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측정수준에 따른 명목 척도분류 기능2025.11.161. 명목 척도의 개념 및 특성 명목 척도는 측정 수준 중 가장 낮은 수준의 척도로, 범주형 데이터를 측정하는 데 가장 적합하다. 개체들 간의 차이를 분류하기 위한 가장 기본적인 척도이며, 간단한 분류나 범주화에 유용하다. 명목 척도는 단순히 범주를 분류하는 기능을 수행하며, 데이터 분석에서 다른 척도와 함께 사용될 때 매우 유용하다. 이 척도는 연구자가 데이터를 분류하고 범주화하여 변수 간의 차이를 비교하는 데 도움을 준다. 2. 측정의 개념 및 중요성 측정은 대상에 대한 양적 또는 질적 정보를 수집하고 분석하는 과정으로, 대상의...2025.11.16
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기기분석실험 10주차 TGA, DSC 예비레포트2025.01.291. TGA (Thermogravimetric Analysis) TGA는 온도 변화에 따른 시료의 질량 변화를 측정하여 재료의 열적 안정성, 분해 온도, 수분 함량 등을 분석하는 기법이다. TGA의 주요 응용 분야는 열 분해 분석, 수분 및 휘발성 물질 함량 측정, 산화 안정성 평가 등이다. TGA의 작동 원리는 시료가 일정한 속도로 가열되는 동안 시료의 무게 변화를 측정하여 질량 손실 그래프(TGA 곡선)를 얻는 것이다. 2. DSC (Differential Scanning Calorimetry) DSC는 시료와 기준 물질 사이의...2025.01.29
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설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 예비보곳서2025.05.161. DMM 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 회로에 전압원에 V(V)가 측정될 때, 전압원과 22MΩ, DMM을 직렬로 연결하면 DMM 내부저항 Rin을 구할 수 있다. DMM에 걸리는 전압을 측정하여 V_0라고 두면 KVL을 만족해야 하기 때문에 V_0 = {Rin} over {22M OMEGA +Rin} V (V) 식을 통해 Rin을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법은 회로에 전압원에 연결된...2025.05.16
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중앙대학교 전기회로설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계(예비) A+2025.01.271. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라. 1) DMM의 측정단위를 Ω으로 맞춘다. 2) DMM의 측정치를 10 Ω보다 크게 맞추고, 임의의 수십[MΩ] 정도의 저항의 저항값을 측정한다. 3) DMM의 측정단위를 Vdc로 바꾼다. 4) DC Power Supply 와 임의의 저항, DMM을 연결한다. 5) DMM에서 측정되는 전압을 통해 DMM의 내부저항을 구한다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2 μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 ...2025.01.27
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험1_결과보고서_RC직렬회로2025.05.101. RC 직렬회로의 위상 특성 측정 실험에서 측정한 저항과 커패시터 양단의 전압 값이 PSPICE로 측정한 값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했을 수 있으며, 함수 발생기와 오실로스코프 간 케이블 연결 문제 또는 실험 장치 주변의 노이즈로 인한 것으로 추정됨. 2. RC 직렬회로의 임피던스 측정 4선 저항 측정으로 얻은 저항값은 이론값과 유사했지만, 오실로스코프로 측정한 저항과 커패시터의 첨두치 값은 PSPICE 측정값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했...2025.05.10
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인덕턴스와 RL 회로 실험 예비보고서2025.11.181. 인덕턴스(Inductance) 측정 인덕턴스는 헨리(Henry, H) 단위로 표시되며, 코일에 전류를 가하면 자속이 발생된다. 자속쇄교 λ=NΦ=Li 관계식으로 표현되며, 교류입력에서 유도성 리액턴스는 XL=ωL이다. 여기서 ω=2πf이고 f는 주파수이다. 실제 인덕터는 저항성분 R과 리액턴스 성분 ωL을 모두 가지고 있으며, LCR 계측기를 이용하여 측정할 수 있다. 2. RL 회로의 강제응답특성 저항 R과 인덕터 L로 구성된 RL 회로에 정현파 Vg(t)=Vmcosωt를 인가할 때, KVL을 적용하면 L(di/dt)+Ri=...2025.11.18
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실험 11_공통 소오스 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화영역에서 ...2025.04.27
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RC 회로의 주파수 응답 측정 RC 회로에서 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터의 특성을 보이기 시작하는 것을 확인하였다. 실험 결과와 이론값을 비교하여 고주파 영역에서 실제 소자의 기생 성분으로 인해 이론값과 다른 특성을 보임을 알 수 있었다. 2. RL 회로의 주파수 응답 측정 RL 회로에서도 입력 신호의 크기를 일정하게 유지하고 주파수를 점차 증가시키면서 출력 신호의 크기를 측정하였다. 그 결과 약 25kHz~10...2025.04.25
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전기회로설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)2025.01.211. RL 회로의 과도응답 RL 회로의 과도응답 특성을 이해하고 측정하는 방법을 설명합니다. 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설명합니다. 인덕터의 에너지 충전 및 방출 과정과 이에 따른 전압 및 전류 파형을 분석합니다. 2. 인덕터 특성 인덕터의 에너지 저장 및 방출 특성을 설명합니다. 인덕터에 에너지가 완전히 충전되기 전에 저항에 의해 에너지가 방출되는 경우, 에너지 방출 시간이 짧아져 파형이 왜곡되는 현상을 설명합니다. 3. 회로 설계 및 측정 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정...2025.01.21
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