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서강대학교 22년도 전자회로실험 9주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 특성 및 바이어스 회로 MOSFET은 p-type substrate 위에 n+의 source, drain단자를 구성하고, 채널과 oxide로 분리되어있는 Gate를 이용해 channel에 전류가 흐르는 것을 조절하는 3 terminal device이다. NMOS의 ID – VDC 특성에서 VG가 threshold voltage Vth보다 크다면, n-channel이 형성되어 드레인과 소스 사이에 전류가 흐를 수 있다. 이때 VDS에 따라 MOS의 동작 영역이 triode region과 saturation regio...2025.01.13
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 18 증폭기의 주파수 응답 특성)2025.01.291. 증폭기의 주파수 응답 특성 이번 실험에서는 증폭기의 주파수 응답 특성을 이해하기 위해 다양한 주파수 조건에서 증폭기의 이득 변화를 측정하고 분석하였습니다. 주파수가 낮을 때는 이득이 일정하게 유지되지만, 특정 주파수를 넘어가면 이득이 급격히 감소하는 현상을 관찰할 수 있었습니다. 이를 통해 증폭기의 대역폭을 결정하는 3dB 주파수의 중요성을 확인할 수 있었으며, 대역폭이 제한되는 원인이 회로 내부의 기생 요소나 소자의 대역폭 한계 등 다양한 요인에 의해 발생한다는 점도 인식하게 되었습니다. 2. 3dB 주파수 계산값과 측정값의...2025.01.29
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로는 일반적인 공통 소오스 증폭기에서 저항 대신 MOSFET 소자를 부하로 사용하는 회로이다. 이를 통해 높은 출력 임피던스와 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 이 회로는 고성능 증폭기를 구현할 때 많이 사용된다. 능동 부하는 일반 저항보다 높은 임피던스를 제공하므로, 전압 이득이 극대화된다. 이로 인해 능동 부하 공통 소오스 증폭기는 작은 신호 입력에서도 큰 증폭이 가능하다. 2. 능동 부하의 역할 회로에서 M_2와 M_3는 능동 부하로 작동하여 출력...2025.01.29
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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[전자공학응용실험]7주차_5차실험_실험 15 다단 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기의 개념과 등가회로를 설명하고, 다단 증폭기의 전압 이득 계산 방법을 제시하였습니다. 또한 작은 부하 저항을 구동하기 위한 2단 및 3단 증폭기 구성 방법을 설명하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 특성 공통 소스 증폭기, 소스 팔로워 증폭기, 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 특성을 정리하였습니다. 이를 바탕으로 다단 증폭기 설계 시 고려해야 할 사항을 설명하였습니다. 3. 2단 증폭기 설계 공통 소스 증폭기와 소스 팔로워를 연결한 2단 증폭기 회로를 제시하고, 이 회로의...2025.01.29
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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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지레의 원리와 인체 지레2025.01.281. 지레의 원리 지레는 받침축과 막대를 이용하여 물체를 들어올리는 도구로, 받침점, 힘점, 작용점으로 구성됩니다. 받침점과 힘점 사이의 거리가 멀수록 작은 힘으로 물체를 움직일 수 있습니다. 2. 지레의 종류 지레에는 1종 지레, 2종 지레, 3종 지레가 있습니다. 각 지레의 특징과 활용 방식이 다릅니다. 3. 인체 지레의 요소 인체에서는 근육, 관절, 분절 등이 지레의 역할을 합니다. 받침점, 힘점, 작용점이 존재하며, 이를 통해 복잡한 신체 활동이 가능합니다. 4. 1종 지레의 활용: 머리 돌리기 머리 돌리기 운동은 1종 지레...2025.01.28
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.131. 저항 저항의 목적은 다양하게 있다. 첫 번째로 전압을 분배하는 것이다. 전력의 일부를 소비하지만 외부 회로 혹은 시스템이 정상적으로 작동할 수 있게 전위차를 발상시킨다. 두 번째로 바이어싱이다. BJT, FET, TR, 전자관에서는 바이어스가 한쪽 극 또는 접지 반대 부분 극에 의도하여 직류 전압을 가한다. 저항기 회로는 바이어스 기능을 수행할 수 있게 한다. 세 번째로 전류의 제한이다. 무선 신호를 수신하게 설계된 민감한 증폭기에 활용되거나 전원 공급기, 배터리 출력과 직렬로 연결이 이루어진 전류의 제한이다. 트랜지스터가 과...2025.05.13
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