자를 가지며, 에미터의 화살표 방향으로 구분됩니다. 2. BJT의 동작원리 및 전류증폭 BJT는 에미터에서 출발한 정공이 콜렉터에 도달할 때 전류가 흐릅니다. 작은 베이스 전류가 인가되면 콜렉터...2025.11.16
-
[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 BJT 증폭기의 베이스 전압과 컬렉터 전류를 안정적으로 설정하기 위해 사용된다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전압 V_B, 베이스 전류 I_B, 컬렉터 전류 I_C, 컬렉터 전압 V_C 등의 관계식을 통해 회로의 동작을 이해할 수 있다. 이 회로는 온도 변화나 트랜지스터 특성의 변화에도 안정적인 동작을 보장한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 트랜지스터 증폭기의 ...2025.01.29
-
전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
-
전자재료물성 실험 및 설계 2 - BJT 및 MOSFET 특성2025.11.181. BJT(양극성 접합 트랜지스터)의 전기적 특성 BJT는 전류 제어용 소자로 PNP, NPN 구조로 나뉜다. 세 개의 전극(이미터, 베이스, 컬렉터)으로 구성되며, 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다. BJT는 차단영역, 활성영역, 포화영역, 역활성영역의 네 가지 동작영역을 가지며, 활성영역에서 증폭 기능을 수행한다. 온도 증가에 따라 캐리어 수가 증가하여 전기전도도가 증가하고 문턱전압이 낮아진다. 2. BJT 증폭기 회로의 종류 및 특성 BJT 증폭기는 접지 위치에 따라 공통 이미터(CE), 공통 베이스(CB), 공통 ...2025.11.18
2 / 12
